Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs (2002)
- Authors:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.1448674
- Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X; ESPECTROSCOPIA MOLECULAR
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College Park
- Date published: 2002
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.91, n.5, p.2916-2920, March 2002
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SANTOS, P V et al. Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 5, p. 2916-2920, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1448674. Acesso em: 28 dez. 2025. -
APA
Santos, P. V., Zanatta, A. R., Jahn, U., Trampert, A., Dondeo, F., & Chambouleyron, I. (2002). Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs. Journal of Applied Physics, 91( 5), 2916-2920. doi:10.1063/1.1448674 -
NLM
Santos PV, Zanatta AR, Jahn U, Trampert A, Dondeo F, Chambouleyron I. Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ;91( 5): 2916-2920.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1448674 -
Vancouver
Santos PV, Zanatta AR, Jahn U, Trampert A, Dondeo F, Chambouleyron I. Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ;91( 5): 2916-2920.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1448674 - Photoluminescence and structural study of Sm and Tb-doped TiOx thin films
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1448674 (Fonte: oaDOI API)
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