Erbium luminescence in a-Si : H (1998)
- Authors:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/s0022-3093(98)00082-9
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Non-Crystalline Solids
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 230, p. 399-402, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
TESSLER, L. R. e ZANATTA, Antonio Ricardo. Erbium luminescence in a-Si : H. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 230, p. 399-402, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(98)00082-9. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Tessler, L. R., & Zanatta, A. R. (1998). Erbium luminescence in a-Si : H. Journal of Non-Crystalline Solids, 230, 399-402. doi:10.1016/s0022-3093(98)00082-9 -
NLM
Tessler LR, Zanatta AR. Erbium luminescence in a-Si : H [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1998 ; 230 399-402.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(98)00082-9 -
Vancouver
Tessler LR, Zanatta AR. Erbium luminescence in a-Si : H [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1998 ; 230 399-402.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(98)00082-9 - Structural investigation of cobalt oxide films grown by reactive DC magnetron sputtering
- Espectroscopia óptica de vidros fluoroindatos dopados com íons 'Er POT.3+' e 'Yb POT.3+'
- Optoelectronic properties of Er-doped amorphous GaAsN films
- AIN aloys prepared by reactive radio frequency sputtering
- Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs
- Photoluminescence of Sm and Er doped amorphous AIN
- Photoelectron spectroscopic study of amoprhous GaAsN films
- Microcrystalline silicon with high electron field-effect mobility deposited at '230 GRAUS'
- Laser-induced generation of micrometer-sized luminescent patterns on rare-earth-doped amorphous films
- Photon and electron excitation of rare-earth-doped amorphous SiN films
Informações sobre o DOI: 10.1016/s0022-3093(98)00082-9 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
