Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures (1987)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: International Journal of Quantum Chemistry
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.32, n.6 , p.655-61, 1987
-
ABNT
GOMES, V M S et al. Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry, v. 32, n. 6 , p. 655-61, 1987Tradução . . Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1987). Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry, 32( 6 ), 655-61. -
NLM
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry. 1987 ;32( 6 ): 655-61.[citado 2024 abr. 26 ] -
Vancouver
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry. 1987 ;32( 6 ): 655-61.[citado 2024 abr. 26 ] - Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
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