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  • Trabalho de evento-resumo

    Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon (1988)

    Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.

    Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.

    • APA

      Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific.

    • NLM

      Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]

    • Vancouver

      Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]

  • Trabalho de evento

    Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon (1987)

    Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio

    Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference Physics Semiconductors. Unidade: IF

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LEITE, J. R. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. 1987, Anais.. Singapore: World Scientific, 1987. . Acesso em: 30 nov. 2025.

    • APA

      Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1987). Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific.

    • NLM

      Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2025 nov. 30 ]

    • Vancouver

      Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2025 nov. 30 ]

  • Trabalho de evento

    Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon (1985)

    Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio

    Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian School on Physics. Unidade: IF

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LEITE, J. R. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 30 nov. 2025.

    • APA

      Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1985). Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]

    • Vancouver

      Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
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