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Artigo de periodico
Fabrication of Ti-Si-Ti metal-semiconductor-metal photodetectors using low temperature rapid thermal annealing (2007)
Ohta, Ricardo Luís; Viana, Carlos Eduardo; Morimoto, Nilton Itiro ; Borges, Ben-Hur Viana
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: EP, EESC
Assuntos: MICROELETRÔNICA, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO
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ABNT
OHTA, Ricardo Luís et al. Fabrication of Ti-Si-Ti metal-semiconductor-metal photodetectors using low temperature rapid thermal annealing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 2, n. 2, 2007Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Ohta, R. L., Viana, C. E., Morimoto, N. I., & Borges, B. -H. V. (2007). Fabrication of Ti-Si-Ti metal-semiconductor-metal photodetectors using low temperature rapid thermal annealing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 2( 2).
NLM
Ohta RL, Viana CE, Morimoto NI, Borges B-HV. Fabrication of Ti-Si-Ti metal-semiconductor-metal photodetectors using low temperature rapid thermal annealing. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007 ;2( 2):[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Ohta RL, Viana CE, Morimoto NI, Borges B-HV. Fabrication of Ti-Si-Ti metal-semiconductor-metal photodetectors using low temperature rapid thermal annealing. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007 ;2( 2):[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric (2007)
Albertin, Katia Franklin ; Valle, M A; Pereyra, Inés
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e VALLE, M A e PEREYRA, Inés. Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 2, n. 2, 2007Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Albertin, K. F., Valle, M. A., & Pereyra, I. (2007). Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric. Journal of Integrated Circuits and Systems, 2( 2).
NLM
Albertin KF, Valle MA, Pereyra I. Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007 ;2( 2):[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Albertin KF, Valle MA, Pereyra I. Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007 ;2( 2):[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Plasma parameters obtained with planar probe and optical emission spectroscopy (2007)
Daltrini, Andre M; Moshkalev, Stanislav; Swart, Laura; Verdonck, Patrick Bernard
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO
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ABNT
DALTRINI, Andre M et al. Plasma parameters obtained with planar probe and optical emission spectroscopy. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 2, n. 2, 2007Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Daltrini, A. M., Moshkalev, S., Swart, L., & Verdonck, P. B. (2007). Plasma parameters obtained with planar probe and optical emission spectroscopy. Journal of Integrated Circuits and Systems, 2( 2).
NLM
Daltrini AM, Moshkalev S, Swart L, Verdonck PB. Plasma parameters obtained with planar probe and optical emission spectroscopy. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007 ; 2( 2):[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Daltrini AM, Moshkalev S, Swart L, Verdonck PB. Plasma parameters obtained with planar probe and optical emission spectroscopy. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2007 ; 2( 2):[citado 2025 nov. 15 ]

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