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Artigo de periodico
Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon (1995)
Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications, v. 93, p. 469-9, 1995Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1995). Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications, 93, 469-9.
NLM
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications. 1995 ;93 469-9.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications. 1995 ;93 469-9.[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge (1991)
Castineira, J L P; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTINEIRA, J L P e SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge. Solid State Communications, v. 79, p. 557, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90909-f. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Castineira, J. L. P., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1991). Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge. Solid State Communications, 79, 557. doi:10.1016/0038-1098(91)90909-f
NLM
Castineira JLP, Scolfaro LMR, Leite JR. Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;79 557.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90909-f
Vancouver
Castineira JLP, Scolfaro LMR, Leite JR. Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;79 557.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90909-f
Artigo de periodico
Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations (1991)
Rodrigues, R; Guimaraes, P S S; Sampaio, J F; Nogueira, R A; Oliveira Junior, A T; Dias, I. F. L.; Bezerra, J C; Oliveira, A. G.; Chaves, A S; Scolfaro, L M R
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, R et al. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, v. 78, p. 793-6, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Rodrigues, R., Guimaraes, P. S. S., Sampaio, J. F., Nogueira, R. A., Oliveira Junior, A. T., Dias, I. F. L., et al. (1991). Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, 78, 793-6. doi:10.1016/0038-1098(91)90622-3
NLM
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3
Vancouver
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3

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