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Tese (Doutorado)
Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2006)
Reis, Ronaldo Willian; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, DIODOS, FILMES FINOS, RUGOSIDADE SUPERFICIAL
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ABNT
REIS, Ronaldo Willian. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Reis, R. W. (2006). Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Reis RW. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Reis RW. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica (2006)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RODRIGUES, Michele. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Rodrigues, M. (2006). Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
NLM
Rodrigues M. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
Vancouver
Rodrigues M. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
Dissertação (Mestrado)
Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS (2006)
Miranda, Fernando Pedro Henriques de; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MIRANDA, Fernando Pedro Henriques de. Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Miranda, F. P. H. de. (2006). Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/
NLM
Miranda FPH de. Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/
Vancouver
Miranda FPH de. Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (2006)
Souza, Ricardo de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Ricardo de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Souza, R. de. (2006). Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
NLM
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
Vancouver
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/

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