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  • Unidade: EP

    Assuntos: ENGENHARIA ELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      COELHO, Alfredo Roskamp. Projeto de blocos analógicos básicos em tecnologia CMOS digital. 1990. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1990. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012025-113038/pt-br.php. Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Coelho, A. R. (1990). Projeto de blocos analógicos básicos em tecnologia CMOS digital (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012025-113038/pt-br.php
    • NLM

      Coelho AR. Projeto de blocos analógicos básicos em tecnologia CMOS digital [Internet]. 1990 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012025-113038/pt-br.php
    • Vancouver

      Coelho AR. Projeto de blocos analógicos básicos em tecnologia CMOS digital [Internet]. 1990 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012025-113038/pt-br.php
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      MARTINO, João Antonio. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/. Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Martino, J. A. (1988). Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
    • NLM

      Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
    • Vancouver

      Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
  • Unidade: EP

    Assuntos: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      PIRES, Renato Guedes. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Pires, R. G. (1987). Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Como citar
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    • ABNT

      ZASNICOFF, Luiz Sergio. Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: análise, caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Zasnicoff, L. S. (1987). Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: análise, caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Zasnicoff LS. Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: análise, caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Zasnicoff LS. Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: análise, caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, SILÍCIO

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    • ABNT

      TORRES, Luis Carlos Molina. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Torres, L. C. M. (1987). Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Torres LCM. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Torres LCM. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      VALE NETO, José Vieira do. Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS. 1986. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1986. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Vale Neto, J. V. do. (1986). Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Vale Neto JV do. Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS. 1986 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Vale Neto JV do. Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS. 1986 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Como citar
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    • ABNT

      LAGANÁ, Armando Antonio Maria. Contribuições a uma tecnologia n-mos com carga em depleção e porta metalica, e projeto de uma fonte de autopolarização. 1984. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1984. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Laganá, A. A. M. (1984). Contribuições a uma tecnologia n-mos com carga em depleção e porta metalica, e projeto de uma fonte de autopolarização (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Laganá AAM. Contribuições a uma tecnologia n-mos com carga em depleção e porta metalica, e projeto de uma fonte de autopolarização. 1984 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Laganá AAM. Contribuições a uma tecnologia n-mos com carga em depleção e porta metalica, e projeto de uma fonte de autopolarização. 1984 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Como citar
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    • ABNT

      LIMA FILHO, Jader Alves de. Projeto e elaboração de uma unidade lógica e aritmética utilizando tecnologia NMOS. 1980. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1980. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Lima Filho, J. A. de. (1980). Projeto e elaboração de uma unidade lógica e aritmética utilizando tecnologia NMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Lima Filho JA de. Projeto e elaboração de uma unidade lógica e aritmética utilizando tecnologia NMOS. 1980 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Lima Filho JA de. Projeto e elaboração de uma unidade lógica e aritmética utilizando tecnologia NMOS. 1980 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      KUNIYOSHI, Ana Maria. Desenvolvimento básico de uma tecnologia CMOS porta metálica. 1979. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1979. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Kuniyoshi, A. M. (1979). Desenvolvimento básico de uma tecnologia CMOS porta metálica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Kuniyoshi AM. Desenvolvimento básico de uma tecnologia CMOS porta metálica. 1979 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Kuniyoshi AM. Desenvolvimento básico de uma tecnologia CMOS porta metálica. 1979 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assuntos: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GONCALVES, Nelson Fontella. Estudo teorico-experimental do sistema 'SI'-'SI' 'O IND.2' utilizando capacitores mos. 1978. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1978. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Goncalves, N. F. (1978). Estudo teorico-experimental do sistema 'SI'-'SI' 'O IND.2' utilizando capacitores mos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Goncalves NF. Estudo teorico-experimental do sistema 'SI'-'SI' 'O IND.2' utilizando capacitores mos. 1978 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Goncalves NF. Estudo teorico-experimental do sistema 'SI'-'SI' 'O IND.2' utilizando capacitores mos. 1978 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SOUZA, Joel Pereira de. Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade. 1978. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1978. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Souza, J. P. de. (1978). Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Souza JP de. Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade. 1978 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Souza JP de. Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade. 1978 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      STRUM, Marius. Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta. 1977. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1977. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Strum, M. (1977). Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Strum M. Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta. 1977 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Strum M. Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta. 1977 ;[citado 2025 nov. 16 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      CHARRY RODRIGUEZ, Edgar. Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. 1974. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1974. . Acesso em: 16 nov. 2025.
    • APA

      Charry Rodriguez, E. (1974). Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Charry Rodriguez E. Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. 1974 ;[citado 2025 nov. 16 ]
    • Vancouver

      Charry Rodriguez E. Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. 1974 ;[citado 2025 nov. 16 ]

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