ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness (1996)
Lopes, M C V; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Fonte: Journal of the Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V et al. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society, v. 143, n. 3 , p. 1021-5, 1996Tradução . . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1996). 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society, 143( 3 ), 1021-5.
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society. 1996 ;143( 3 ): 1021-5.[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society. 1996 ;143( 3 ): 1021-5.[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness (1995)
Lopes, M C V; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V et al. Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1995). Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Artigo de periodico
Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics (1995)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Lopes, M C V; Baranauskas, V
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos et al. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 10, n. 7 , p. 990-6, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., Lopes, M. C. V., & Baranauskas, V. (1995). Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics. Semiconductor Science and Technology, 10( 7 ), 990-6. doi:10.1088/0268-1242/10/7/015
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Lopes MCV, Baranauskas V. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1995 ;10( 7 ): 990-6.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Lopes MCV, Baranauskas V. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1995 ;10( 7 ): 990-6.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015
Trabalho de evento
Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation (1994)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Lopes, M C V; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos et al. Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Santos Filho, S. G. dos, Lopes, M. C. V., Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1994). Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Santos Filho SG dos, Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation. Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation. Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 16 ]

Unidades USP

ReP

Filtros