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  • Fonte: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. Unidade: EESC

    Assuntos: DISPOSITIVOS ÓPTICOS, FOTÔNICA, SILÍCIO, CIRCUITOS INTEGRADOS, ENGENHARIA ELÉTRICA

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    • ABNT

      DOURADO, Diego Marques et al. Capacitive silicon modulator design with V-Shaped SiO_{2} gate waveguide to optimize V_{\pi }\times L and bandwidth trade-off. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, v. 26, n. 2, p. 1-8, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/JSTQE.2019.2949464. Acesso em: 15 nov. 2025.
    • APA

      Dourado, D. M., Farias, G. B. de, Bustamante, Y. R., Rocha, M. de L., & Carmo, J. P. P. do. (2020). Capacitive silicon modulator design with V-Shaped SiO_{2} gate waveguide to optimize V_{\pi }\times L and bandwidth trade-off. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 26( 2), 1-8. doi:10.1109/JSTQE.2019.2949464
    • NLM

      Dourado DM, Farias GB de, Bustamante YR, Rocha M de L, Carmo JPP do. Capacitive silicon modulator design with V-Shaped SiO_{2} gate waveguide to optimize V_{\pi }\times L and bandwidth trade-off [Internet]. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2020 ; 26( 2): 1-8.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSTQE.2019.2949464
    • Vancouver

      Dourado DM, Farias GB de, Bustamante YR, Rocha M de L, Carmo JPP do. Capacitive silicon modulator design with V-Shaped SiO_{2} gate waveguide to optimize V_{\pi }\times L and bandwidth trade-off [Internet]. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2020 ; 26( 2): 1-8.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSTQE.2019.2949464
  • Fonte: Analytical Chemistry. Unidade: IQ

    Assuntos: QUÍMICA ANALÍTICA, CIRCUITOS INTEGRADOS

    Como citar
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    • ABNT

      ANGNES, Lúcio et al. Gold electrodes from recordable CDs. Analytical Chemistry, v. 72, n. 21, p. 5503-5506, 2000Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2025.
    • APA

      Angnes, L., Richter, E. M., Augelli, M. A., & Kume, G. H. (2000). Gold electrodes from recordable CDs. Analytical Chemistry, 72( 21), 5503-5506.
    • NLM

      Angnes L, Richter EM, Augelli MA, Kume GH. Gold electrodes from recordable CDs. Analytical Chemistry. 2000 ; 72( 21): 5503-5506.[citado 2025 nov. 15 ]
    • Vancouver

      Angnes L, Richter EM, Augelli MA, Kume GH. Gold electrodes from recordable CDs. Analytical Chemistry. 2000 ; 72( 21): 5503-5506.[citado 2025 nov. 15 ]
  • Fonte: Sensors and Actuators A. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, v. 65, n. 2-3, p. 180-186, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6. Acesso em: 15 nov. 2025.
    • APA

      Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1998). Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, 65( 2-3), 180-186. doi:10.1016/s0924-4247(97)01681-6
    • NLM

      Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6
    • Vancouver

      Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6
  • Fonte: Microelectronic Engineering. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      VERDONCK, Patrick Bernard e BRASSEUR, G. e SWART, J. Reactive ion etching and plasma etching of tungsten. Microelectronic Engineering, v. 21, p. 329-332, 1993Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0167-9317(93)90084-i. Acesso em: 15 nov. 2025.
    • APA

      Verdonck, P. B., Brasseur, G., & Swart, J. (1993). Reactive ion etching and plasma etching of tungsten. Microelectronic Engineering, 21, 329-332. doi:10.1016/0167-9317(93)90084-i
    • NLM

      Verdonck PB, Brasseur G, Swart J. Reactive ion etching and plasma etching of tungsten [Internet]. Microelectronic Engineering. 1993 ; 21 329-332.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-9317(93)90084-i
    • Vancouver

      Verdonck PB, Brasseur G, Swart J. Reactive ion etching and plasma etching of tungsten [Internet]. Microelectronic Engineering. 1993 ; 21 329-332.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-9317(93)90084-i
  • Fonte: Microelectronic Engineering. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      VERDONCK, Patrick Bernard e BRASSEUR, G. e COOPMANS, F. Laser enhanced polymer etching in different ambients. Microelectronic Engineering, v. 9, p. 507-510, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0167-9317(89)90111-1. Acesso em: 15 nov. 2025.
    • APA

      Verdonck, P. B., Brasseur, G., & Coopmans, F. (1989). Laser enhanced polymer etching in different ambients. Microelectronic Engineering, 9, 507-510. doi:10.1016/0167-9317(89)90111-1
    • NLM

      Verdonck PB, Brasseur G, Coopmans F. Laser enhanced polymer etching in different ambients [Internet]. Microelectronic Engineering. 1989 ; 9 507-510.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-9317(89)90111-1
    • Vancouver

      Verdonck PB, Brasseur G, Coopmans F. Laser enhanced polymer etching in different ambients [Internet]. Microelectronic Engineering. 1989 ; 9 507-510.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-9317(89)90111-1

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