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Trabalho de evento-resumo periodico
Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski (1989)
Furtado, W W; Stojanoff, Vivian
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
Subjects: CARBONO, SILÍCIO
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ABNT
FURTADO, W W e STOJANOFF, Vivian. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 15 nov. 2024. , 1989
APA
Furtado, W. W., & Stojanoff, V. (1989). Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 290.[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 290.[citado 2024 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon (1989)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, v. 38-41, p. 409, 1989Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1989). Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, 38-41, 409.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 409.[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 409.[citado 2024 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI' (1989)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Shen, W M; Tomkiewicz, M; Gambino, J P
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics, v. 66, n. 5 , p. 2148-55, 1989Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics, 66( 5 ), 2148-55.
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 5 ): 2148-55.[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 5 ): 2148-55.[citado 2024 nov. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski (1989)
Furtado, W W; Stojanoff, Vivian
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: CARBONO, SILÍCIO
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ABNT
FURTADO, W W e STOJANOFF, Vivian. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Furtado, W. W., & Stojanoff, V. (1989). Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium (1989)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Chacham, H; Alves, J L A
Source: Institute of Physics Conference Series. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, v. 95, p. 453, 1989Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., Chacham, H., & Alves, J. L. A. (1989). Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, 95, 453.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 nov. 15 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x (1989)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Stojanoff, Vivian
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
Subjects: RAIOS X, OXIGÊNIO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira e STOJANOFF, Vivian. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 15 nov. 2024. , 1989
APA
Bulla, D. A. P., & Stojanoff, V. (1989). Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 nov. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Proton emission cross sections of silicon isotopes (1989)
Dias, J. F.; Martins, Marcos Nogueira
Source: Contributed Papers. Conference titles: International Nuclear Physics Conference. Unidade: IF
Subjects: SILÍCIO, ISÓTOPOS
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ABNT
DIAS, J. F. e MARTINS, Marcos Nogueira. Proton emission cross sections of silicon isotopes. 1989, Anais.. Sao Paulo: If/Dfn, 1989. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Dias, J. F., & Martins, M. N. (1989). Proton emission cross sections of silicon isotopes. In Contributed Papers. Sao Paulo: If/Dfn.
NLM
Dias JF, Martins MN. Proton emission cross sections of silicon isotopes. Contributed Papers. 1989 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Dias JF, Martins MN. Proton emission cross sections of silicon isotopes. Contributed Papers. 1989 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' (1989)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Shen, W M; Tomkiewicz, M; Gambino, J P
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, v. 66, n. 10, p. 4846-53, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.343801. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, 66( 10), 4846-53. doi:10.1063/1.343801
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343801
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343801
Artigo de periodico
Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface (1989)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Shen, W M; Tomkiewicz, M; Gambino, J P
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface. Journal of Applied Physics, v. 65, n. 12, p. 4884-90, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.343203. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface. Journal of Applied Physics, 65( 12), 4884-90. doi:10.1063/1.343203
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;65( 12): 4884-90.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343203
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;65( 12): 4884-90.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343203

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