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Relatorio tecnico
Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors (2020)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Santos, Raimundo R. dos; Oliveira, Luiz E.; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf. Acesso em: 09 set. 2024. , 2020
APA
Silva, A. J. R. da, Santos, R. R. dos, Oliveira, L. E., & Fazzio, A. (2020). Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
NLM
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
Relatorio tecnico
Band structure model of magnetic coupling in semiconductors (2020)
Dalpian, Gustavo M.; Wei, Su-Huai; Gong, X. G.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
DALPIAN, Gustavo M. et al. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf. Acesso em: 09 set. 2024. , 2020
APA
Dalpian, G. M., Wei, S. -H., Gong, X. G., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
NLM
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
Vancouver
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
Relatorio tecnico
Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids (2018)
Moraes, F. C. D.; Ullah, S.; Balanta, M. G. A.; Iikawa, F.; Danilov, Y. A.; Dorokhin, M. V.; Vikhrova, O. V.; Zvonkov, B. N.; Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FERROMAGNETISMO
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ABNT
MORAES, F. C. D. et al. Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1811.06095. Acesso em: 09 set. 2024. , 2018
APA
Moraes, F. C. D., Ullah, S., Balanta, M. G. A., Iikawa, F., Danilov, Y. A., Dorokhin, M. V., et al. (2018). Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1811.06095
NLM
Moraes FCD, Ullah S, Balanta MGA, Iikawa F, Danilov YA, Dorokhin MV, Vikhrova OV, Zvonkov BN, Hernandez FGG. Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1811.06095
Vancouver
Moraes FCD, Ullah S, Balanta MGA, Iikawa F, Danilov YA, Dorokhin MV, Vikhrova OV, Zvonkov BN, Hernandez FGG. Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1811.06095
Relatorio tecnico
Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE' (2018)
Henriques, André Bohomoletz; Gratens, X.; Usachev, P. A.; Springholz, G.; Chitta, Valmir Antonio
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FERROMAGNETISMO
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1803.02633. Acesso em: 09 set. 2024. , 2018
APA
Henriques, A. B., Gratens, X., Usachev, P. A., Springholz, G., & Chitta, V. A. (2018). Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1803.02633
NLM
Henriques AB, Gratens X, Usachev PA, Springholz G, Chitta VA. Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE' [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1803.02633
Vancouver
Henriques AB, Gratens X, Usachev PA, Springholz G, Chitta VA. Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE' [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1803.02633
Artigo de periodico
Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE' (2018)
Pavlov, V. V.; Pisarev, R. V.; Nefedov, S. G.; Akimov, I. A.; Yakovlev, D. R.; Bayer, M.; Rappl, P. H. O.; Abramof, E.; Henriques, André Bohomoletz
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FERROMAGNETISMO
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ABNT
PAVLOV, V. V. et al. Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE'. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 19, p. 193102, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5027473. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Pavlov, V. V., Pisarev, R. V., Nefedov, S. G., Akimov, I. A., Yakovlev, D. R., Bayer, M., et al. (2018). Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE'. Journal of Applied Physics, 123( 19), 193102. doi:10.1063/1.5027473
NLM
Pavlov VV, Pisarev RV, Nefedov SG, Akimov IA, Yakovlev DR, Bayer M, Rappl PHO, Abramof E, Henriques AB. Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE' [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 19): 193102.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5027473
Vancouver
Pavlov VV, Pisarev RV, Nefedov SG, Akimov IA, Yakovlev DR, Bayer M, Rappl PHO, Abramof E, Henriques AB. Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE' [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 19): 193102.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5027473
Artigo de periodico
Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE' (2018)
Henriques, André Bohomoletz; Gratens, Xavier Pierre Marie; Usachev, P. A.; China, V. A.; Springholz, G.; Henriques, André Bohomoletz
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FERROMAGNETISMO
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE'. Physical Review Letters, v. 120, n. 21, p. 217203, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.120.217203. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Henriques, A. B., Gratens, X. P. M., Usachev, P. A., China, V. A., Springholz, G., & Henriques, A. B. (2018). Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE'. Physical Review Letters, 120( 21), 217203. doi:10.1103/PhysRevLett.120.217203
NLM
Henriques AB, Gratens XPM, Usachev PA, China VA, Springholz G, Henriques AB. Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE' [Internet]. Physical Review Letters. 2018 ; 120( 21): 217203.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.120.217203
Vancouver
Henriques AB, Gratens XPM, Usachev PA, China VA, Springholz G, Henriques AB. Ultrafast light switching of ferromagnetism in 'EU''SE' [Internet]. Physical Review Letters. 2018 ; 120( 21): 217203.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.120.217203
Relatorio tecnico
Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU''TE' (2018)
Pavlov, V. V.; Pisarev, R. V.; Nefedov, S. G.; Akimov, I. A.; Yakovlev, D. R.; Bayer, M.; Rappl, P. H. O.; Abramof, E.; Henriques, André Bohomoletz
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVLOV, V. V. et al. Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU''TE'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1803.02633. Acesso em: 09 set. 2024. , 2018
APA
Pavlov, V. V., Pisarev, R. V., Nefedov, S. G., Akimov, I. A., Yakovlev, D. R., Bayer, M., et al. (2018). Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU''TE'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1803.02633
NLM
Pavlov VV, Pisarev RV, Nefedov SG, Akimov IA, Yakovlev DR, Bayer M, Rappl PHO, Abramof E, Henriques AB. Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU''TE' [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1803.02633
Vancouver
Pavlov VV, Pisarev RV, Nefedov SG, Akimov IA, Yakovlev DR, Bayer M, Rappl PHO, Abramof E, Henriques AB. Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU''TE' [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1803.02633
Artigo de periodico
Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach (2012)
Santos, J P T; Marques, M; Pelá, R R; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285
NLM
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Vancouver
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Artigo de periodico
Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors (2010)
Santos, J P T; Gusev, Guennadii Michailovich; Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, J P T et al. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, v. 81, n. 8, p. 115209/1-115209/8, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Santos, J. P. T., Gusev, G. M., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2010). Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, 81( 8), 115209/1-115209/8. doi:10.1103/physrevb.81.115209
NLM
Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
Vancouver
Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
Artigo de periodico
The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor (2008)
Rodrigues, S. C. P.; Araújo, Y. R. V.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E. F.
Source: Applied Surface Science. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POLARIZAÇÃO, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, v. No 2008, n. 3, p. 709-711, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Araújo, Y. R. V., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2008). The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, No 2008( 3), 709-711. doi:10.1016/j.apsusc.2008.07.015
NLM
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015
Vancouver
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015
Artigo de periodico
Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 075316/1-075316/4, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, 75( 4), 075316/1-075316/4. doi:10.1103/physrevb.75.075316
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Trabalho de evento-resumo
Spin segregation in IV group magnetic heterostructures (2007)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Silva Júnior, Eronides F. da; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin segregation in IV group magnetic heterostructures. 2007, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2007. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Silva Júnior, E. F. da, & Scolfaro, L. M. R. (2007). Spin segregation in IV group magnetic heterostructures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Júnior EF da, Scolfaro LMR. Spin segregation in IV group magnetic heterostructures. Resumos. 2007 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Júnior EF da, Scolfaro LMR. Spin segregation in IV group magnetic heterostructures. Resumos. 2007 ;[citado 2024 set. 09 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Exchange interaction effects on the optical properties of 'Eu IND.x' 'Pb IND.1-x' Te (2007)
Henriques, André Bohomoletz; Galgano, G D; Bíaz, B; Rappi, P H O; Abramof, E
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Exchange interaction effects on the optical properties of 'Eu IND.x' 'Pb IND.1-x' Te. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001233000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 09 set. 2024. , 2007
APA
Henriques, A. B., Galgano, G. D., Bíaz, B., Rappi, P. H. O., & Abramof, E. (2007). Exchange interaction effects on the optical properties of 'Eu IND.x' 'Pb IND.1-x' Te. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001233000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Henriques AB, Galgano GD, Bíaz B, Rappi PHO, Abramof E. Exchange interaction effects on the optical properties of 'Eu IND.x' 'Pb IND.1-x' Te [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1233-1234.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001233000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Henriques AB, Galgano GD, Bíaz B, Rappi PHO, Abramof E. Exchange interaction effects on the optical properties of 'Eu IND.x' 'Pb IND.1-x' Te [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1233-1234.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001233000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors (2006)
Dalpian, Gustavo M; Wei, Su-Huai; Gong, X Z; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo M et al. Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors. Solid State Communications, v. 138, n. 7, p. 353-358, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.03.002. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Wei, S. -H., Gong, X. Z., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors. Solid State Communications, 138( 7), 353-358. doi:10.1016/j.ssc.2006.03.002
NLM
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XZ, Silva AJR da, Fazzio A. Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2006 ; 138( 7): 353-358.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.03.002
Vancouver
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XZ, Silva AJR da, Fazzio A. Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2006 ; 138( 7): 353-358.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.03.002
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV-Mn (2006)
Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos; Marin, Ivan Silvestre Paganini; Lima, Ivan Costa da Cunha; Silva Júnior, Eronides F. da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste - EFNNE. Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS, FERROMAGNETISMO, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto et al. Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV-Mn. 2006, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2006. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Marin, I. S. P., Lima, I. C. da C., & Silva Júnior, E. F. da. (2006). Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV-Mn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C, Silva Júnior EF da. Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV-Mn. Resumos. 2006 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C, Silva Júnior EF da. Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV-Mn. Resumos. 2006 ;[citado 2024 set. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III,V)-Mn e IV-Mn (2006)
Rodrigues, S. C. P.; Silva Junior, E. F. da; Sipahi, Guilherme Matos; Marin, I. S. P.; Lima, I. C. da Cunha; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III,V)-Mn e IV-Mn. 2006, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2006. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Silva Junior, E. F. da, Sipahi, G. M., Marin, I. S. P., Lima, I. C. da C., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III,V)-Mn e IV-Mn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Rodrigues SCP, Silva Junior EF da, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C, Scolfaro LMR. Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III,V)-Mn e IV-Mn. Resumos. 2006 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Silva Junior EF da, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C, Scolfaro LMR. Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III,V)-Mn e IV-Mn. Resumos. 2006 ;[citado 2024 set. 09 ]
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Trabalho de evento-resumo
Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers (2005)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, I. C. da Cunha
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, ELETROMAGNETISMO
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Lima, I. C. da C. (2005). Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Resumos. 2005 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Resumos. 2005 ;[citado 2024 set. 09 ]
Artigo de periodico
Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study (2005)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS, MATÉRIA CONDENSADA, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 288, n. 384-396, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 288( 384-396). Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
Artigo de periodico
Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors (2005)
Silva, A J R; Fazzio, Adalberto; Santos, R R; Oliveira, L E
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, A J R et al. Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, v. 72, n. 12, p. 125208/1-125208/8, 2005Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Silva, A. J. R., Fazzio, A., Santos, R. R., & Oliveira, L. E. (2005). Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, 72( 12), 125208/1-125208/8. Recuperado de http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes
NLM
Silva AJR, Fazzio A, Santos RR, Oliveira LE. Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 12): 125208/1-125208/8.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes
Vancouver
Silva AJR, Fazzio A, Santos RR, Oliveira LE. Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 12): 125208/1-125208/8.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes

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