Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure (2007)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.75.075316
- Subjects: FERROMAGNETISMO; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B
- ISSN: 1038-0121
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 75, n. 4, p. 075316/1-075316/4, 2007
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 075316/1-075316/4, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316. Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, 75( 4), 075316/1-075316/4. doi:10.1103/physrevb.75.075316 -
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316 -
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316 - Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.75.075316 (Fonte: oaDOI API)
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