The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor (2008)
- Authors:
- USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; LEITE, LUISA MARIA SCOLFARO - IF
- Unidades: IFSC; IF
- DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.07.015
- Subjects: SPIN; POLARIZAÇÃO; FERROMAGNETISMO; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Applied Surface Science
- ISSN: 0169-4332
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 255, n. 3, p.709-711, Nov. 2008
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, v. No 2008, n. 3, p. 709-711, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015. Acesso em: 08 nov. 2024. -
APA
Rodrigues, S. C. P., Araújo, Y. R. V., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2008). The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, No 2008( 3), 709-711. doi:10.1016/j.apsusc.2008.07.015 -
NLM
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015 -
Vancouver
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015 - Self-consistent determination of the spin-polarized charge distribution in diluted magnetic semiconductor heterostructures
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.07.015 (Fonte: oaDOI API)
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