The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor (2008)
- Authors:
- USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; LEITE, LUISA MARIA SCOLFARO - IF
- Unidades: IFSC; IF
- DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.07.015
- Subjects: SPIN; POLARIZAÇÃO; FERROMAGNETISMO; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Applied Surface Science
- ISSN: 0169-4332
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 255, n. 3, p.709-711, Nov. 2008
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, v. No 2008, n. 3, p. 709-711, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015. Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Rodrigues, S. C. P., Araújo, Y. R. V., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2008). The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, No 2008( 3), 709-711. doi:10.1016/j.apsusc.2008.07.015 -
NLM
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015 -
Vancouver
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015 - Self-consistent determination of the spin-polarized charge distribution in diluted magnetic semiconductor heterostructures
- Spin segregation in IV group magnetic heterostructures
- White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase
- Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV-Mn
- Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III,V)-Mn e IV-Mn
- Strain effects on the (Si,Ge)Mn diluted ferromagnetic semiconductors
- Interband transitions in cubic nitride quaternary alloys double quantum wells
- Investigações de luminescência em duplos poços quânticos envolvendo ligas quaternárias de nitretos
- Studies of the vertical conductivity in p-doped quantum wells based on group III-IV
- Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.07.015 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas