The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor (2008)
- Authors:
- USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; LEITE, LUISA MARIA SCOLFARO - IF
- Unidades: IFSC; IF
- DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.07.015
- Subjects: SPIN; POLARIZAÇÃO; FERROMAGNETISMO; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Applied Surface Science
- ISSN: 0169-4332
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 255, n. 3, p.709-711, Nov. 2008
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, v. No 2008, n. 3, p. 709-711, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015. Acesso em: 19 fev. 2026. -
APA
Rodrigues, S. C. P., Araújo, Y. R. V., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2008). The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, No 2008( 3), 709-711. doi:10.1016/j.apsusc.2008.07.015 -
NLM
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015 -
Vancouver
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015 - Strain effects on the (Si,Ge)Mn diluted ferromagnetic semiconductors
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.07.015 (Fonte: oaDOI API)
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