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Trabalho de evento
Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs (2024)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Conference titles: IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems - LASCAS. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. 2024, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2024. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2024). Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. In . Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Artigo de periodico
Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors (2024)
Colucci, Renan ; Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto
Source: Advanced Electronic Materials. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
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ABNT
COLUCCI, Renan e FEITOSA, Bianca de Andrade e FARIA, Gregório Couto. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, v. 10, n. 2, p. 2300235-1-2300235-8 + supporting information, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Colucci, R., Feitosa, B. de A., & Faria, G. C. (2024). Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, 10( 2), 2300235-1-2300235-8 + supporting information. doi:10.1002/aelm.202300235
NLM
Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235
Vancouver
Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235
Tese (Doutorado)
Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)
Souza, Adelcio Marques de; Romero, Murilo Araujo (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: NANOELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/
NLM
Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/
Vancouver
Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/
Tese (Doutorado)
Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (2024)
Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES, ELETROQUÍMICA
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ABNT
FEITOSA, Bianca de Andrade. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Feitosa, B. de A. (2024). Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/
NLM
Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/
Vancouver
Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/
Trabalho de evento-resumo
Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach (2023)
Feitosa, Bianca de Andrade; Torres, Bruno Bassi Millan ; Coutinho, Douglas José ; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), TRANSISTORES
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ABNT
FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Feitosa, B. de A., Torres, B. B. M., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2023). Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf
NLM
Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf
Vancouver
Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles (2023)
Feitosa, Bianca de Andrade; Torres, Bruno Bassi Millan ; Coutinho, Douglas José ; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
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ABNT
FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Feitosa, B. de A., Torres, B. B. M., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2023). Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf
NLM
Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf
Vancouver
Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf
Artigo de periodico
Distinctive behavior of field-effect and redox electrolyte-gated organic transistors (2023)
Coutinho, Douglas José ; Feitosa, Bianca de Andrade ; Barbosa, Henrique Frulani de Paula ; Colucci, Renan ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto
Source: Journal of Physical Chemistry C. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), TRANSISTORES
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ABNT
COUTINHO, Douglas José et al. Distinctive behavior of field-effect and redox electrolyte-gated organic transistors. Journal of Physical Chemistry C, v. 127, n. 50, p. 24443-24451 + supporting information: S1-S3, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c06261. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Coutinho, D. J., Feitosa, B. de A., Barbosa, H. F. de P., Colucci, R., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2023). Distinctive behavior of field-effect and redox electrolyte-gated organic transistors. Journal of Physical Chemistry C, 127( 50), 24443-24451 + supporting information: S1-S3. doi:10.1021/acs.jpcc.3c06261
NLM
Coutinho DJ, Feitosa B de A, Barbosa HF de P, Colucci R, Torres BBM, Faria GC. Distinctive behavior of field-effect and redox electrolyte-gated organic transistors [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2023 ; 127( 50): 24443-24451 + supporting information: S1-S3.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c06261
Vancouver
Coutinho DJ, Feitosa B de A, Barbosa HF de P, Colucci R, Torres BBM, Faria GC. Distinctive behavior of field-effect and redox electrolyte-gated organic transistors [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2023 ; 127( 50): 24443-24451 + supporting information: S1-S3.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c06261
Trabalho de evento-resumo
Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach (2022)
Torres, Bruno Bassi Millan ; Feitosa, Bianca de Andrade; Coutinho, Douglas José; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Bruno Bassi Millan et al. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach. 2022, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Torres, B. B. M., Feitosa, B. de A., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2022). Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf
NLM
Torres BBM, Feitosa B de A, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf
Vancouver
Torres BBM, Feitosa B de A, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics (2022)
Feitosa, Bianca de Andrade; Coutinho, Douglas José; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics. 2022, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1b69b32a-ce24-4b8e-a8cb-d3620e247b27/3098464.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Feitosa, B. de A., Coutinho, D. J., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2022). Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/1b69b32a-ce24-4b8e-a8cb-d3620e247b27/3098464.pdf
NLM
Feitosa B de A, Coutinho DJ, Torres BBM, Faria GC. Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1b69b32a-ce24-4b8e-a8cb-d3620e247b27/3098464.pdf
Vancouver
Feitosa B de A, Coutinho DJ, Torres BBM, Faria GC. Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1b69b32a-ce24-4b8e-a8cb-d3620e247b27/3098464.pdf
Artigo de periodico
Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications (2022)
Simoen, Eddy ; Coelho, Carlos Henrique Santos; Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Oliveira, Alberto; Cretu, Bogdan; Veloso, Anabela
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: EP, EESC
Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIMOEN, Eddy et al. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Simoen, E., Coelho, C. H. S., Silva, V. C. P. da, Martino, J. A., Agopian, P. G. D., Oliveira, A., et al. (2022). Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-9. doi:10.29292/jics.v17i2.617
NLM
Simoen E, Coelho CHS, Silva VCP da, Martino JA, Agopian PGD, Oliveira A, Cretu B, Veloso A. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617
Vancouver
Simoen E, Coelho CHS, Silva VCP da, Martino JA, Agopian PGD, Oliveira A, Cretu B, Veloso A. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617
Artigo de periodico
Organic transistors incorporating lipid monolayers for drug interaction studies (2020)
Cavassin, Priscila; Pappa, Anna-Maria; Pitsalidis, Charalampos; Barbosa, Henrique Frulani de Paula ; Colucci, Renan; Saez, Janire; Tuchman, Yaakov; Salleo, Alberto; Faria, Gregório Couto ; Owens, Róisín M.
Source: Advanced Materials Technologies. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: ANESTÉSICOS, LIDOCAÍNA, TRANSISTORES, MEMBRANAS (BIOLOGIA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVASSIN, Priscila et al. Organic transistors incorporating lipid monolayers for drug interaction studies. Advanced Materials Technologies, v. 5, n. 3, p. 1900680-1-1900680-5, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/admt.201900680. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cavassin, P., Pappa, A. -M., Pitsalidis, C., Barbosa, H. F. de P., Colucci, R., Saez, J., et al. (2020). Organic transistors incorporating lipid monolayers for drug interaction studies. Advanced Materials Technologies, 5( 3), 1900680-1-1900680-5. doi:10.1002/admt.201900680
NLM
Cavassin P, Pappa A-M, Pitsalidis C, Barbosa HF de P, Colucci R, Saez J, Tuchman Y, Salleo A, Faria GC, Owens RM. Organic transistors incorporating lipid monolayers for drug interaction studies [Internet]. Advanced Materials Technologies. 2020 ; 5( 3): 1900680-1-1900680-5.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1002/admt.201900680
Vancouver
Cavassin P, Pappa A-M, Pitsalidis C, Barbosa HF de P, Colucci R, Saez J, Tuchman Y, Salleo A, Faria GC, Owens RM. Organic transistors incorporating lipid monolayers for drug interaction studies [Internet]. Advanced Materials Technologies. 2020 ; 5( 3): 1900680-1-1900680-5.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1002/admt.201900680
Artigo de periodico
A Monolithic 32-Channel Front End and DSP ASIC for Gaseous Detectors (2020)
Acosta Hernandez, Raul ; Sanches, Bruno Cavalcante de Souza ; Carvalho, Dionisio de ; Bregant, Marco ; Ayala Pabón, Armando ; Weber, Tiago Oliveira ; Alarcon Cubas, Heiner Grover ; Martins, Tarciso Alvim ; Munhoz, Marcelo Gameiro ; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria
Source: IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. Unidades: EP, IF, EESC
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, FÍSICA DE PARTÍCULAS, COLISÕES DE ÍONS PESADOS RELATIVÍSTICOS, HÁDRONS, ACELERADOR DE PARTÍCULAS, TRANSISTORES, DETECÇÃO DE PARTÍCULAS, RESISTÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ACOSTA HERNANDEZ, Raul et al. A Monolithic 32-Channel Front End and DSP ASIC for Gaseous Detectors. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, v. 69, n. 6, p. 2686-2697, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TIM.2019.2931016. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Acosta Hernandez, R., Sanches, B. C. de S., Carvalho, D. de, Bregant, M., Ayala Pabón, A., Weber, T. O., et al. (2020). A Monolithic 32-Channel Front End and DSP ASIC for Gaseous Detectors. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 69( 6), 2686-2697. doi:10.1109/TIM.2019.2931016
NLM
Acosta Hernandez R, Sanches BC de S, Carvalho D de, Bregant M, Ayala Pabón A, Weber TO, Alarcon Cubas HG, Martins TA, Munhoz MG, Van Noije WAM. A Monolithic 32-Channel Front End and DSP ASIC for Gaseous Detectors [Internet]. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. 2020 ; 69( 6): 2686-2697.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TIM.2019.2931016
Vancouver
Acosta Hernandez R, Sanches BC de S, Carvalho D de, Bregant M, Ayala Pabón A, Weber TO, Alarcon Cubas HG, Martins TA, Munhoz MG, Van Noije WAM. A Monolithic 32-Channel Front End and DSP ASIC for Gaseous Detectors [Internet]. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. 2020 ; 69( 6): 2686-2697.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TIM.2019.2931016
Trabalho de evento-resumo
Biomimetic organic transistors for monitoring membrane-drug interactions (2019)
Cavassin, Priscila; Colucci, Renan; Barbosa, Henrique Frulani de Paula; Owens, Roisin; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVASSIN, Priscila et al. Biomimetic organic transistors for monitoring membrane-drug interactions. 2019, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2019. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cavassin, P., Colucci, R., Barbosa, H. F. de P., Owens, R., & Faria, G. C. (2019). Biomimetic organic transistors for monitoring membrane-drug interactions. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Cavassin P, Colucci R, Barbosa HF de P, Owens R, Faria GC. Biomimetic organic transistors for monitoring membrane-drug interactions. Program. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Cavassin P, Colucci R, Barbosa HF de P, Owens R, Faria GC. Biomimetic organic transistors for monitoring membrane-drug interactions. Program. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ]
Artigo de periodico
Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs (2019)
Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araújo
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araújo. Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 18, n. 1, p. 762-769, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2019.2926041. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Ragi, R., & Romero, M. A. (2019). Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 18( 1), 762-769. doi:10.1109/TNANO.2019.2926041
NLM
Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2019 ; 18( 1): 762-769.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2019.2926041
Vancouver
Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2019 ; 18( 1): 762-769.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2019.2926041
Dissertação (Mestrado)
Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (2019)
Matos, João Henrique Rocha; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: ELETRÔNICA, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATOS, João Henrique Rocha. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R. (2019). Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
NLM
Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
Vancouver
Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga (2018)
Gomes, Douglas José Correia; Miranda, Paulo Barbeitas (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: MICROSCOPIA, TRANSISTORES, ÓPTICA NÃO LINEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Douglas José Correia. Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga. 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-08082019-132336/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Gomes, D. J. C. (2018). Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-08082019-132336/
NLM
Gomes DJC. Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-08082019-132336/
Vancouver
Gomes DJC. Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-08082019-132336/
Trabalho de evento
Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates (2018)
Matos, João Henrique Rocha; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça
Source: Livro de resumos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATOS, João Henrique Rocha e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2018. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2018). Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918
NLM
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918
Vancouver
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918
Tese (Doutorado)
Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais (2016)
Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARDOSO, Lilian Soares. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S. (2016). Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/
NLM
Cardoso LS. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/
Vancouver
Cardoso LS. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/
Artigo de periodico
An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs (2016)
Ragi, Regiane; Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Duarte, Ulysses Rondina; Romero, Murilo Araújo
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: EESC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, MODELOS MATEMÁTICOS, MODELOS ANALÍTICOS, SEMICONDUTORES, NANOELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAGI, Regiane et al. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 15, n. 4, p. 627-634, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Ragi, R., Nobrega, R. V. T. da, Duarte, U. R., & Romero, M. A. (2016). An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 15( 4), 627-634. doi:10.1109/TNANO.2016.2567323
NLM
Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323
Vancouver
Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323
Trabalho de evento
A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation (2015)
Otremba, Liciane; Pesente, Jonas Roberto; Otto, Rodrigo Bueno; Ramos, Rodrigo Andrade
Conference titles: IEEE PES General Meeting. Unidade: EESC
Subjects: DISTRIBUIÇÃO DE ENERGIA ELÉTRICA, TRANSISTORES, ENERGIA ELÉTRICA (QUALIDADE)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OTREMBA, Liciane et al. A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation. 2015, Anais.. Piscataway, NJ: IEEE, 2015. Disponível em: https://doi.org/10.1109/PESGM.2015.7286379. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Otremba, L., Pesente, J. R., Otto, R. B., & Ramos, R. A. (2015). A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation. In . Piscataway, NJ: IEEE. doi:10.1109/PESGM.2015.7286379
NLM
Otremba L, Pesente JR, Otto RB, Ramos RA. A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation [Internet]. 2015 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/PESGM.2015.7286379
Vancouver
Otremba L, Pesente JR, Otto RB, Ramos RA. A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation [Internet]. 2015 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/PESGM.2015.7286379

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