Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (2019)
- Authors:
- Autor USP: MATOS, JOÃO HENRIQUE ROCHA - EESC
- Unidade: EESC
- Sigla do Departamento: SMM
- Subjects: ELETRÔNICA; CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO; TRANSISTORES
- Keywords: Eletrônica orgânica; Eletrônica impressa; Impressão por jato de tinta; TIPS pentaceno
- Language: Português
- Abstract: A área de eletrônica é hoje imprescindível a todos os setores da sociedade contemporânea. A Eletrônica Orgânica abriu um novo segmento tecnológico que tem um potencial extraordinário. Isso porque, uma vez que o processamento nessa área é por deposição de filmes finos a partir da solução de moléculas eletrônicas, as soluções são usadas como tintas e assim impressas por diferentes técnicas: roto gravura, flexografia, silk-screen, impressão por jato de tinta, etc. Também importante ressaltar que esta tecnologia permite uma produção, comparada a eletrônica inorgânica, com dispositivos mais baratos, com flexibilidade mecânica e baixo custo ecológico. Esta dissertação aborda o domínio da técnica de jato de tinta para a confecção de transistores orgânicos (OFETs) tipo p e tipo n em mesmo substrato como tecnologia preliminar na aplicação em um inversor lógico unipolar. Permitindo assim o aprimoramento do uso de OFETs em portas lógicas e na computação. Foi utilizada a arquitetura Botton Gate/Top Contact para a produção de p- e n-OFETs com deposição da camada semicondutora por técnica de impressão por jato de tinta. Para o p-OFET foi utilizado como material semicondutor o 6,13-(triisopropilsililetinil)pentaceno (TIPS pentaceno). O melhor p-OFET produzido neste trabalho obteve mobilidade da ordem '10 POT.-2' ('cm POT.2' * '(V * S)POT.-1') razão On/Off da ordem '10 POT.5'. Para o p-OFET foi utilizado como material semicondutor o Poli {[N,N'-bis(2-octildodecil)-naftaleno-1,4,5,8-bis(dicarboximida)-2,6-diil]- alt-5,5'-(2,2'-bitiofeno)]} (P(NDI20D-T2)), nome comercial N2200. O melhor n-OFET produzido neste trabalho obteve mobilidade da ordem '10 POT.3' ('cm POT.2' * '(V * s)POT.-1' e razão On/Off da ordem '10 POT.4'. Como resultados do trabalho foram produzidos dispositivos p- e n-OFET funcionais em mesmo substratos com porta comum
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2019
- Data da defesa: 26.02.2019
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ABNT
MATOS, João Henrique Rocha. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Matos, J. H. R. (2019). Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/ -
NLM
Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/ -
Vancouver
Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
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