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Dissertação (Mestrado)
Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, ALUMÍNIO
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ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
NLM
Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
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Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES
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SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
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Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
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Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)
Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)
Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA
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ABNT
LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
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Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
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Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
Dissertação (Mestrado)
Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. (2021)
Pires Junior, Jonas Haleplian; Zanetta Júnior, Luiz Cera (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: DISJUNTORES, TRANSISTORES, EQUIPAMENTOS ELÉTRICOS, ENERGIA ELÉTRICA
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ABNT
PIRES JUNIOR, Jonas Haleplian. Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-02072021-102536/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Pires Junior, J. H. (2021). Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-02072021-102536/
NLM
Pires Junior JH. Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-02072021-102536/
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Pires Junior JH. Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-02072021-102536/
Dissertação (Mestrado)
Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (2019)
Peixoto, José Augusto Padovese; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, SENSORES ÓPTICOS, TRANSISTORES
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ABNT
PEIXOTO, José Augusto Padovese. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Peixoto, J. A. P. (2019). Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
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Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
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Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
Dissertação (Mestrado)
Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (2019)
Matos, João Henrique Rocha; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Assuntos: ELETRÔNICA, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, TRANSISTORES
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MATOS, João Henrique Rocha. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R. (2019). Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
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Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
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Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (2018)
Torres, Henrique Lanza Faria; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
TORRES, Henrique Lanza Faria. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Torres, H. L. F. (2018). Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
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Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
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Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
Dissertação (Mestrado)
Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados (2018)
Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Vanessa Cristina Pereira da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Silva, V. C. P. da. (2018). Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/
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Silva VCP da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/
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Silva VCP da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/
Dissertação (Mestrado)
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
NLM
Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
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Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
Dissertação (Mestrado)
Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme (2018)
Lima, Thiago Melo de; Costa, Eduardo Coelho Marques da (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: DESCARGA ATMOSFÉRICA, CONVERSORES ELÉTRICOS, TRANSISTORES, TRANSPORTE DE ENERGIA, TRANSMISSÃO DE ENERGIA ELÉTRICA
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ABNT
LIMA, Thiago Melo de. Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06022019-110448/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Lima, T. M. de. (2018). Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06022019-110448/
NLM
Lima TM de. Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06022019-110448/
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Lima TM de. Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06022019-110448/
Dissertação (Mestrado)
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (2018)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2018). Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
NLM
Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
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Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
Dissertação (Mestrado)
Fault location in transmission lines using time-domain equations (2018)
Pino, Gabriel; Manassero Junior, Giovanni (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: LINHAS DE TRANSMISSÃO DE ENERGIA ELÉTRICA, TRANSISTORES, IMPEDÂNCIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PINO, Gabriel. Fault location in transmission lines using time-domain equations. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-28082018-133153/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Pino, G. (2018). Fault location in transmission lines using time-domain equations (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-28082018-133153/
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Pino G. Fault location in transmission lines using time-domain equations [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-28082018-133153/
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Pino G. Fault location in transmission lines using time-domain equations [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-28082018-133153/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
NLM
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
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Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Dissertação (Mestrado)
Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (2017)
Caparroz, Luís Felipe Vicentis; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador); Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, BAIXA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Caparroz, L. F. V. (2017). Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
NLM
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Vancouver
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (2016)
Bertoldo, Marcelo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
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BERTOLDO, Marcelo. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Bertoldo, M. (2016). Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
NLM
Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
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Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados (2014)
Teixeira, Fernando Ferrari; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: RADIAÇÃO (CALOR), RADIOGRAFIA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TEIXEIRA, Fernando Ferrari. Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Teixeira, F. F. (2014). Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/
NLM
Teixeira FF. Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/
Vancouver
Teixeira FF. Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/
Dissertação (Mestrado)
Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (2013)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, MEMÓRIA RAM
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A. (2013). Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
NLM
Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
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Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de amplificadores de baixo ruído usando algoritmos metaheurísticos (2013)
Vera Casañas, César William; Soares Júnior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EESC
Assuntos: ALGORITMOS GENÉTICOS, TRANSISTORES, RECOZIMENTO (SIMULAÇÃO)
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ABNT
VERA CASAÑAS, César William. Projeto de amplificadores de baixo ruído usando algoritmos metaheurísticos. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-18072013-111332/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Vera Casañas, C. W. (2013). Projeto de amplificadores de baixo ruído usando algoritmos metaheurísticos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-18072013-111332/
NLM
Vera Casañas CW. Projeto de amplificadores de baixo ruído usando algoritmos metaheurísticos [Internet]. 2013 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-18072013-111332/
Vancouver
Vera Casañas CW. Projeto de amplificadores de baixo ruído usando algoritmos metaheurísticos [Internet]. 2013 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-18072013-111332/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (2012)
Martino, Márcio Dalla Valle; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2012). Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
NLM
Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
Vancouver
Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/

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