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Trabalho de evento-resumo
P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy (2014)
Motti, Silvia Genaro; Miranda, Paulo Barbeitas; Alexandre de Castro Maciel; Faria, Roberto Mendonça
Fonte: Program Book. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
MOTTI, Silvia Genaro et al. P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy. 2014, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2014. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Motti, S. G., Miranda, P. B., Alexandre de Castro Maciel,, & Faria, R. M. (2014). P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Motti SG, Miranda PB, Alexandre de Castro Maciel, Faria RM. P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Motti SG, Miranda PB, Alexandre de Castro Maciel, Faria RM. P3HT field effect transistors studied by SFG spectroscopy. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors (2014)
Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça ; Stefanelo, Josiani Cristina
Fonte: Program Book. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
CARDOSO, Lilian Soares e FARIA, Roberto Mendonça e STEFANELO, Josiani Cristina. Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. 2014, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2014. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S., Faria, R. M., & Stefanelo, J. C. (2014). Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Cardoso LS, Faria RM, Stefanelo JC. Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Cardoso LS, Faria RM, Stefanelo JC. Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Dissertação (Mestrado)
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
NLM
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Vancouver
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Tese (Doutorado)
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (2014)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D). 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2014). Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
NLM
Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
Vancouver
Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
Trabalho de evento-resumo
Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono (2014)
Kirch, Alexsandro; Lima, M. P.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Fonte: SBF. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
KIRCH, Alexsandro et al. Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Kirch, A., Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2014). Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
NLM
Kirch A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Vancouver
Kirch A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA (2014)
Faria, Roberto Mendonça ; Maciel, Alexandre Castro
Fonte: Program. Nome do evento: Materials Reseach Society Spring Meeting and Exhibit. Unidade: IFSC
Assuntos: DIELÉTRICOS, FILMES FINOS, TRANSISTORES
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ABNT
FARIA, Roberto Mendonça e MACIEL, Alexandre Castro. Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA. 2014, Anais.. Warrendale: Materials Research Society - MRS, 2014. Disponível em: http://www.mrs.org/spring-2014-program-ff. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Faria, R. M., & Maciel, A. C. (2014). Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA. In Program. Warrendale: Materials Research Society - MRS. Recuperado de http://www.mrs.org/spring-2014-program-ff
NLM
Faria RM, Maciel AC. Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA [Internet]. Program. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.mrs.org/spring-2014-program-ff
Vancouver
Faria RM, Maciel AC. Theoretical and experimental study of bottom-gate OFETs using P3HT and PMMA [Internet]. Program. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.mrs.org/spring-2014-program-ff
Trabalho de evento-resumo
Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network (2014)
Nagashima, Haroldo Naoyuki; Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça
Fonte: Program Book. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS
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ABNT
NAGASHIMA, Haroldo Naoyuki e CARDOSO, Lilian Soares e FARIA, Roberto Mendonça. Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network. 2014, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2014. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Nagashima, H. N., Cardoso, L. S., & Faria, R. M. (2014). Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Nagashima HN, Cardoso LS, Faria RM. Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Nagashima HN, Cardoso LS, Faria RM. Charge transport mechanism in P3HT:PCBM blend based on a random resistor network. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Artigo de periodico
Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time (2014)
Nissimoff, Albert; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Veloso, Anabela; Witters, Liesbeth J.; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: IEEE Electron Device Letters. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MODELOS MATEMÁTICOS, CAPACITORES
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ABNT
NISSIMOFF, Albert et al. Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time. IEEE Electron Device Letters, v. 35, n. 6, p. 639-641, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/led.2014.2319094. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Nissimoff, A., Martino, J. A., Aoulaiche, M., Veloso, A., Witters, L. J., Simoen, E., & Claeys, C. (2014). Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time. IEEE Electron Device Letters, 35( 6), 639-641. doi:10.1109/led.2014.2319094
NLM
Nissimoff A, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Witters LJ, Simoen E, Claeys C. Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2014 ; 35( 6): 639-641.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2014.2319094
Vancouver
Nissimoff A, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Witters LJ, Simoen E, Claeys C. Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2014 ; 35( 6): 639-641.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2014.2319094
Trabalho de evento
A novel low cost power converter topology for active power injection in low voltage monophasic power line from fuel cells (2014)
Monteiro, José Roberto Boffino de Almeida; Aguiar, Manoel Luis de; Paula, Geyverson Teixeira de; Oliveira Júnior, Azauri Albano de; Gonçalves Neto, Luiz; Altafim, Ruy Alberto Corrêa
Nome do evento: Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC. Unidade: EESC
Assuntos: CONVERSORES ELÉTRICOS, TRANSISTORES
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ABNT
MONTEIRO, José Roberto Boffino de Almeida et al. A novel low cost power converter topology for active power injection in low voltage monophasic power line from fuel cells. 2014, Anais.. Piscataway: IEEE, 2014. Disponível em: https://doi.org/10.1109/APEC.2014.6803755. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Monteiro, J. R. B. de A., Aguiar, M. L. de, Paula, G. T. de, Oliveira Júnior, A. A. de, Gonçalves Neto, L., & Altafim, R. A. C. (2014). A novel low cost power converter topology for active power injection in low voltage monophasic power line from fuel cells. In . Piscataway: IEEE. doi:10.1109/APEC.2014.6803755
NLM
Monteiro JRB de A, Aguiar ML de, Paula GT de, Oliveira Júnior AA de, Gonçalves Neto L, Altafim RAC. A novel low cost power converter topology for active power injection in low voltage monophasic power line from fuel cells [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/APEC.2014.6803755
Vancouver
Monteiro JRB de A, Aguiar ML de, Paula GT de, Oliveira Júnior AA de, Gonçalves Neto L, Altafim RAC. A novel low cost power converter topology for active power injection in low voltage monophasic power line from fuel cells [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/APEC.2014.6803755
Trabalho de evento-resumo
P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis (2014)
Cardoso, L. S.; Stefanelo, J. C.; Faria, Roberto Mendonça
Fonte: Poster Presentation Abstracts. Nome do evento: Workshop of the National Institute for Organic Electronics. Unidade: IFSC
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARDOSO, L. S. e STEFANELO, J. C. e FARIA, Roberto Mendonça. P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. 2014, Anais.. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO, 2014. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2014). P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. In Poster Presentation Abstracts. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO.
NLM
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Tese (Doutorado)
Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta (2014)
Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, IMPRESSÃO, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STEFANELO, Josiani Cristina. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta. 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Stefanelo, J. C. (2014). Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/
NLM
Stefanelo JC. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/
Vancouver
Stefanelo JC. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/
Tese (Doutorado)
Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores (2014)
Cavallari, Marco Roberto ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, LITOGRAFIA (PROCESSOS DE IMPRESSÃO), SENSOR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto. Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores. 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cavallari, M. R. (2014). Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/
NLM
Cavallari MR. Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/
Vancouver
Cavallari MR. Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/
Trabalho de evento-resumo
Electronic nose based on poly(3-hexylthiophene) thin-film transistors and chemical sensors for medical diagnosis (2014)
Cavallari, Marco Roberto ; Zanchin, Vinicius Ramos; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Valle, Márcio de Almeida; Rodriguez, Eduardo Martin; Braga, Guilherme de Souza; Gonzalez Rodriguez, Estrella F; Dirani, Ely Antonio Tadeu ; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Fonseca, Fernando Josepetti
Fonte: Program Book. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidades: EP, IFSC
Assuntos: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. Electronic nose based on poly(3-hexylthiophene) thin-film transistors and chemical sensors for medical diagnosis. 2014, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2014. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cavallari, M. R., Zanchin, V. R., Eirez Izquierdo, J. E., Valle, M. de A., Rodriguez, E. M., Braga, G. de S., et al. (2014). Electronic nose based on poly(3-hexylthiophene) thin-film transistors and chemical sensors for medical diagnosis. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Cavallari MR, Zanchin VR, Eirez Izquierdo JE, Valle M de A, Rodriguez EM, Braga G de S, Gonzalez Rodriguez EF, Dirani EAT, Silva M de AP da, Fonseca FJ. Electronic nose based on poly(3-hexylthiophene) thin-film transistors and chemical sensors for medical diagnosis. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Cavallari MR, Zanchin VR, Eirez Izquierdo JE, Valle M de A, Rodriguez EM, Braga G de S, Gonzalez Rodriguez EF, Dirani EAT, Silva M de AP da, Fonseca FJ. Electronic nose based on poly(3-hexylthiophene) thin-film transistors and chemical sensors for medical diagnosis. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Artigo de periodico
Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications (2014)
Sasaki, Karen Lucia Mayumi; Nicoletti, Talitha; Almeida, L M; Santos, Sara Dereste dos; Nissimoff, Albert; Aoulaiche, Marc; Martino, João Antonio
Fonte: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Karen Lucia Mayumi et al. Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications. Solid-State Electronics, v. 97, p. 30-37, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.031. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Sasaki, K. L. M., Nicoletti, T., Almeida, L. M., Santos, S. D. dos, Nissimoff, A., Aoulaiche, M., & Martino, J. A. (2014). Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications. Solid-State Electronics, 97, 30-37. doi:10.1016/j.sse.2014.04.031
NLM
Sasaki KLM, Nicoletti T, Almeida LM, Santos SD dos, Nissimoff A, Aoulaiche M, Martino JA. Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ;97 30-37.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.031
Vancouver
Sasaki KLM, Nicoletti T, Almeida LM, Santos SD dos, Nissimoff A, Aoulaiche M, Martino JA. Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ;97 30-37.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.031
Trabalho de evento-resumo
Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors (2014)
Stefanelo, J. C.; Cardoso, L. S.; Faria, Roberto Mendonça
Fonte: Poster Presentation Abstracts. Nome do evento: Workshop of the National Institute for Organic Electronics. Unidade: IFSC
Assuntos: TRANSISTORES, FILMES FINOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STEFANELO, J. C. e CARDOSO, L. S. e FARIA, Roberto Mendonça. Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors. 2014, Anais.. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO, 2014. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Stefanelo, J. C., Cardoso, L. S., & Faria, R. M. (2014). Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors. In Poster Presentation Abstracts. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO.
NLM
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. Application of the inkjet printing technique to fabricate n-channel organic field-effect transistors. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Microscopy of the polymer-dielectric interface of OFETs by sum-frequency generation (SFG) (2014)
Oiticica, P. R. A.; Miranda, Paulo Barbeitas
Fonte: Poster Presentation Abstracts. Nome do evento: Workshop of the National Institute for Organic Electronics. Unidade: IFSC
Assuntos: DIELÉTRICOS, TRANSISTORES, ÓPTICA NÃO LINEAR, MICROSCÓPIO ÓTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OITICICA, P. R. A. e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Microscopy of the polymer-dielectric interface of OFETs by sum-frequency generation (SFG). 2014, Anais.. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO, 2014. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Oiticica, P. R. A., & Miranda, P. B. (2014). Microscopy of the polymer-dielectric interface of OFETs by sum-frequency generation (SFG). In Poster Presentation Abstracts. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO.
NLM
Oiticica PRA, Miranda PB. Microscopy of the polymer-dielectric interface of OFETs by sum-frequency generation (SFG). Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Oiticica PRA, Miranda PB. Microscopy of the polymer-dielectric interface of OFETs by sum-frequency generation (SFG). Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ]
Artigo de periodico
Molds and resists studies for nanoimprint lithography of electrodes in low-voltage polymer thin-film transistors (2014)
Cavallari, Marco Roberto ; Zanchin, Vinicius Ramos; Pojar, Mariana ; Seabra, Antonio Carlos ; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Fonte: Journal of Electronic Materials. Unidades: EP, IFSC, IEE
Assuntos: FILMES FINOS, TRANSISTORES, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. Molds and resists studies for nanoimprint lithography of electrodes in low-voltage polymer thin-film transistors. Journal of Electronic Materials, v. 43, n. 5, p. 1317-1325, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s11664-014-3071-z. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cavallari, M. R., Zanchin, V. R., Pojar, M., Seabra, A. C., Silva, M. de A. P. da, Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2014). Molds and resists studies for nanoimprint lithography of electrodes in low-voltage polymer thin-film transistors. Journal of Electronic Materials, 43( 5), 1317-1325. doi:10.1007/s11664-014-3071-z
NLM
Cavallari MR, Zanchin VR, Pojar M, Seabra AC, Silva M de AP da, Fonseca FJ, Andrade AM de. Molds and resists studies for nanoimprint lithography of electrodes in low-voltage polymer thin-film transistors [Internet]. Journal of Electronic Materials. 2014 ; 43( 5): 1317-1325.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s11664-014-3071-z
Vancouver
Cavallari MR, Zanchin VR, Pojar M, Seabra AC, Silva M de AP da, Fonseca FJ, Andrade AM de. Molds and resists studies for nanoimprint lithography of electrodes in low-voltage polymer thin-film transistors [Internet]. Journal of Electronic Materials. 2014 ; 43( 5): 1317-1325.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s11664-014-3071-z

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