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  • Artigo de periodico

    Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications (2023)

    Silva, V C P; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, V C P et al. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Silva, V. C. P., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2023). Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2023.108729

    • NLM

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

    • Vancouver

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TEMPERATURA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Trabalho de evento

    Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K (2022)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881049. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881049

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Agopian PGD. Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881049

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Agopian PGD. Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881049

  • Artigo de periodico

    Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications (2022)

    Simoen, Eddy ; Coelho, Carlos Henrique Santos; Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Oliveira, Alberto; Cretu, Bogdan; Veloso, Anabela

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: EP, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, TEMPERATURA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SIMOEN, Eddy et al. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Simoen, E., Coelho, C. H. S., Silva, V. C. P. da, Martino, J. A., Agopian, P. G. D., Oliveira, A., et al. (2022). Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-9. doi:10.29292/jics.v17i2.617

    • NLM

      Simoen E, Coelho CHS, Silva VCP da, Martino JA, Agopian PGD, Oliveira A, Cretu B, Veloso A. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617

    • Vancouver

      Simoen E, Coelho CHS, Silva VCP da, Martino JA, Agopian PGD, Oliveira A, Cretu B, Veloso A. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617

  • Tese (Doutorado)

    Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)

    Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Bordallo, C. C. M. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/

    • NLM

      Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/

    • Vancouver

      Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)

    Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/

    • NLM

      Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/

    • Vancouver

      Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/

  • Artigo de periodico

    Temperature dependence of the drift mobility of poly(9,9'-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)-based thin-films devices (2011)

    Faria, Gregório Couto ; Faria, Roberto Mendonça ; Azevêdo, Eduardo Ribeiro de ; Seggern, H.

    Source: Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IFSC

    Subjects: FILMES FINOS, TEMPERATURA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FARIA, Gregório Couto et al. Temperature dependence of the drift mobility of poly(9,9'-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)-based thin-films devices. Journal of Physical Chemistry C, v. 115, n. 51, p. 25479-25483, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/mrc.2653. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Faria, G. C., Faria, R. M., Azevêdo, E. R. de, & Seggern, H. (2011). Temperature dependence of the drift mobility of poly(9,9'-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)-based thin-films devices. Journal of Physical Chemistry C, 115( 51), 25479-25483. doi:10.1002/mrc.2653

    • NLM

      Faria GC, Faria RM, Azevêdo ER de, Seggern H. Temperature dependence of the drift mobility of poly(9,9'-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)-based thin-films devices [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2011 ; 115( 51): 25479-25483.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1002/mrc.2653

    • Vancouver

      Faria GC, Faria RM, Azevêdo ER de, Seggern H. Temperature dependence of the drift mobility of poly(9,9'-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)-based thin-films devices [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2011 ; 115( 51): 25479-25483.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1002/mrc.2653
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