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  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Trabalho de evento

    Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

  • Trabalho de evento

    Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • NLM

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • Vancouver

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

  • Artigo de periodico

    MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f

    • NLM

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

    • Vancouver

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

  • Trabalho de evento-resumo

    Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage (2023)

    Seidel, Keli Fabiana; Lucas Junior, Hélio José; Patrzyk, Jéssica Nayara; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, FÍSICA TEÓRICA

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    • ABNT

      SEIDEL, Keli Fabiana et al. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Seidel, K. F., Lucas Junior, H. J., Patrzyk, J. N., Luginieski, M., & Serbena, J. P. M. (2023). Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • NLM

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • Vancouver

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally (2023)

    Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA

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    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., & Faria, G. C. (2023). Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Faria GC. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Faria GC. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • NLM

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • Vancouver

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

  • Trabalho de evento-resumo

    Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors (2022)

    Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA

    Versão PublicadaHow to cite
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    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., & Faria, G. C. (2022). Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

  • Tese (Doutorado)

    Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (2021)

    Eirez Izquierdo, José Enrique ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      EIREZ IZQUIERDO, José Enrique. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Eirez Izquierdo, J. E. (2021). Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

    • NLM

      Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

    • Vancouver

      Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

  • Trabalho de evento-resumo

    Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices (2021)

    Unigarro, Andres David Peña; Günther, Florian Steffen ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), NANOELETRÔNICA

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      UNIGARRO, Andres David Peña e GÜNTHER, Florian Steffen e FARIA, Gregório Couto. Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6906c38-f8b0-4118-8bde-fd5a7cec6d8d/3056070.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Unigarro, A. D. P., Günther, F. S., & Faria, G. C. (2021). Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6906c38-f8b0-4118-8bde-fd5a7cec6d8d/3056070.pdf

    • NLM

      Unigarro ADP, Günther FS, Faria GC. Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6906c38-f8b0-4118-8bde-fd5a7cec6d8d/3056070.pdf

    • Vancouver

      Unigarro ADP, Günther FS, Faria GC. Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6906c38-f8b0-4118-8bde-fd5a7cec6d8d/3056070.pdf

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)

    Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • NLM

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • Vancouver

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

  • Artigo de periodico

    Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak (2020)

    Santos, A. O.; Komatsu, Wilson ; Canal, Gustavo Paganini ; Severo, Jose Helder F. ; Sá, W. P. de; Kassab Junior, Fuad ; Ferreira, J. G.; Andrade, M. C. R. de; Piqueira, José Roberto Castilho ; Nascimento, Ivan Cunha ; Galvão, R. M. O.

    Source: Fusion Engineering and Design. Unidades: EP, IF

    Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, FUSÃO NUCLEAR, TOKAMAKS, ELETRÔNICA DE POTÊNCIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, BOBINAS ELÉTRICAS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, A. O. et al. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, v. 159, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Santos, A. O., Komatsu, W., Canal, G. P., Severo, J. H. F., Sá, W. P. de, Kassab Junior, F., et al. (2020). Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, 159. doi:10.1016/j.fusengdes.2020.111698

    • NLM

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698

    • Vancouver

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698

  • Artigo de periodico

    Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)

    García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP

    Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170

    • NLM

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170

    • Vancouver

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170

  • Trabalho de evento-resumo

    Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors (2018)

    Cavassin, Priscila; Faria, Gregório Couto

    Source: Abstracts. Conference titles: Materials Research Society Fall Meeting and Exhibit. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      CAVASSIN, Priscila e FARIA, Gregório Couto. Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors. 2018, Anais.. Warrendale: Materials Research Society - MRS, 2018. Disponível em: https://www.mrs.org/technical-programs/programs_abstracts/2018_mrs_fall_meeting/bm07/bm07_05_113/bm07_05_11_157. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Cavassin, P., & Faria, G. C. (2018). Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors. In Abstracts. Warrendale: Materials Research Society - MRS. Recuperado de https://www.mrs.org/technical-programs/programs_abstracts/2018_mrs_fall_meeting/bm07/bm07_05_113/bm07_05_11_157

    • NLM

      Cavassin P, Faria GC. Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors [Internet]. Abstracts. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.mrs.org/technical-programs/programs_abstracts/2018_mrs_fall_meeting/bm07/bm07_05_113/bm07_05_11_157

    • Vancouver

      Cavassin P, Faria GC. Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors [Internet]. Abstracts. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.mrs.org/technical-programs/programs_abstracts/2018_mrs_fall_meeting/bm07/bm07_05_113/bm07_05_11_157

  • Artigo de periodico

    A pattern recognition approach to transistor array parameter variance (2018)

    Costa, Luciano da Fontoura ; Silva, Filipi N.; Comin, Cesar H.

    Source: Physica A. Unidade: IFSC

    Subjects: RECONHECIMENTO DE PADRÕES, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      COSTA, Luciano da Fontoura e SILVA, Filipi N. e COMIN, Cesar H. A pattern recognition approach to transistor array parameter variance. Physica A, v. 499, n. Ju 2018, p. 176-185, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physa.2018.02.011. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Costa, L. da F., Silva, F. N., & Comin, C. H. (2018). A pattern recognition approach to transistor array parameter variance. Physica A, 499( Ju 2018), 176-185. doi:10.1016/j.physa.2018.02.011

    • NLM

      Costa L da F, Silva FN, Comin CH. A pattern recognition approach to transistor array parameter variance [Internet]. Physica A. 2018 ; 499( Ju 2018): 176-185.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physa.2018.02.011

    • Vancouver

      Costa L da F, Silva FN, Comin CH. A pattern recognition approach to transistor array parameter variance [Internet]. Physica A. 2018 ; 499( Ju 2018): 176-185.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physa.2018.02.011

  • Trabalho de evento-resumo

    Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics (2018)

    Colucci, Renan; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      COLUCCI, Renan e FARIA, Gregório Couto. Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics. 2018, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018. Disponível em: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FEW. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Colucci, R., & Faria, G. C. (2018). Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FEW

    • NLM

      Colucci R, Faria GC. Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics [Internet]. Program. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FEW

    • Vancouver

      Colucci R, Faria GC. Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics [Internet]. Program. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FEW

  • Artigo de periodico

    Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics (2018)

    Costa, Luciano da Fontoura ; Silva, Filipi N.; Comin, Cesar H.

    Source: Electrical Engineering. Unidade: IFSC

    Subjects: RECONHECIMENTO DE PADRÕES, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      COSTA, Luciano da Fontoura e SILVA, Filipi N. e COMIN, Cesar H. Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics. Electrical Engineering, v. 100, n. 2, p. 1159-1181, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s00202-017-0573-8. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Costa, L. da F., Silva, F. N., & Comin, C. H. (2018). Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics. Electrical Engineering, 100( 2), 1159-1181. doi:10.1007/s00202-017-0573-8

    • NLM

      Costa L da F, Silva FN, Comin CH. Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics [Internet]. Electrical Engineering. 2018 ; 100( 2): 1159-1181.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00202-017-0573-8

    • Vancouver

      Costa L da F, Silva FN, Comin CH. Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics [Internet]. Electrical Engineering. 2018 ; 100( 2): 1159-1181.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00202-017-0573-8

  • Trabalho de evento

    Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates (2018)

    Matos, João Henrique Rocha; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça

    Source: Livro de resumos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MATOS, João Henrique Rocha e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2018. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2018). Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918

    • NLM

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918

    • Vancouver

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918

  • Trabalho de evento

    Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates (2017)

    Matos, J. H. R.; Stefanelo, J. C.; Faria, Roberto Mendonça

    Source: Anais eletrônicos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MATOS, J. H. R. e STEFANELO, J. C. e FARIA, Roberto Mendonça. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2017. Disponível em: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2017). Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. In Anais eletrônicos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469

    • NLM

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469

    • Vancouver

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)

    Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • NLM

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • Vancouver

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

1 - 20 (52 records)

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