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Dissertação (Mestrado)
Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)
Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
NLM
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)
Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA
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ABNT
LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
NLM
Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
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Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
Tese (Doutorado)
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
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Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
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Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)
Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
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ABNT
GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
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Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
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Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
Dissertação (Mestrado)
Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (2019)
Peixoto, José Augusto Padovese; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SENSORES ÓPTICOS, TRANSISTORES
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ABNT
PEIXOTO, José Augusto Padovese. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Peixoto, J. A. P. (2019). Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
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Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
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Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
Dissertação (Mestrado)
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
NLM
Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
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Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
Dissertação (Mestrado)
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (2018)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2018). Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
NLM
Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
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Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
Tese (Doutorado)
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
NLM
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Vancouver
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
NLM
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
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Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (2016)
Bertoldo, Marcelo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERTOLDO, Marcelo. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Bertoldo, M. (2016). Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
NLM
Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
Vancouver
Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (2016)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A. (2016). Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
NLM
Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
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Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
Dissertação (Mestrado)
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
NLM
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Vancouver
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Tese (Doutorado)
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (2014)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D). 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2014). Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
NLM
Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
Vancouver
Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
Dissertação (Mestrado)
Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (2013)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, MEMÓRIA RAM
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A. (2013). Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
NLM
Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
Vancouver
Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória (2013)
Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MEMÓRIA RAM, MICROELETRÔNICA
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ABNT
NICOLETTI, Talitha. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Nicoletti, T. (2013). Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/
NLM
Nicoletti T. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória [Internet]. 2013 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/
Vancouver
Nicoletti T. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória [Internet]. 2013 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (2012)
Martino, Márcio Dalla Valle; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2012). Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
NLM
Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
Vancouver
Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
Tese (Doutorado)
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (2012)
Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MEMÓRIA RAM, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO
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ABNT
ALMEIDA, Luciano Mendes. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Almeida, L. M. (2012). Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
NLM
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Vancouver
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Dissertação (Mestrado)
Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado (2011)
Pacheco, Vinicius Heltai; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
PACHECO, Vinicius Heltai. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. 2011. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Pacheco, V. H. (2011). Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/
NLM
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/
Vancouver
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/
Tese (Doutorado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (2011)
Camillo, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
CAMILLO, Luciano Mendes. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Camillo, L. M. (2011). Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
NLM
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Vancouver
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/

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