ReP USP - Resultado da busca

Curadoria
Workshop do INEO (2023)
Faria, Gregório Couto (cur) ; Caldas, Marilia Junqueira (cur) ; Faria, Roberto Mendonça (cur)
Unidades: IFSC, IF
Subjects: ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), PESQUISA CIENTÍFICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Workshop do INEO. . São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO. . Acesso em: 28 nov. 2025. , 2023
APA
Workshop do INEO. (2023). Workshop do INEO. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO.
NLM
Workshop do INEO. 2023 ;[citado 2025 nov. 28 ]
Vancouver
Workshop do INEO. 2023 ;[citado 2025 nov. 28 ]
Artigo de periodico
Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells (2014)
Gomez Armas, Luis Enrique ; Seabra, Antonio Carlos ; Silva, E C F; Duarte, C A; Pagnossin, Ivan Ramos; Quivy, Alain André ; Menezes, J. W; Jacinto, Carlos; Gusev, Gennady
Source: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. Unidades: EP, IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMEZ ARMAS, Luis Enrique et al. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, v. 61, p. 158-166, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Gomez Armas, L. E., Seabra, A. C., Silva, E. C. F., Duarte, C. A., Pagnossin, I. R., Quivy, A. A., et al. (2014). Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 61, 158-166. doi:10.1016/j.physe.2014.04.001
NLM
Gomez Armas LE, Seabra AC, Silva ECF, Duarte CA, Pagnossin IR, Quivy AA, Menezes JW, Jacinto C, Gusev G. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2014 ; 61 158-166.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001
Vancouver
Gomez Armas LE, Seabra AC, Silva ECF, Duarte CA, Pagnossin IR, Quivy AA, Menezes JW, Jacinto C, Gusev G. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2014 ; 61 158-166.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001
Trabalho de evento-resumo
Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates (2011)
Pontes, Renato Borges; Silva, Antônio J R da; Fazzio, Adalberto ; Padilha, José Eduardo
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PONTES, Renato Borges et al. Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1173-1.pdf. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Pontes, R. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Padilha, J. E. (2011). Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1173-1.pdf
NLM
Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A, Padilha JE. Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1173-1.pdf
Vancouver
Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A, Padilha JE. Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1173-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations (2011)
Fazzio, Adalberto ; Lima, Matheus P; Pontes, Renato Borges; Padilha, José Eduardo; Silva, Antônio Jose Roque da
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3062-1.pdf. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Fazzio, A., Lima, M. P., Pontes, R. B., Padilha, J. E., & Silva, A. J. R. da. (2011). Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3062-1.pdf
NLM
Fazzio A, Lima MP, Pontes RB, Padilha JE, Silva AJR da. Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3062-1.pdf
Vancouver
Fazzio A, Lima MP, Pontes RB, Padilha JE, Silva AJR da. Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3062-1.pdf
Artigo de periodico
Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes (2011)
Menezes, Vivian M de; Rocha, Alexandre R; Zanella, Ivana; Mota, Ronaldo; Fazzio, Adalberto ; Fagan, Solange B
Source: Chemical Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MENEZES, Vivian M de et al. Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes. Chemical Physics Letters, v. 506, p. 233-238, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2011.03.015. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Menezes, V. M. de, Rocha, A. R., Zanella, I., Mota, R., Fazzio, A., & Fagan, S. B. (2011). Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes. Chemical Physics Letters, 506, 233-238. doi:10.1016/j.cplett.2011.03.015
NLM
Menezes VM de, Rocha AR, Zanella I, Mota R, Fazzio A, Fagan SB. Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes [Internet]. Chemical Physics Letters. 2011 ;506 233-238.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2011.03.015
Vancouver
Menezes VM de, Rocha AR, Zanella I, Mota R, Fazzio A, Fagan SB. Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes [Internet]. Chemical Physics Letters. 2011 ;506 233-238.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2011.03.015
Trabalho de evento-resumo
Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics (2010)
Rocha, Alexandre Reily; Martins, Thiago Barros; Almeida, James; Souza, Amaury de Melo; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumo. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROCHA, Alexandre Reily et al. Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics. 2010, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, 2010. Disponível em: http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/H632.pdf. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Rocha, A. R., Martins, T. B., Almeida, J., Souza, A. de M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2010). Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics. In Resumo. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Recuperado de http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/H632.pdf
NLM
Rocha AR, Martins TB, Almeida J, Souza A de M, Fazzio A, Silva AJR da. Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2025 nov. 28 ] Available from: http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/H632.pdf
Vancouver
Rocha AR, Martins TB, Almeida J, Souza A de M, Fazzio A, Silva AJR da. Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2025 nov. 28 ] Available from: http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/H632.pdf
Trabalho de evento
Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? (2009)
Caldas, Marilia Junqueira
Source: Colóquio. Conference titles: Convite à Física. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira. Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? 2009, Anais.. São Paulo: DFM-IFUSP, 2009. Disponível em: http://fma.if.usp.br/convite/ConvitesHTML/todososconvites/2009-09-02.html. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Caldas, M. J. (2009). Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? In Colóquio. São Paulo: DFM-IFUSP. Recuperado de http://fma.if.usp.br/convite/ConvitesHTML/todososconvites/2009-09-02.html
NLM
Caldas MJ. Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? [Internet]. Colóquio. 2009 ;[citado 2025 nov. 28 ] Available from: http://fma.if.usp.br/convite/ConvitesHTML/todososconvites/2009-09-02.html
Vancouver
Caldas MJ. Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? [Internet]. Colóquio. 2009 ;[citado 2025 nov. 28 ] Available from: http://fma.if.usp.br/convite/ConvitesHTML/todososconvites/2009-09-02.html
Artigo de periodico
Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy (1997)
Souza, P. L.; Yavich, B; Pamplona-Pires, M; Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, P. L. et al. Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 82, n. 4, p. 1700-1705, 1997Tradução . . Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Souza, P. L., Yavich, B., Pamplona-Pires, M., Henriques, A. B., & Gonçalves, L. C. D. (1997). Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 82( 4), 1700-1705.
NLM
Souza PL, Yavich B, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 4): 1700-1705.[citado 2025 nov. 28 ]
Vancouver
Souza PL, Yavich B, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 4): 1700-1705.[citado 2025 nov. 28 ]
Artigo de periodico
Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems (1989)
Agostinho Neto, A; Ferreira, L G
Source: Physical Review a. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGOSTINHO NETO, A e FERREIRA, L G. Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems. Physical Review a, v. 39, n. 10, p. 4978-82, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physreva.39.4978. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Agostinho Neto, A., & Ferreira, L. G. (1989). Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems. Physical Review a, 39( 10), 4978-82. doi:10.1103/physreva.39.4978
NLM
Agostinho Neto A, Ferreira LG. Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems [Internet]. Physical Review a. 1989 ;39( 10): 4978-82.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreva.39.4978
Vancouver
Agostinho Neto A, Ferreira LG. Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems [Internet]. Physical Review a. 1989 ;39( 10): 4978-82.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreva.39.4978
Artigo de periodico
Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon (1987)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon. Physical Review B, v. 36, n. 2 , p. 1296-9, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1987). Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon. Physical Review B, 36( 2 ), 1296-9. doi:10.1103/physrevb.36.1296
NLM
Assali LVC, Leite JR. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 2 ): 1296-9.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 2 ): 1296-9.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296
Artigo de periodico
Calculation of electronic density of states for amorphous 'ZR''CU' and 'ZR''NI' alloys (1985)
Pessoa, Sonia Frota
Source: Journal of Physics. Serie F. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PESSOA, Sonia Frota. Calculation of electronic density of states for amorphous 'ZR''CU' and 'ZR''NI' alloys. Journal of Physics. Serie F, v. 15, p. 287-96, 1985Tradução . . Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Pessoa, S. F. (1985). Calculation of electronic density of states for amorphous 'ZR''CU' and 'ZR''NI' alloys. Journal of Physics. Serie F, 15, 287-96.
NLM
Pessoa SF. Calculation of electronic density of states for amorphous 'ZR''CU' and 'ZR''NI' alloys. Journal of Physics. Serie F. 1985 ;15 287-96.[citado 2025 nov. 28 ]
Vancouver
Pessoa SF. Calculation of electronic density of states for amorphous 'ZR''CU' and 'ZR''NI' alloys. Journal of Physics. Serie F. 1985 ;15 287-96.[citado 2025 nov. 28 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Date published

Source title