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Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Trabalho de evento-resumo
Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time (2023)
Lucas Junior, Hélio José; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto ; Seidel, Keli Fabiana
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
LUCAS JUNIOR, Hélio José et al. Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55641363-e742-4de8-8fe0-c39b89328000/3159688.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Lucas Junior, H. J., Luginieski, M., Serbena, J. P. M., & Seidel, K. F. (2023). Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/55641363-e742-4de8-8fe0-c39b89328000/3159688.pdf
NLM
Lucas Junior HJ, Luginieski M, Serbena JPM, Seidel KF. Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55641363-e742-4de8-8fe0-c39b89328000/3159688.pdf
Vancouver
Lucas Junior HJ, Luginieski M, Serbena JPM, Seidel KF. Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55641363-e742-4de8-8fe0-c39b89328000/3159688.pdf
Trabalho de evento-resumo
Enhancing light-matter interaction in MoS2 monolayer deposited on metalic nanostructures (2023)
Lemes, Matheus Fernandes Sousa; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo; Kis, Andras; Marega Júnior, Euclydes
Source: Program. Conference titles: International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics - META. Unidade: IFSC
Subjects: DISPOSITIVOS ÓPTICOS, NANOTECNOLOGIA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
LEMES, Matheus Fernandes Sousa et al. Enhancing light-matter interaction in MoS2 monolayer deposited on metalic nanostructures. 2023, Anais.. Paris: Université Paris-Saclay, 2023. Disponível em: https://metaconferences.org/META23/files/META2023_program.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Lemes, M. F. S., Marega, G. M., Chiesa, R., Kis, A., & Marega Júnior, E. (2023). Enhancing light-matter interaction in MoS2 monolayer deposited on metalic nanostructures. In Program. Paris: Université Paris-Saclay. Recuperado de https://metaconferences.org/META23/files/META2023_program.pdf
NLM
Lemes MFS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Júnior E. Enhancing light-matter interaction in MoS2 monolayer deposited on metalic nanostructures [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://metaconferences.org/META23/files/META2023_program.pdf
Vancouver
Lemes MFS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Júnior E. Enhancing light-matter interaction in MoS2 monolayer deposited on metalic nanostructures [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://metaconferences.org/META23/files/META2023_program.pdf
Artigo de periodico
General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors (2023)
Luginieski, Marcos ; Koehler, Marlus ; Serbena, José Pedro Mansueto ; Seidel, Keli Fabiana
Source: Advanced Theory and Simulations. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
LUGINIESKI, Marcos et al. General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors. Advanced Theory and Simulations, v. 6, n. 5, p. 2200852-1-2200852-9 + supporting information, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/adts.202200852. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Luginieski, M., Koehler, M., Serbena, J. P. M., & Seidel, K. F. (2023). General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors. Advanced Theory and Simulations, 6( 5), 2200852-1-2200852-9 + supporting information. doi:10.1002/adts.202200852
NLM
Luginieski M, Koehler M, Serbena JPM, Seidel KF. General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors [Internet]. Advanced Theory and Simulations. 2023 ; 6( 5): 2200852-1-2200852-9 + supporting information.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1002/adts.202200852
Vancouver
Luginieski M, Koehler M, Serbena JPM, Seidel KF. General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors [Internet]. Advanced Theory and Simulations. 2023 ; 6( 5): 2200852-1-2200852-9 + supporting information.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1002/adts.202200852
Trabalho de evento-resumo
Second-Harmonic Generation enhancement of monolayer molybdenum disulfide from gold plasmonic gratings (2023)
Lemes, Matheus Fernandes Sousa; Pimenta, Ana Clara Sampaio; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo; Kis, Andras; Marega Júnior, Euclydes
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: DISPOSITIVOS ÓPTICOS, NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LEMES, Matheus Fernandes Sousa et al. Second-Harmonic Generation enhancement of monolayer molybdenum disulfide from gold plasmonic gratings. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9accfedc-0319-49c7-bdb4-bd3fe8f2dfa3/3161395.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Lemes, M. F. S., Pimenta, A. C. S., Marega, G. M., Chiesa, R., Kis, A., & Marega Júnior, E. (2023). Second-Harmonic Generation enhancement of monolayer molybdenum disulfide from gold plasmonic gratings. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9accfedc-0319-49c7-bdb4-bd3fe8f2dfa3/3161395.pdf
NLM
Lemes MFS, Pimenta ACS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Júnior E. Second-Harmonic Generation enhancement of monolayer molybdenum disulfide from gold plasmonic gratings [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9accfedc-0319-49c7-bdb4-bd3fe8f2dfa3/3161395.pdf
Vancouver
Lemes MFS, Pimenta ACS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Júnior E. Second-Harmonic Generation enhancement of monolayer molybdenum disulfide from gold plasmonic gratings [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9accfedc-0319-49c7-bdb4-bd3fe8f2dfa3/3161395.pdf
Trabalho de evento-resumo
Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage (2023)
Seidel, Keli Fabiana; Lucas Junior, Hélio José; Patrzyk, Jéssica Nayara; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
SEIDEL, Keli Fabiana et al. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Seidel, K. F., Lucas Junior, H. J., Patrzyk, J. N., Luginieski, M., & Serbena, J. P. M. (2023). Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf
NLM
Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf
Vancouver
Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf
Trabalho de evento-resumo
A drift-diffusion model based on fundamental material parameters for organic electrochemical transistor devices: steady-state and transient description (2023)
Unigarro, Andres David Peña; Günther, Florian Steffen
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), NANOELETRÔNICA
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ABNT
UNIGARRO, Andres David Peña e GÜNTHER, Florian Steffen. A drift-diffusion model based on fundamental material parameters for organic electrochemical transistor devices: steady-state and transient description. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6c3f60ff-8ed9-4973-80d1-bf7dbcf5e7ab/3158813.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Unigarro, A. D. P., & Günther, F. S. (2023). A drift-diffusion model based on fundamental material parameters for organic electrochemical transistor devices: steady-state and transient description. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6c3f60ff-8ed9-4973-80d1-bf7dbcf5e7ab/3158813.pdf
NLM
Unigarro ADP, Günther FS. A drift-diffusion model based on fundamental material parameters for organic electrochemical transistor devices: steady-state and transient description [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6c3f60ff-8ed9-4973-80d1-bf7dbcf5e7ab/3158813.pdf
Vancouver
Unigarro ADP, Günther FS. A drift-diffusion model based on fundamental material parameters for organic electrochemical transistor devices: steady-state and transient description [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6c3f60ff-8ed9-4973-80d1-bf7dbcf5e7ab/3158813.pdf
Trabalho de evento-resumo
Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally (2023)
Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Luginieski, M., & Faria, G. C. (2023). Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf
NLM
Luginieski M, Faria GC. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf
Vancouver
Luginieski M, Faria GC. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors (2022)
Pupim, Lucas; Gilbert, Matthew J.; Egues, José Carlos
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: SUPERCONDUTIVIDADE, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUPIM, Lucas e GILBERT, Matthew J. e EGUES, José Carlos. Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/T10.13. Acesso em: 19 jul. 2024. , 2022
APA
Pupim, L., Gilbert, M. J., & Egues, J. C. (2022). Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de https://meetings/Meeting/MAR22/Session/T10.13
NLM
Pupim L, Gilbert MJ, Egues JC. Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ; 67( 3):[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/T10.13
Vancouver
Pupim L, Gilbert MJ, Egues JC. Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ; 67( 3):[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/T10.13
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires (2022)
Dourado, Rodrigo de Abreu ; Egues, José Carlos ; Penteado, Poliana Heiffig
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DOURADO, Rodrigo de Abreu e EGUES, José Carlos e PENTEADO, Poliana Heiffig. Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/K65.7. Acesso em: 19 jul. 2024. , 2022
APA
Dourado, R. de A., Egues, J. C., & Penteado, P. H. (2022). Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de https://meetings/Meeting/MAR22/Session/K65.7
NLM
Dourado R de A, Egues JC, Penteado PH. Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ; 67( 3):[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/K65.7
Vancouver
Dourado R de A, Egues JC, Penteado PH. Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ; 67( 3):[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/K65.7
Trabalho de evento-resumo
Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors (2022)
Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Luginieski, M., & Faria, G. C. (2022). Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf
NLM
Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf
Vancouver
Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf
Artigo de periodico
Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry (2022)
Ferrari, Ana Luiza Rodrigues Ferreira; Oliveira, Luiz Nunes de
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: EFEITO KONDO, MÉTODOS NUMÉRICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRARI, Ana Luiza Rodrigues Ferreira e OLIVEIRA, Luiz Nunes de. Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry. Physical Review B, v. 106, n. 7, p. 075129-1-075129-34, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.106.075129. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Ferrari, A. L. R. F., & Oliveira, L. N. de. (2022). Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry. Physical Review B, 106( 7), 075129-1-075129-34. doi:10.1103/PhysRevB.106.075129
NLM
Ferrari ALRF, Oliveira LN de. Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 106( 7): 075129-1-075129-34.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.106.075129
Vancouver
Ferrari ALRF, Oliveira LN de. Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 106( 7): 075129-1-075129-34.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.106.075129
Trabalho de evento
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Canal YouTube ICTP-SAIFR. Conference titles: ICTP-SAIFR - Condensed Matter Theory in the Metropolis. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT, 2022. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Canal YouTube ICTP-SAIFR (Vol. 10 no 2022). São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Trabalho de evento-resumo
Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses (2022)
Shasmal, Nilanjana; Rodrigues, Ana Candida Martins; Faria, Walter José Gomes Juste; de Camargo, Andrea Simone Stucchi
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SILICATOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SHASMAL, Nilanjana et al. Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses. 2022, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1fcebdfb-7463-4586-9f07-560daea5285b/3097401.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Shasmal, N., Rodrigues, A. C. M., Faria, W. J. G. J., & de Camargo, A. S. S. (2022). Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/1fcebdfb-7463-4586-9f07-560daea5285b/3097401.pdf
NLM
Shasmal N, Rodrigues ACM, Faria WJGJ, de Camargo ASS. Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1fcebdfb-7463-4586-9f07-560daea5285b/3097401.pdf
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Shasmal N, Rodrigues ACM, Faria WJGJ, de Camargo ASS. Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1fcebdfb-7463-4586-9f07-560daea5285b/3097401.pdf
Trabalho de evento-resumo
Plasmon-enhanced light-matter interaction in MoS2 monolayer by gold nanostructures (2022)
Lemes, Matheus Fernandes Sousa; Marega Júnior, Euclydes ; Marega, Guilherme Migliato ; Kis, Andras
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
LEMES, Matheus Fernandes Sousa et al. Plasmon-enhanced light-matter interaction in MoS2 monolayer by gold nanostructures. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b4e0bc04-e5e9-4019-aa0e-bca05f1c01dd/3119490.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Lemes, M. F. S., Marega Júnior, E., Marega, G. M., & Kis, A. (2022). Plasmon-enhanced light-matter interaction in MoS2 monolayer by gold nanostructures. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b4e0bc04-e5e9-4019-aa0e-bca05f1c01dd/3119490.pdf
NLM
Lemes MFS, Marega Júnior E, Marega GM, Kis A. Plasmon-enhanced light-matter interaction in MoS2 monolayer by gold nanostructures [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b4e0bc04-e5e9-4019-aa0e-bca05f1c01dd/3119490.pdf
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Lemes MFS, Marega Júnior E, Marega GM, Kis A. Plasmon-enhanced light-matter interaction in MoS2 monolayer by gold nanostructures [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b4e0bc04-e5e9-4019-aa0e-bca05f1c01dd/3119490.pdf
Trabalho de evento-resumo
Desenho inteligente de dispositivos fotônicos fabricados via polimerização por dois fótons (2022)
Parra, Ian; Mendonça, Cleber Renato
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POLIMERIZAÇÃO, FOTÔNICA
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ABNT
PARRA, Ian e MENDONÇA, Cleber Renato. Desenho inteligente de dispositivos fotônicos fabricados via polimerização por dois fótons. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/278ab515-3788-46e6-a4e5-cf775c426f64/3117849.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Parra, I., & Mendonça, C. R. (2022). Desenho inteligente de dispositivos fotônicos fabricados via polimerização por dois fótons. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/278ab515-3788-46e6-a4e5-cf775c426f64/3117849.pdf
NLM
Parra I, Mendonça CR. Desenho inteligente de dispositivos fotônicos fabricados via polimerização por dois fótons [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/278ab515-3788-46e6-a4e5-cf775c426f64/3117849.pdf
Vancouver
Parra I, Mendonça CR. Desenho inteligente de dispositivos fotônicos fabricados via polimerização por dois fótons [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/278ab515-3788-46e6-a4e5-cf775c426f64/3117849.pdf
Trabalho de evento-resumo
Consecutive laser pulses excitation technique for determining the triplet quantum yield in molecular systems (2021)
Garcia, Rafael de Queiroz; De Boni, Leonardo
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: LASER, SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA
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ABNT
GARCIA, Rafael de Queiroz e DE BONI, Leonardo. Consecutive laser pulses excitation technique for determining the triplet quantum yield in molecular systems. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0227-1.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Garcia, R. de Q., & De Boni, L. (2021). Consecutive laser pulses excitation technique for determining the triplet quantum yield in molecular systems. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0227-1.pdf
NLM
Garcia R de Q, De Boni L. Consecutive laser pulses excitation technique for determining the triplet quantum yield in molecular systems [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0227-1.pdf
Vancouver
Garcia R de Q, De Boni L. Consecutive laser pulses excitation technique for determining the triplet quantum yield in molecular systems [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0227-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain em nanofios politípicos (2021)
Sipahi, Guilherme Matos ; Siqueira, Anderson
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e SIQUEIRA, Anderson. Efeitos de strain em nanofios politípicos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Sipahi, G. M., & Siqueira, A. (2021). Efeitos de strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
NLM
Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
Vancouver
Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
Trabalho de evento-resumo
Desenvolvimento da heteroestrutura CuWO4/BiVO4/FeCoOx com configuração de bandas otimizada para aplicações na fotossíntese artificial (2021)
Rabelo, Lucas Gabriel; Rosa, Washington Santa; Gonçalves, Renato Vitalino
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, FOTOCATÁLISE, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RABELO, Lucas Gabriel e ROSA, Washington Santa e GONÇALVES, Renato Vitalino. Desenvolvimento da heteroestrutura CuWO4/BiVO4/FeCoOx com configuração de bandas otimizada para aplicações na fotossíntese artificial. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52ed09c2-928b-4f40-a9e1-ddd24f3f6f4b/3056370.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Rabelo, L. G., Rosa, W. S., & Gonçalves, R. V. (2021). Desenvolvimento da heteroestrutura CuWO4/BiVO4/FeCoOx com configuração de bandas otimizada para aplicações na fotossíntese artificial. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/52ed09c2-928b-4f40-a9e1-ddd24f3f6f4b/3056370.pdf
NLM
Rabelo LG, Rosa WS, Gonçalves RV. Desenvolvimento da heteroestrutura CuWO4/BiVO4/FeCoOx com configuração de bandas otimizada para aplicações na fotossíntese artificial [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52ed09c2-928b-4f40-a9e1-ddd24f3f6f4b/3056370.pdf
Vancouver
Rabelo LG, Rosa WS, Gonçalves RV. Desenvolvimento da heteroestrutura CuWO4/BiVO4/FeCoOx com configuração de bandas otimizada para aplicações na fotossíntese artificial [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52ed09c2-928b-4f40-a9e1-ddd24f3f6f4b/3056370.pdf

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