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Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Cadeias lineares de carbono (1994)
Paiva, G.; Piquini, P.; Fassio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Simposio de Iniciacao Cientifica do Instituto de Fisica da Universidade de São Paulo. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PAIVA, G. e PIQUINI, P. e FASSIO, Adalberto. Cadeias lineares de carbono. 1994, Anais.. São Paulo: IFUSP, 1994. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Paiva, G., Piquini, P., & Fassio, A. (1994). Cadeias lineares de carbono. In Programa e Resumos. São Paulo: IFUSP.
NLM
Paiva G, Piquini P, Fassio A. Cadeias lineares de carbono. Programa e Resumos. 1994 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Paiva G, Piquini P, Fassio A. Cadeias lineares de carbono. Programa e Resumos. 1994 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Metaestabilidade de impurezas tipo iv em 'GA''AS' (1993)
Schmidt, T M; Venezuela, P P M; Fazzio, Adalberto ; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Metaestabilidade de impurezas tipo iv em 'GA''AS'. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P. P. M., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1993). Metaestabilidade de impurezas tipo iv em 'GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Schmidt TM, Venezuela PPM, Fazzio A, Caldas MJ. Metaestabilidade de impurezas tipo iv em 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela PPM, Fazzio A, Caldas MJ. Metaestabilidade de impurezas tipo iv em 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3) (1993)
Piquini, P C; Fazzio, Adalberto ; Canuto, Sylvio Roberto Accioly
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PIQUINI, P C e FAZZIO, Adalberto e CANUTO, Sylvio Roberto Accioly. Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3). 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Piquini, P. C., Fazzio, A., & Canuto, S. R. A. (1993). Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3). In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Piquini PC, Fazzio A, Canuto SRA. Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3). Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Piquini PC, Fazzio A, Canuto SRA. Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3). Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures (1993)
Lima, G A R; Watari, K.; Kintop, J; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LIMA, G A R et al. Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Lima, G. A. R., Watari, K., Kintop, J., & Fazzio, A. (1993). Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lima GAR, Watari K, Kintop J, Fazzio A. Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Lima GAR, Watari K, Kintop J, Fazzio A. Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Hardness and softness no estudo de aglomerados moleculares de 'GA''AS' (1993)
Piquini, P C; Fazzio, Adalberto ; Dal Pino Junior, A
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PIQUINI, P C e FAZZIO, Adalberto e DAL PINO JUNIOR, A. Hardness and softness no estudo de aglomerados moleculares de 'GA''AS'. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Piquini, P. C., Fazzio, A., & Dal Pino Junior, A. (1993). Hardness and softness no estudo de aglomerados moleculares de 'GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Piquini PC, Fazzio A, Dal Pino Junior A. Hardness and softness no estudo de aglomerados moleculares de 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Piquini PC, Fazzio A, Dal Pino Junior A. Hardness and softness no estudo de aglomerados moleculares de 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em 'GA''AP' (1993)
Venezuela, P P M; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto ; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P P M et al. Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em 'GA''AP'. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P. P. M., Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1993). Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em 'GA''AP'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Venezuela PPM, Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em 'GA''AP'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela PPM, Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em 'GA''AP'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal (1993)
Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A. (1993). Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A. Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A. Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
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Absorption spectra of clusters of 'K IND.3' 'C IND.60' (1993)
Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e MOTA, R. Absorption spectra of clusters of 'K IND.3' 'C IND.60'. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., & Mota, R. (1993). Absorption spectra of clusters of 'K IND.3' 'C IND.60'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Mota R. Absorption spectra of clusters of 'K IND.3' 'C IND.60'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Mota R. Absorption spectra of clusters of 'K IND.3' 'C IND.60'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv (1992)
Justo Filho, João Francisco ; Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e CALDAS, Marilia Junqueira e FAZZIO, Adalberto. Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1992). Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Justo Filho JF, Caldas MJ, Fazzio A. Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Caldas MJ, Fazzio A. Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p (1992)
Venezuela, P P M; Schmidt, T M; Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P P M et al. Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P. P. M., Schmidt, T. M., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1992). Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Venezuela PPM, Schmidt TM, Caldas MJ, Fazzio A. Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela PPM, Schmidt TM, Caldas MJ, Fazzio A. Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M' (1992)
Piquini, P C; Fazzio, Adalberto ; Canuto, Sylvio Roberto Accioly
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P C e FAZZIO, Adalberto e CANUTO, Sylvio Roberto Accioly. Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Piquini, P. C., Fazzio, A., & Canuto, S. R. A. (1992). Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Piquini PC, Fazzio A, Canuto SRA. Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Piquini PC, Fazzio A, Canuto SRA. Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4' (1992)
Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, R. e FAZZIO, Adalberto. Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, R., & Fazzio, A. (1992). Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Mota R, Fazzio A. Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Mota R, Fazzio A. Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium (1992)
Cunha, C R M; Fazzio, Adalberto ; Canuto, Sylvio Roberto Accioly
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CUNHA, C R M e FAZZIO, Adalberto e CANUTO, Sylvio Roberto Accioly. Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Cunha, C. R. M., Fazzio, A., & Canuto, S. R. A. (1992). Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Cunha CRM, Fazzio A, Canuto SRA. Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Cunha CRM, Fazzio A, Canuto SRA. Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? (1992)
Schmidt, T M; Venezuela, P P M; Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATERIA CONDENSADA (PROPRIEDADES TÉRMICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. 'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P. P. M., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1992). 'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Schmidt TM, Venezuela PPM, Caldas MJ, Fazzio A. 'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela PPM, Caldas MJ, Fazzio A. 'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin (1989)
Fazzio, Adalberto ; Makiuchi, N
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e MAKIUCHI, N. Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., & Makiuchi, N. (1989). Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Makiuchi N. Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Makiuchi N. Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de pressao hidrostatica sobre impurezas 3'D POT.N' em 'GA''AS' (1989)
Fazzio, Adalberto ; Lima, G A R
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: HIDROSTÁTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e LIMA, G A R. Efeitos de pressao hidrostatica sobre impurezas 3'D POT.N' em 'GA''AS'. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., & Lima, G. A. R. (1989). Efeitos de pressao hidrostatica sobre impurezas 3'D POT.N' em 'GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Lima GAR. Efeitos de pressao hidrostatica sobre impurezas 3'D POT.N' em 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Lima GAR. Efeitos de pressao hidrostatica sobre impurezas 3'D POT.N' em 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C' (1989)
Fazzio, Adalberto ; Lima, G A R; Mota, R.; Makiuchi, N
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C'. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Lima, G. A. R., Mota, R., & Makiuchi, N. (1989). Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Lima GAR, Mota R, Makiuchi N. Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C'. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Lima GAR, Mota R, Makiuchi N. Estruturas eletronicas de cadeias 'CU'-o em supercondutores de alto 'T IND.C'. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Estabilidade e metaestabilidade de defeitos em 'GA''AS' (1989)
Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTABILIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira e FAZZIO, Adalberto. Estabilidade e metaestabilidade de defeitos em 'GA''AS'. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1989). Estabilidade e metaestabilidade de defeitos em 'GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Caldas MJ, Fazzio A. Estabilidade e metaestabilidade de defeitos em 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Caldas MJ, Fazzio A. Estabilidade e metaestabilidade de defeitos em 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização (1989)
Scolfaro, L. M. R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FISICA (CONGRESSOS;CONFERÊNCIAS), IONIZAÇÃO DE GAZES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L. M. R. e FAZZIO, Adalberto. Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização. 1989, Anais.. São Paulo: Sbf, 1989. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1989). Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ]

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