Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal (1993)
- Autor:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1993
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 24 jan. 2026. -
APA
Fazzio, A. (1993). Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Fazzio A. Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2026 jan. 24 ] -
Vancouver
Fazzio A. Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2026 jan. 24 ] - Characteristic temperature of 2D materials
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