Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium (1992)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1992
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
CUNHA, C R M e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 14 set. 2024. -
APA
Cunha, C. R. M., Fazzio, A., & Canuto, S. (1992). Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Cunha CRM, Fazzio A, Canuto S. Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 set. 14 ] -
Vancouver
Cunha CRM, Fazzio A, Canuto S. Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 set. 14 ] - Estrutura eletronica do yb substitucional do gap
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