Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin (1989)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SPIN
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1989
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
FAZZIO, A e MAKIUCHI, N. Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 30 jul. 2024. -
APA
Fazzio, A., & Makiuchi, N. (1989). Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Fazzio A, Makiuchi N. Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 jul. 30 ] -
Vancouver
Fazzio A, Makiuchi N. Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 jul. 30 ] - Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations
- Correcao de auto-interacao na aproximacao da densidade funcional: ms-x'ALFA'
- Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors
- Native defects and transition metal imnpurities at interstitial sites in 'GA''AS'
- Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas
- Sistemas de u-negativo em impurezas de metais de transicao em semicondutores
- Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles
- Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors
- Ab-initio cluster calculation of hyperfine interactions and total energy surfaces for n in diamond, silicon and germanium
- Metaestabilidade induzida por defeitos 'S POT.N''P POT.M' em semicondutores iii-v: um comportamento universal
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
