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Artigo de periodico
First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Mota, F de Brito; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NÃO METAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MOTA, F de Brito e FAZZIO, Adalberto. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 73202/1-73202/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, 65( 7), 73202/1-73202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
NLM
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Vancouver
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties (2002)
Mota, F de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MOTA, F de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 436-438, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 436-438. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Trabalho de evento-resumo
The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition (2002)
Peripolli, Suzana B; Silva, Cesar S R da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
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ABNT
PERIPOLLI, Suzana B e SILVA, Cesar S R da e FAZZIO, Adalberto. The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Peripolli, S. B., Silva, C. S. R. da, & Fazzio, A. (2002). The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Peripolli SB, Silva CSR da, Fazzio A. The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Peripolli SB, Silva CSR da, Fazzio A. The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro (2002)
Novaes, Frederico Dutilh; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Silva, Edison Zacarias da
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: DINÂMICA DAS ESTRUTURAS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ÁTOMOS (SIMULAÇÃO COMPUTACIONAL)
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ABNT
NOVAES, Frederico Dutilh et al. Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Novaes, F. D., Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Silva, E. Z. da. (2002). Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da, Silva EZ da. Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da, Silva EZ da. Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes (2002)
Fagan, Solange Binotto; Mota, Ronaldo; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes (2002)
Fagan, Solange Binotto; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Baierle, Rogerio Jose
Fonte: Programa e Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Baierle, R. J. (2002). Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube (2002)
Silva, Ivana Zanella; Piquini, Paulo Cesar; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
SILVA, Ivana Zanella et al. Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, I. Z., Piquini, P. C., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva IZ, Piquini PC, Silva AJR da, Fazzio A. Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva IZ, Piquini PC, Silva AJR da, Fazzio A. Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface (2002)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Livros de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. In Programa e Livros de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. Programa e Livros de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. Programa e Livros de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FENÔMENO DE TRANSPORTE
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, v. 65, n. 19, p. 193306/1-193306/ , 2002Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, 65( 19), 193306/1-193306/ .
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Computer simulations of gold nanowires (2002)
Novaes, F D; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Edison Z da
Fonte: Programa e Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, COMPUTADORES (SIMULAÇÃO)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOVAES, F D et al. Computer simulations of gold nanowires. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Silva, E. Z. da. (2002). Computer simulations of gold nanowires. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A, Silva EZ da. Computer simulations of gold nanowires. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A, Silva EZ da. Computer simulations of gold nanowires. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation (2002)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 5892-5895, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, 91( 9), 5892-5895. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Dalpian, Gustavo Martini ; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Si incorporation in Si(100) steps (2002)
Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Venezuela, Pedro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Si incorporation in Si(100) steps. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, Venezuela, P., & Fazzio, A. (2002). Si incorporation in Si(100) steps. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Venezuela P, Fazzio A. Si incorporation in Si(100) steps. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Venezuela P, Fazzio A. Si incorporation in Si(100) steps. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão (2002)
Pontes, Renato Borges; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PONTES, Renato Borges e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Pontes, R. B., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2' (2002)
Orellana, Walter M; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, Walter M e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2002)
Dalpian, Gustavo Martini ; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, v. 81, n. 8, p. 3383-3385, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, 81( 8), 3383-3385. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100) (2002)
Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2002). Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H (2002)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H. Physical Review B, v. 65, n. 10, p. 104108/1-104108/5. 2002, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H. Physical Review B, 65( 10), 104108/1-104108/5. 2002. doi:10.1103/PhysRevB.65.104108
NLM
Silva CRS da, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 10): 104108/1-104108/5. 2002.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108
Vancouver
Silva CRS da, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 10): 104108/1-104108/5. 2002.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108
Artigo de periodico
Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon (2002)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: EP, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 14, n. 48, p. 12761-12765, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, 14( 48), 12761-12765. doi:10.1088/0953-8984/14/48/314
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314

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