Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
DALPIAN, G. M.; VENEZUELA, Pedro; SILVA, Antonio Jose Roque da; FAZZIO, Adalberto. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Anais.. São Paulo: SBF, 2002. -
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ; -
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ; - Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro
- Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface
- Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes
- Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube
- Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes
- Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom
- Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
- Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos
- Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects
- 'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
