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Trabalho de evento-resumo
"P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Mota, R., & Fazzio, A. (1999). "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs (1999)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.; Piquini, P.
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, v. 110, p. 457-461, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1999). Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, 110, 457-461. doi:10.1016/s0038-1098(98)00606-1
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1
Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001) (1999)
Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antônio J. R. da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001). 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, Janotti, A., & Fazzio, A. (1999). Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001). Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001). Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Algorítmo paralelo para otimização de estruturas atômicas de materiais amorfos por métodos de Monte Carlo (1999)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e FAZZIO, Adalberto. Algorítmo paralelo para otimização de estruturas atômicas de materiais amorfos por métodos de Monte Carlo. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, & Fazzio, A. (1999). Algorítmo paralelo para otimização de estruturas atômicas de materiais amorfos por métodos de Monte Carlo. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva CRS da, Fazzio A. Algorítmo paralelo para otimização de estruturas atômicas de materiais amorfos por métodos de Monte Carlo. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva CRS da, Fazzio A. Algorítmo paralelo para otimização de estruturas atômicas de materiais amorfos por métodos de Monte Carlo. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon (1999)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, v. 274, p. 473-475, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1999). Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, 274, 473-475. doi:10.1016/s0921-4526(99)00528-1
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Artigo de periodico
'['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP (1999)
Schmidt, Tome Mauro; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto ; Mora, R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SCHMIDT, Tome Mauro et al. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B, v. 60, n. 24, p. 16475-16478, 1999Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mora, R. (1999). '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B, 60( 24), 16475-16478.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mora R. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B. 1999 ; 60( 24): 16475-16478.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mora R. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B. 1999 ; 60( 24): 16475-16478.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Point defect interactions with extended defects in semiconductors (1999)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Point defect interactions with extended defects in semiconductors. Physical Review B, v. 60, n. 7, p. 4711-4714, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4711. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Point defect interactions with extended defects in semiconductors. Physical Review B, 60( 7), 4711-4714. doi:10.1103/physrevb.60.4711
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Point defect interactions with extended defects in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 7): 4711-4714.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4711
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Point defect interactions with extended defects in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 7): 4711-4714.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4711
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, v. 273-274, p. 831-834, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium (1999)
Janotti, A.; Baierle, Rogerio Jose; Silva, Antônio J. R. da; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, v. 274, p. 575-578, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Janotti, A., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Fazzio, A. (1999). Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, 274, 575-578. doi:10.1016/s0921-4526(99)00576-1
NLM
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Vancouver
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Trabalho de evento-resumo
Existem nanotubos de silício? (1999)
Fagan, Solange B.; Baierle, Rogerio Jose; Mota, Ronaldo; Paiva, G.; Silva, Antônio J. R. da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange B. et al. Existem nanotubos de silício? 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Baierle, R. J., Mota, R., Paiva, G., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (1999). Existem nanotubos de silício? In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Paiva G, Silva AJR da, Fazzio A. Existem nanotubos de silício? Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Paiva G, Silva AJR da, Fazzio A. Existem nanotubos de silício? Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors (1999)
Fazzio, Adalberto ; Silva, Antônio J. R. da; Mota, R.; Janotti, A.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Janotti, A. (1999). Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fazzio A, Silva AJR da, Mota R, Janotti A. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Silva AJR da, Mota R, Janotti A. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 4, p. 1843-1847, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.370977. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, 86( 4), 1843-1847. doi:10.1063/1.370977
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977
Artigo de periodico
Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers (1999)
Dalpian, Gustavo Martini ; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antônio J. R. da
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, v. 273-274, p. 589-592, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Janotti, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (1999). Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, 273-274, 589-592. doi:10.1016/s0921-4526(99)00580-3
NLM
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3
Vancouver
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3

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