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Dissertação (Mestrado)
Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS (1995)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: MATERIAIS
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ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley. Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS. 1995. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1995. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/pt-br.php. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Nicolett, A. S. (1995). Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/pt-br.php
NLM
Nicolett AS. Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS [Internet]. 1995 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/pt-br.php
Vancouver
Nicolett AS. Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS [Internet]. 1995 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/pt-br.php
Dissertação (Mestrado)
Comparação entre as estruturas CMOS cavidades duplas e CMOS cavidades gêmeas com relação ao efeito tiristor parasitário (1995)
Romanelli, Cludia Côrtes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: MATERIAIS
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ABNT
ROMANELLI, Cludia Côrtes. Comparação entre as estruturas CMOS cavidades duplas e CMOS cavidades gêmeas com relação ao efeito tiristor parasitário. 1995. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1995. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-08082024-073127/pt-br.php. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Romanelli, C. C. (1995). Comparação entre as estruturas CMOS cavidades duplas e CMOS cavidades gêmeas com relação ao efeito tiristor parasitário (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-08082024-073127/pt-br.php
NLM
Romanelli CC. Comparação entre as estruturas CMOS cavidades duplas e CMOS cavidades gêmeas com relação ao efeito tiristor parasitário [Internet]. 1995 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-08082024-073127/pt-br.php
Vancouver
Romanelli CC. Comparação entre as estruturas CMOS cavidades duplas e CMOS cavidades gêmeas com relação ao efeito tiristor parasitário [Internet]. 1995 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-08082024-073127/pt-br.php
Dissertação (Mestrado)
Estruturas de fonte e dreno para transistores MOS submicrométricos (1992)
Mafra Junior, Johnny Jose; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: MATERIAIS
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ABNT
MAFRA JUNIOR, Johnny Jose. Estruturas de fonte e dreno para transistores MOS submicrométricos. 1992. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1992. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-070858/pt-br.php. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Mafra Junior, J. J. (1992). Estruturas de fonte e dreno para transistores MOS submicrométricos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-070858/pt-br.php
NLM
Mafra Junior JJ. Estruturas de fonte e dreno para transistores MOS submicrométricos [Internet]. 1992 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-070858/pt-br.php
Vancouver
Mafra Junior JJ. Estruturas de fonte e dreno para transistores MOS submicrométricos [Internet]. 1992 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-070858/pt-br.php

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