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Trabalho de evento-anais periodico
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Iikawa, F.; Motisuke, Paulo; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Proceedings of SPIE. Nome do evento: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 17 out. 2024. , 1990
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Trabalho de evento-resumo
Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. 1990, Anais.. Aachen: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1990). Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. In Abstracts. Aachen: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 17 ]
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 17 ]
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS' (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. 1990, Anais.. San Diego: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. In Abstracts. San Diego: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Fonte: Program and Abstracts. Nome do evento: Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. 1989, Anais.. Brasília: Universidade de Brasilia, 1989. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Program and Abstracts. Brasília: Universidade de Brasilia.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2024 out. 17 ]

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