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Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Trabalho de evento
Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática (2023)
Rodrigues, Miller da Silva; Souza, Lúcius Borges de; Costa, Gláucia Gruninger Gomes; Catunda, Tomaz
Fonte: Programa. Nome do evento: Simpósio Nacional de Ensino de Física - SNEF. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTODETECTORES, DIODOS
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ABNT
RODRIGUES, Miller da Silva et al. Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxv/sys/resumos/T0262-1.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Rodrigues, M. da S., Souza, L. B. de, Costa, G. G. G., & Catunda, T. (2023). Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxv/sys/resumos/T0262-1.pdf
NLM
Rodrigues M da S, Souza LB de, Costa GGG, Catunda T. Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática [Internet]. Programa. 2023 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxv/sys/resumos/T0262-1.pdf
Vancouver
Rodrigues M da S, Souza LB de, Costa GGG, Catunda T. Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática [Internet]. Programa. 2023 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxv/sys/resumos/T0262-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain in polytypic nanowires (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos ; Alves, Horácio Wagner Leite
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos e ALVES, Horácio Wagner Leite. Strain in polytypic nanowires. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Siqueira, A. H., Sipahi, G. M., & Alves, H. W. L. (2023). Strain in polytypic nanowires. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Artigo de periodico
The role of tin atoms on the crystallization of amorphous germanium films (2023)
Zanatta, Antonio Ricardo
Fonte: Materials Chemistry and Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: GERMÂNIO, ESPECTROSCOPIA RAMAN, SEMICONDUTORES
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ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo. The role of tin atoms on the crystallization of amorphous germanium films. Materials Chemistry and Physics, v. 306, p. 128045-1-128045-7 + supplementary data, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2023.128045. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Zanatta, A. R. (2023). The role of tin atoms on the crystallization of amorphous germanium films. Materials Chemistry and Physics, 306, 128045-1-128045-7 + supplementary data. doi:10.1016/j.matchemphys.2023.128045
NLM
Zanatta AR. The role of tin atoms on the crystallization of amorphous germanium films [Internet]. Materials Chemistry and Physics. 2023 ; 306 128045-1-128045-7 + supplementary data.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2023.128045
Vancouver
Zanatta AR. The role of tin atoms on the crystallization of amorphous germanium films [Internet]. Materials Chemistry and Physics. 2023 ; 306 128045-1-128045-7 + supplementary data.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2023.128045
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 17 out. 2024. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors (2022)
Pupim, Lucas; Gilbert, Matthew J.; Egues, José Carlos
Fonte: Bulletin of the American Physical Society. Nome do evento: APS March Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: SUPERCONDUTIVIDADE, SEMICONDUTORES
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ABNT
PUPIM, Lucas e GILBERT, Matthew J. e EGUES, José Carlos. Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/T10.13. Acesso em: 17 out. 2024. , 2022
APA
Pupim, L., Gilbert, M. J., & Egues, J. C. (2022). Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de https://meetings/Meeting/MAR22/Session/T10.13
NLM
Pupim L, Gilbert MJ, Egues JC. Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ; 67( 3):[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/T10.13
Vancouver
Pupim L, Gilbert MJ, Egues JC. Higher-order topological phases in point-group symmetric superconductors [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ; 67( 3):[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/T10.13
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Abstract Book. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
NLM
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Vancouver
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Trabalho de evento-resumo
Junções NS com supercondutores topológicos (2022)
Costa, João Pedro Carvalho; Penteado, Poliana Heiffig ; Egues, José Carlos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
COSTA, João Pedro Carvalho e PENTEADO, Poliana Heiffig e EGUES, José Carlos. Junções NS com supercondutores topológicos. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a682ecb0-c451-4fab-8cbd-241c0597b1e2/3107746.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Costa, J. P. C., Penteado, P. H., & Egues, J. C. (2022). Junções NS com supercondutores topológicos. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a682ecb0-c451-4fab-8cbd-241c0597b1e2/3107746.pdf
NLM
Costa JPC, Penteado PH, Egues JC. Junções NS com supercondutores topológicos [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a682ecb0-c451-4fab-8cbd-241c0597b1e2/3107746.pdf
Vancouver
Costa JPC, Penteado PH, Egues JC. Junções NS com supercondutores topológicos [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a682ecb0-c451-4fab-8cbd-241c0597b1e2/3107746.pdf
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Trabalho de evento-resumo
Junções NS com supercondutores topológicos (2022)
Costa, João Pedro Carvalho; Egues, José Carlos ; Penteado, Poliana Heiffig
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SPIN, TOPOLOGIA, SUPERCONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
COSTA, João Pedro Carvalho e EGUES, José Carlos e PENTEADO, Poliana Heiffig. Junções NS com supercondutores topológicos. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e5a575c2-80b5-49cd-ad68-e458d117838d/3118381.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Costa, J. P. C., Egues, J. C., & Penteado, P. H. (2022). Junções NS com supercondutores topológicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e5a575c2-80b5-49cd-ad68-e458d117838d/3118381.pdf
NLM
Costa JPC, Egues JC, Penteado PH. Junções NS com supercondutores topológicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e5a575c2-80b5-49cd-ad68-e458d117838d/3118381.pdf
Vancouver
Costa JPC, Egues JC, Penteado PH. Junções NS com supercondutores topológicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e5a575c2-80b5-49cd-ad68-e458d117838d/3118381.pdf
Trabalho de evento-resumo
Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots (2022)
Rosa, Mabily Bilancieri; de Camargo, Andrea Simone Stucchi
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSA, Mabily Bilancieri e DE CAMARGO, Andrea Simone Stucchi. Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/51c2428e-2365-4bf6-9e66-ef4694ecb165/3117423.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Rosa, M. B., & de Camargo, A. S. S. (2022). Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/51c2428e-2365-4bf6-9e66-ef4694ecb165/3117423.pdf
NLM
Rosa MB, de Camargo ASS. Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/51c2428e-2365-4bf6-9e66-ef4694ecb165/3117423.pdf
Vancouver
Rosa MB, de Camargo ASS. Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/51c2428e-2365-4bf6-9e66-ef4694ecb165/3117423.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Trabalho de evento-resumo
Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots (2022)
Rosa, Mabily Bilancieri; de Camargo, Andrea Simone Stucchi
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSA, Mabily Bilancieri e DE CAMARGO, Andrea Simone Stucchi. Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec78f37a-4049-49d5-81b3-ac01872cc891/3107918.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Rosa, M. B., & de Camargo, A. S. S. (2022). Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec78f37a-4049-49d5-81b3-ac01872cc891/3107918.pdf
NLM
Rosa MB, de Camargo ASS. Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec78f37a-4049-49d5-81b3-ac01872cc891/3107918.pdf
Vancouver
Rosa MB, de Camargo ASS. Desenvolvimento de reator para monitoramento in situ dos parâmetros de reação e emissão de quantum dots [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec78f37a-4049-49d5-81b3-ac01872cc891/3107918.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires (2022)
Dourado, Rodrigo de Abreu ; Egues, José Carlos ; Penteado, Poliana Heiffig
Fonte: Bulletin of the American Physical Society. Nome do evento: APS March Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, SPIN, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DOURADO, Rodrigo de Abreu e EGUES, José Carlos e PENTEADO, Poliana Heiffig. Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/K65.7. Acesso em: 17 out. 2024. , 2022
APA
Dourado, R. de A., Egues, J. C., & Penteado, P. H. (2022). Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de https://meetings/Meeting/MAR22/Session/K65.7
NLM
Dourado R de A, Egues JC, Penteado PH. Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ; 67( 3):[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/K65.7
Vancouver
Dourado R de A, Egues JC, Penteado PH. Fresh look on finite-size effects in Majorana nanowires [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ; 67( 3):[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://meetings/Meeting/MAR22/Session/K65.7
Artigo de periodico
Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry (2022)
Ferrari, Ana Luiza Rodrigues Ferreira; Oliveira, Luiz Nunes de
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assuntos: EFEITO KONDO, MÉTODOS NUMÉRICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRARI, Ana Luiza Rodrigues Ferreira e OLIVEIRA, Luiz Nunes de. Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry. Physical Review B, v. 106, n. 7, p. 075129-1-075129-34, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.106.075129. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Ferrari, A. L. R. F., & Oliveira, L. N. de. (2022). Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry. Physical Review B, 106( 7), 075129-1-075129-34. doi:10.1103/PhysRevB.106.075129
NLM
Ferrari ALRF, Oliveira LN de. Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 106( 7): 075129-1-075129-34.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.106.075129
Vancouver
Ferrari ALRF, Oliveira LN de. Real-space numerical renormalization group computation of transport properties in side-coupled geometry [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 106( 7): 075129-1-075129-34.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.106.075129
Artigo de periodico
The Shockley-Queisser limit and the conversion efficiency of silicon-based solar cells (2022)
Zanatta, Antonio Ricardo
Fonte: Results in Optics. Unidade: IFSC
Assuntos: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, CÉLULAS SOLARES
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ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo. The Shockley-Queisser limit and the conversion efficiency of silicon-based solar cells. Results in Optics, v. 9, p. 100320-1-100320-7, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.rio.2022.100320. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Zanatta, A. R. (2022). The Shockley-Queisser limit and the conversion efficiency of silicon-based solar cells. Results in Optics, 9, 100320-1-100320-7. doi:10.1016/j.rio.2022.100320
NLM
Zanatta AR. The Shockley-Queisser limit and the conversion efficiency of silicon-based solar cells [Internet]. Results in Optics. 2022 ; 9 100320-1-100320-7.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.rio.2022.100320
Vancouver
Zanatta AR. The Shockley-Queisser limit and the conversion efficiency of silicon-based solar cells [Internet]. Results in Optics. 2022 ; 9 100320-1-100320-7.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.rio.2022.100320
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos (2022)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MODELOS MATEMÁTICOS
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2022). Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Trabalho de evento
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Canal YouTube ICTP-SAIFR. Nome do evento: ICTP-SAIFR - Condensed Matter Theory in the Metropolis. Unidade: IFSC
Assuntos: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT, 2022. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Canal YouTube ICTP-SAIFR (Vol. 10 no 2022). São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Trabalho de evento-resumo
Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses (2022)
Shasmal, Nilanjana; Rodrigues, Ana Candida Martins; Faria, Walter José Gomes Juste; de Camargo, Andrea Simone Stucchi
Fonte: Program. Nome do evento: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, SILICATOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SHASMAL, Nilanjana et al. Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses. 2022, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1fcebdfb-7463-4586-9f07-560daea5285b/3097401.pdf. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Shasmal, N., Rodrigues, A. C. M., Faria, W. J. G. J., & de Camargo, A. S. S. (2022). Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/1fcebdfb-7463-4586-9f07-560daea5285b/3097401.pdf
NLM
Shasmal N, Rodrigues ACM, Faria WJGJ, de Camargo ASS. Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1fcebdfb-7463-4586-9f07-560daea5285b/3097401.pdf
Vancouver
Shasmal N, Rodrigues ACM, Faria WJGJ, de Camargo ASS. Synthesis and optical properties of II-VI semiconductor quantum dot/RE3+ co-doped borosilicate glasses [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1fcebdfb-7463-4586-9f07-560daea5285b/3097401.pdf

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