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  • Artigo de periodico

    Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs (2001)

    Orellana, W; Ferraz, A. C.

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NITROGÊNIO, ESTADO SÓLIDO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

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    • ABNT

      ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 9, p. 1231-1233, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1351524. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2001). Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, 78( 9), 1231-1233. doi:10.1063/1.1351524

    • NLM

      Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524

    • Vancouver

      Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524

  • Artigo de periodico

    Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure (2001)

    Husberg, O; Khartchenko, A; As, D J; Vogelsang, H; Frey, T; Schikora, D; Noriega, O C; Tabata, A; Leite, J. R.

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      HUSBERG, O et al. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, v. 79, n. 9, p. 1243-1245, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1396314. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Husberg, O., Khartchenko, A., As, D. J., Vogelsang, H., Frey, T., Schikora, D., et al. (2001). Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, 79( 9), 1243-1245. doi:10.1063/1.1396314

    • NLM

      Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314

    • Vancouver

      Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314

  • Artigo de periodico

    Multiwavelength thermal lens determination of fluorescence quantum efficiency of solids: application to 'Nd POT.3+'-doped fluoride glass (2001)

    Lima, S M; Andrade, A A; Lebullenger, Ronan; Hernandes, Antônio Carlos ; Catunda, Tomaz ; Baesso, Mauro Luciano

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC

    Assunto: DIELÉTRICOS

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    • ABNT

      LIMA, S M et al. Multiwavelength thermal lens determination of fluorescence quantum efficiency of solids: application to 'Nd POT.3+'-doped fluoride glass. Applied Physics Letters, v. 78, n. 21, p. 3220-3222, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1375000. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Lima, S. M., Andrade, A. A., Lebullenger, R., Hernandes, A. C., Catunda, T., & Baesso, M. L. (2001). Multiwavelength thermal lens determination of fluorescence quantum efficiency of solids: application to 'Nd POT.3+'-doped fluoride glass. Applied Physics Letters, 78( 21), 3220-3222. doi:10.1063/1.1375000

    • NLM

      Lima SM, Andrade AA, Lebullenger R, Hernandes AC, Catunda T, Baesso ML. Multiwavelength thermal lens determination of fluorescence quantum efficiency of solids: application to 'Nd POT.3+'-doped fluoride glass [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 21): 3220-3222.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1375000

    • Vancouver

      Lima SM, Andrade AA, Lebullenger R, Hernandes AC, Catunda T, Baesso ML. Multiwavelength thermal lens determination of fluorescence quantum efficiency of solids: application to 'Nd POT.3+'-doped fluoride glass [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 21): 3220-3222.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1375000

  • Artigo de periodico

    Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes (2001)

    Caldas, Marilia Junqueira ; Pettenati, Emanuele; Goldoni, Guido; Molinari, Elisa

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: EMISSÃO DA LUZ (PROPRIEDADES), FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      CALDAS, Marilia Junqueira et al. Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes. Applied Physics Letters, v. 79, n. 16, p. 2505-2507, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389325. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Caldas, M. J., Pettenati, E., Goldoni, G., & Molinari, E. (2001). Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes. Applied Physics Letters, 79( 16), 2505-2507. doi:10.1063/1.1389325

    • NLM

      Caldas MJ, Pettenati E, Goldoni G, Molinari E. Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 16): 2505-2507.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389325

    • Vancouver

      Caldas MJ, Pettenati E, Goldoni G, Molinari E. Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 16): 2505-2507.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389325

  • Artigo de periodico

    Aluminium-induced crystallization of hydrogenated amorphous germanium thin films (2001)

    Chambouleyron, Ivan; Fajardo, Francisco; Zanatta, Antonio Ricardo

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC

    Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS

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    • ABNT

      CHAMBOULEYRON, Ivan e FAJARDO, Francisco e ZANATTA, Antonio Ricardo. Aluminium-induced crystallization of hydrogenated amorphous germanium thin films. Applied Physics Letters, v. 79, n. 20, p. 3233-3235, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1415772. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Chambouleyron, I., Fajardo, F., & Zanatta, A. R. (2001). Aluminium-induced crystallization of hydrogenated amorphous germanium thin films. Applied Physics Letters, 79( 20), 3233-3235. doi:10.1063/1.1415772

    • NLM

      Chambouleyron I, Fajardo F, Zanatta AR. Aluminium-induced crystallization of hydrogenated amorphous germanium thin films [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ;79( 20): 3233-3235.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1415772

    • Vancouver

      Chambouleyron I, Fajardo F, Zanatta AR. Aluminium-induced crystallization of hydrogenated amorphous germanium thin films [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ;79( 20): 3233-3235.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1415772

  • Artigo de periodico

    Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors (2001)

    Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, v. 79, n. 22, p. 3630-3632, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1421623. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2001). Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, 79( 22), 3630-3632. doi:10.1063/1.1421623

    • NLM

      Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623

    • Vancouver

      Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623

  • Artigo de periodico

    Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs (2001)

    Schmidt, T M; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 7, p. 907-909, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1347005. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, 78( 7), 907-909. doi:10.1063/1.1347005

    • NLM

      Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005

    • Vancouver

      Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005

  • Artigo de periodico

    Visible luminescence from a-SiN films doped with Er and Sm (2001)

    Zanatta, Antonio Ricardo ; Ribeiro, C T M; Jahn, U

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ZANATTA, Antonio Ricardo e RIBEIRO, C T M e JAHN, U. Visible luminescence from a-SiN films doped with Er and Sm. Applied Physics Letters, v. 79, n. 4, p. 488-490, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389069. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Zanatta, A. R., Ribeiro, C. T. M., & Jahn, U. (2001). Visible luminescence from a-SiN films doped with Er and Sm. Applied Physics Letters, 79( 4), 488-490. doi:10.1063/1.1389069

    • NLM

      Zanatta AR, Ribeiro CTM, Jahn U. Visible luminescence from a-SiN films doped with Er and Sm [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ;79( 4): 488-490.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389069

    • Vancouver

      Zanatta AR, Ribeiro CTM, Jahn U. Visible luminescence from a-SiN films doped with Er and Sm [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ;79( 4): 488-490.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389069

  • Artigo de periodico

    Field-induced sharp ferroelectric phase transition in 'Sr IND.0.66''Ba IND.0.34''Nb IND.2''O IND.6' relaxor ferroelectric (2001)

    Santos, I A; Garcia, Ducinei; Eiras, J A; Manoel, E R; Hernandes, Antônio Carlos

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC

    Assuntos: DIELÉTRICOS, MATÉRIA CONDENSADA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, I A et al. Field-induced sharp ferroelectric phase transition in 'Sr IND.0.66''Ba IND.0.34''Nb IND.2''O IND.6' relaxor ferroelectric. Applied Physics Letters, v. 79, n. 17, p. 2800-2802, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1413727. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Santos, I. A., Garcia, D., Eiras, J. A., Manoel, E. R., & Hernandes, A. C. (2001). Field-induced sharp ferroelectric phase transition in 'Sr IND.0.66''Ba IND.0.34''Nb IND.2''O IND.6' relaxor ferroelectric. Applied Physics Letters, 79( 17), 2800-2802. doi:10.1063/1.1413727

    • NLM

      Santos IA, Garcia D, Eiras JA, Manoel ER, Hernandes AC. Field-induced sharp ferroelectric phase transition in 'Sr IND.0.66''Ba IND.0.34''Nb IND.2''O IND.6' relaxor ferroelectric [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 17): 2800-2802.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1413727

    • Vancouver

      Santos IA, Garcia D, Eiras JA, Manoel ER, Hernandes AC. Field-induced sharp ferroelectric phase transition in 'Sr IND.0.66''Ba IND.0.34''Nb IND.2''O IND.6' relaxor ferroelectric [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 17): 2800-2802.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1413727

  • Artigo de periodico

    Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices (2001)

    Henriques, André Bohomoletz

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      HENRIQUES, André Bohomoletz. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices. Applied Physics Letters, v. 78, n. 6, p. 691-693, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1346627. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Henriques, A. B. (2001). Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices. Applied Physics Letters, 78( 6), 691-693. doi:10.1063/1.1346627

    • NLM

      Henriques AB. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 6): 691-693.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1346627

    • Vancouver

      Henriques AB. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 6): 691-693.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1346627
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