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  • Artigo de periodico

    Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures (2004)

    Boselli, M A; Lima, I C da Cunha; Leite, J. R.; Troper, A; Ghazali, A

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, FERROMAGNETISMO, MÉTODO DE MONTE CARLO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      BOSELLI, M A et al. Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures. Applied Physics Letters, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1646759. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Boselli, M. A., Lima, I. C. da C., Leite, J. R., Troper, A., & Ghazali, A. (2004). Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures. Applied Physics Letters. doi:10.1063/1.1646759

    • NLM

      Boselli MA, Lima IC da C, Leite JR, Troper A, Ghazali A. Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1646759

    • Vancouver

      Boselli MA, Lima IC da C, Leite JR, Troper A, Ghazali A. Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1646759

  • Artigo de periodico

    Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)

    Chitta, Valmir Antonio ; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590

    • NLM

      Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590

    • Vancouver

      Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590

  • Artigo de periodico

    Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" (2004)

    Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lino, A T; Freire, V N; Farias, G A; Silva, Junior, E F da

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS

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    • ABNT

      GARCIA, Joelson Cott et al. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, v. 85, n. 21, p. 5022-5024, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva, J. (2004). Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, 85( 21), 5022-5024. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips

    • NLM

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' (2003)

    Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, FILMES FINOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SILVA, M J da et al. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1569053. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, 82( 16), 2646-2648. doi:10.1063/1.1569053

    • NLM

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053

    • Vancouver

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053

  • Artigo de periodico

    Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function (2003)

    Marques, M; Teles, L. K.; Anjos, V; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F da

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922

  • Artigo de periodico

    Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys (2003)

    Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmüller, J; Bechstedt, F

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, v. 83, n. 5, p. 890-892, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2003). Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, 83( 5), 890-892. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

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      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)

    Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

    • NLM

      Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys (2002)

    Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Furthmuller, K; Bechstedt, F

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: TERMODINÂMICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, v. 80, n. 7, p. 1177-1178, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, K., & Bechstedt, F. (2002). Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, 80( 7), 1177-1178. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips

    • NLM

      Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy (2002)

    Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINI, S et al. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, v. 81, n. 15, p. 2863-2865, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1513182. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Martini, S., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2002). Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, 81( 15), 2863-2865. doi:10.1063/1.1513182

    • NLM

      Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 15): 2863-2865.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1513182

    • Vancouver

      Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 15): 2863-2865.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1513182

  • Artigo de periodico

    Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain (2002)

    Tabata, A; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Kharchenko, A; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K; Furthmüller, J; Bechstedt, F

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TABATA, A et al. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, v. 80, n. 5, p. 769-771, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1436270. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Kharchenko, A., Frey, T., et al. (2002). Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, 80( 5), 769-771. doi:10.1063/1.1436270

    • NLM

      Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270

    • Vancouver

      Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270

  • Artigo de periodico

    Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure (2001)

    Husberg, O; Khartchenko, A; As, D J; Vogelsang, H; Frey, T; Schikora, D; Noriega, O C; Tabata, A; Leite, J. R.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      HUSBERG, O et al. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, v. 79, n. 9, p. 1243-1245, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1396314. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Husberg, O., Khartchenko, A., As, D. J., Vogelsang, H., Frey, T., Schikora, D., et al. (2001). Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, 79( 9), 1243-1245. doi:10.1063/1.1396314

    • NLM

      Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314

    • Vancouver

      Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314

  • Artigo de periodico

    Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices (2000)

    Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, S C P et al. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, v. 76, n. 8, p. 1015-1017, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.125924. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2000). Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, 76( 8), 1015-1017. doi:10.1063/1.125924

    • NLM

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924

    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924

  • Artigo de periodico

    Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering (1999)

    Silveira, E.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVEIRA, E. et al. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, v. 75, n. 23, p. 3602-3604, 1999Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Silveira, E., Tabata, A., Leite, J. R., Trentin, R., Lemos, V., Frey, T., et al. (1999). Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, 75( 23), 3602-3604.

    • NLM

      Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 07 ]

    • Vancouver

      Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 07 ]

  • Artigo de periodico

    Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)

    Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072

    • NLM

      Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072

    • Vancouver

      Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072

  • Artigo de periodico

    Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers (1999)

    Tabata, A.; Leite, J. R.; Lima, A. P.; Silveira, E.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TABATA, A. et al. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 75, n. 8, p. 1095-1097, 1999Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Tabata, A., Leite, J. R., Lima, A. P., Silveira, E., Frey, T., As, D. J., et al. (1999). Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, 75( 8), 1095-1097.

    • NLM

      Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 07 ]

    • Vancouver

      Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 07 ]

  • Artigo de periodico

    Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam (1998)

    Martinelli, Marcelo ; Bian, S; Leite, J. R.; Horowicz, Ricardo Josué

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      MARTINELLI, Marcelo et al. Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam. Applied Physics Letters, v. 72, n. 12, p. 1427-1429, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.120584. Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Martinelli, M., Bian, S., Leite, J. R., & Horowicz, R. J. (1998). Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam. Applied Physics Letters, 72( 12), 1427-1429. doi:10.1063/1.120584

    • NLM

      Martinelli M, Bian S, Leite JR, Horowicz RJ. Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam [Internet]. Applied Physics Letters. 1998 ; 72( 12): 1427-1429.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120584

    • Vancouver

      Martinelli M, Bian S, Leite JR, Horowicz RJ. Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam [Internet]. Applied Physics Letters. 1998 ; 72( 12): 1427-1429.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120584

  • Artigo de periodico

    Hole confinement effects on multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS' (1992)

    Shibili, S M; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SHIBILI, S M e SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. Hole confinement effects on multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Applied Physics Letters, v. 60, n. ju 1992, p. 2895, 1992Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Shibili, S. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1992). Hole confinement effects on multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Applied Physics Letters, 60( ju 1992), 2895.

    • NLM

      Shibili SM, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole confinement effects on multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Applied Physics Letters. 1992 ;60( ju 1992): 2895.[citado 2025 nov. 07 ]

    • Vancouver

      Shibili SM, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole confinement effects on multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Applied Physics Letters. 1992 ;60( ju 1992): 2895.[citado 2025 nov. 07 ]

  • Artigo de periodico

    Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon (1985)

    Gomes, V M S; Leite, J. R.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GOMES, V M S e LEITE, J. R. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, v. 47, p. 824-6, 1985Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2025.

    • APA

      Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, 47, 824-6.

    • NLM

      Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2025 nov. 07 ]

    • Vancouver

      Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2025 nov. 07 ]
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