ReP USP - Resultado da busca

Parte de monografia/livro
Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K (1997)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Nome do evento: Symposium Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 1997. . . Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (1997). Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. In 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. In: 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 jul. 30 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. In: 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 jul. 30 ]
Tese (Livre Docência)
Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais (1997)
Pereira, José Carlos
Unidade: EESC
Assuntos: PROCESSAMENTO DIGITAL DE SINAIS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, José Carlos. Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais. 1997. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1997. . Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Pereira, J. C. (1997). Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Carlos.
NLM
Pereira JC. Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais. 1997 ;[citado 2024 jul. 30 ]
Vancouver
Pereira JC. Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais. 1997 ;[citado 2024 jul. 30 ]
Artigo de periodico
Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k (1997)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Colinge, Jean-Pierre
Fonte: Microelectronic Engineering. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e COLINGE, Jean-Pierre. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k. Microelectronic Engineering, v. 36, n. 1-4, p. 375-378, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Colinge, J. -P. (1997). Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k. Microelectronic Engineering, 36( 1-4), 375-378. doi:10.1016/s0167-9317(97)00083-x
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k [Internet]. Microelectronic Engineering. 1997 ; 36( 1-4): 375-378.[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k [Internet]. Microelectronic Engineering. 1997 ; 36( 1-4): 375-378.[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x
Parte de monografia/livro
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs (1997)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Nome do evento: Symposium Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 1997. . . Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1997). A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. In Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Pavanello MA, Martino JA. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. In: Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 jul. 30 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. In: Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 jul. 30 ]

Unidades USP

ReP

Filtros

Autores