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Relatorio tecnico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Artigo de periodico
InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature (2016)
Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Verhulist, A.; Verreck, D.; Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Martino, João Antonio ; Alian1, Y. Mols1, C. C. M. Bordallo2, D. Verreck3, A. Verhulst1, A. Vandooren1, R. Rooyackers1, P. G. D. Agopian2,4, J. A. Martino2, A. Thean1,a), D. Lin1, D. Mocuta1, and N. Collaert1
Source: Applied Physics Letters. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
ALIAN, A et al. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, v. 109, n. 24, p. 243502, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4971830. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Alian, A., Agopian, P. G. D., Verhulist, A., Verreck, D., Bordallo, C. C. M., Martino, J. A., & Alian1, Y. M. 1. (2016). InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, 109( 24), 243502. doi:10.1063/1.4971830
NLM
Alian A, Agopian PGD, Verhulist A, Verreck D, Bordallo CCM, Martino JA, Alian1 YM1. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 109( 24): 243502.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4971830
Vancouver
Alian A, Agopian PGD, Verhulist A, Verreck D, Bordallo CCM, Martino JA, Alian1 YM1. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 109( 24): 243502.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4971830
Trabalho de evento-resumo
Electronics in Brazil (2016)
Faria, Roberto Mendonça
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: ELETRÔNICA, MICROELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
FARIA, Roberto Mendonça. Electronics in Brazil. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6BS. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Faria, R. M. (2016). Electronics in Brazil. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6BS
NLM
Faria RM. Electronics in Brazil [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6BS
Vancouver
Faria RM. Electronics in Brazil [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6BS
Artigo de periodico
Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals (2009)
Huanca, Danilo Roque ; Raimundo, Daniel Scodeler; Salcedo, Walter Jaimes
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA, ELETROQUÍMICA
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ABNT
HUANCA, Danilo Roque e RAIMUNDO, Daniel Scodeler e SALCEDO, Walter Jaimes. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals. Microelectronics Journal, v. 40, n. 4-5, p. 744-748, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Huanca, D. R., Raimundo, D. S., & Salcedo, W. J. (2009). Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals. Microelectronics Journal, 40( 4-5), 744-748. doi:10.1016/j.mejo.2008.11.005
NLM
Huanca DR, Raimundo DS, Salcedo WJ. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 744-748.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005
Vancouver
Huanca DR, Raimundo DS, Salcedo WJ. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 744-748.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005
Artigo de periodico
Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis (2009)
Raimundo, Daniel Scodeler; Calíope, Priscila Braga; Huanca, Danilo Roque ; Salcedo, Walter Jaimes
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAIMUNDO, Daniel Scodeler et al. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis. Microelectronics Journal, v. 40, n. 4-5, p. 844-847, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Raimundo, D. S., Calíope, P. B., Huanca, D. R., & Salcedo, W. J. (2009). Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis. Microelectronics Journal, 40( 4-5), 844-847. doi:10.1016/j.mejo.2008.11.024
NLM
Raimundo DS, Calíope PB, Huanca DR, Salcedo WJ. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 844-847.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024
Vancouver
Raimundo DS, Calíope PB, Huanca DR, Salcedo WJ. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 844-847.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024
Dissertação (Mestrado)
Uma contribuição ao desenvolvimento de displays poliméricos com a técnica Ink Jet (2008)
Silva, Alex Frazatti; Andrade, Adnei Melges de (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA, DISPLAYS
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ABNT
SILVA, Alex Frazatti. Uma contribuição ao desenvolvimento de displays poliméricos com a técnica Ink Jet. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24092008-134735/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Silva, A. F. (2008). Uma contribuição ao desenvolvimento de displays poliméricos com a técnica Ink Jet (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24092008-134735/
NLM
Silva AF. Uma contribuição ao desenvolvimento de displays poliméricos com a técnica Ink Jet [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24092008-134735/
Vancouver
Silva AF. Uma contribuição ao desenvolvimento de displays poliméricos com a técnica Ink Jet [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24092008-134735/
Dissertação (Mestrado)
Estudo das camadas transportadoras de elétrons em dispositivos poliméricos emissores de luz (2008)
Gimaiel, Helena Liberatori; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA, DISPLAYS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GIMAIEL, Helena Liberatori. Estudo das camadas transportadoras de elétrons em dispositivos poliméricos emissores de luz. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02022009-163223/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Gimaiel, H. L. (2008). Estudo das camadas transportadoras de elétrons em dispositivos poliméricos emissores de luz (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02022009-163223/
NLM
Gimaiel HL. Estudo das camadas transportadoras de elétrons em dispositivos poliméricos emissores de luz [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02022009-163223/
Vancouver
Gimaiel HL. Estudo das camadas transportadoras de elétrons em dispositivos poliméricos emissores de luz [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02022009-163223/
Dissertação (Mestrado)
Estabilidade e plasticidade de nanofios de silício (2006)
Menezes, Rafael Dias; Justo Filho, João Francisco (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MENEZES, Rafael Dias. Estabilidade e plasticidade de nanofios de silício. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042007-232332/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Menezes, R. D. (2006). Estabilidade e plasticidade de nanofios de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042007-232332/
NLM
Menezes RD. Estabilidade e plasticidade de nanofios de silício [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042007-232332/
Vancouver
Menezes RD. Estabilidade e plasticidade de nanofios de silício [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042007-232332/
Artigo de periodico
Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)
Monte, A F G; Cunha, J F R; Soler, M A P; Silva, S W; Quivy, A. A.; Morais, P C
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003
NLM
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Vancouver
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Artigo de periodico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, A. A.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 219-222, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 219-222. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.010
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Artigo de periodico
Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process (2003)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: IEEE Sensors Journal,. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process. IEEE Sensors Journal, v. 3, n. 6, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/icsens.2002.1037163. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2003). Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process. IEEE Sensors Journal,, 3( 6). doi:10.1109/icsens.2002.1037163
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process [Internet]. IEEE Sensors Journal,. 2003 ; 3( 6):[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/icsens.2002.1037163
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process [Internet]. IEEE Sensors Journal,. 2003 ; 3( 6):[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/icsens.2002.1037163

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