ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density (1996)
Maialle, M Z; Hipólito, Oscar
Source: American Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIALLE, M Z e HIPÓLITO, Oscar. Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density. American Journal of Physics, v. 64, n. 4 , p. 434-6, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1119/1.18186. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1996). Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density. American Journal of Physics, 64( 4 ), 434-6. doi:10.1119/1.18186
NLM
Maialle MZ, Hipólito O. Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density [Internet]. American Journal of Physics. 1996 ;64( 4 ): 434-6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1119/1.18186
Vancouver
Maialle MZ, Hipólito O. Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density [Internet]. American Journal of Physics. 1996 ;64( 4 ): 434-6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1119/1.18186
Trabalho de evento-resumo
Modelo teorico de fio quantico (1996)
Mosman Junior, E. O.; Hipólito, Oscar
Source: [Resumos]. Conference titles: Simpósio de Iniciação Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOSMAN JUNIOR, E. O. e HIPÓLITO, Oscar. Modelo teorico de fio quantico. 1996, Anais.. São Carlos: USP, 1996. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mosman Junior, E. O., & Hipólito, O. (1996). Modelo teorico de fio quantico. In [Resumos]. São Carlos: USP.
NLM
Mosman Junior EO, Hipólito O. Modelo teorico de fio quantico. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Mosman Junior EO, Hipólito O. Modelo teorico de fio quantico. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects (1994)
Hipólito, Oscar; Leão, Salviano A.; Silva, A. Ferreira da
Source: Materials Research Society Symposium Proceedings. Conference titles: MRS Fall Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HIPÓLITO, Oscar e LEÃO, Salviano A. e SILVA, A. Ferreira da. Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects. 1994, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1994. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-325-183. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Hipólito, O., Leão, S. A., & Silva, A. F. da. (1994). Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 325). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-325-183
NLM
Hipólito O, Leão SA, Silva AF da. Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-183
Vancouver
Hipólito O, Leão SA, Silva AF da. Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-183
Trabalho de evento
Density of states of hydrogenic impurities in 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' quantum wires (1994)
Leão, Salviano A.; Hipólito, Oscar; Silva, A. Ferreira
Source: Materials Research Society Symposium Proceedings. Conference titles: MRS Fall Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEÃO, Salviano A. e HIPÓLITO, Oscar e SILVA, A. Ferreira. Density of states of hydrogenic impurities in 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' quantum wires. 1994, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1994. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-325-93. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Leão, S. A., Hipólito, O., & Silva, A. F. (1994). Density of states of hydrogenic impurities in 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' quantum wires. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 325). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-325-93
NLM
Leão SA, Hipólito O, Silva AF. Density of states of hydrogenic impurities in 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' quantum wires [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-93
Vancouver
Leão SA, Hipólito O, Silva AF. Density of states of hydrogenic impurities in 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' quantum wires [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-93
Trabalho de evento-resumo
Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' (1991)
Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Schrappe, B.; Degani, Marcos Henrique; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Electronic Properties Two-Dimension Systems. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS'. 1991, Anais.. Nara: , Universidade de São Paulo, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Schrappe, B., Degani, M. H., Ioriatti Júnior, L. C., & Hipólito, O. (1991). Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS'. In Abstracts. Nara: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1991 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1991 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
Trabalho de evento-resumo
Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires (1990)
Campos, V. B.; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Conference on Superlattices and Microstructures. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPOS, V. B. e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. 1990, Anais.. Berlin: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Campos, V. B., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1990). Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. In Abstracts. Berlin: , Universidade de São Paulo.
NLM
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Resonant bound polaron in semiconductor quantum well (1990)
Osório, Francisco P.; Maialle, Marcelo Z.; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Centre of Condensed Matter Physics. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSÓRIO, Francisco P. e MAIALLE, Marcelo Z. e HIPÓLITO, Oscar. Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. 1990, Anais.. Brasília: Universidade de Brasília - UNB, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Osório, F. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1990). Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. In Abstracts. Brasília: Universidade de Brasília - UNB.
NLM
Osório FP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Osório FP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Parte de monografia/livro
Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures (1990)
Hipólito, Oscar; Degani, Marcos Henrique; Freitas, U; Studart, N; Campos, V B
Source: Correlations in Electronic and Atomic Fluids. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HIPÓLITO, Oscar et al. Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures. Correlations in Electronic and Atomic Fluids. Tradução . New York: World Scientific, 1990. . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Hipólito, O., Degani, M. H., Freitas, U., Studart, N., & Campos, V. B. (1990). Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures. In Correlations in Electronic and Atomic Fluids. New York: World Scientific. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf
NLM
Hipólito O, Degani MH, Freitas U, Studart N, Campos VB. Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures [Internet]. In: Correlations in Electronic and Atomic Fluids. New York: World Scientific; 1990. [citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf
Vancouver
Hipólito O, Degani MH, Freitas U, Studart N, Campos VB. Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures [Internet]. In: Correlations in Electronic and Atomic Fluids. New York: World Scientific; 1990. [citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Iikawa, F.; Motisuke, Paulo; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings of SPIE. Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 04 nov. 2025. , 1990
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Trabalho de evento
Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures (1990)
Osório, F. A. P.; Maialle, M. Z.; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSÓRIO, F. A. P. e MAIALLE, M. Z. e HIPÓLITO, Oscar. Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Osório, F. A. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1990). Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A. A.; Brum, J. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. 1990, Anais.. Crete: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. In Abstracts. Crete: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS' (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. 1990, Anais.. San Diego: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. In Abstracts. San Diego: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence (1989)
Bernussi, A. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Escola Brasileira de Física de Semicondutores. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. 1989, Anais.. Belo Horizonte: UFMG, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. In Anais. Belo Horizonte: UFMG.
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS' / 'AL''AS' and 'IN''AS' / 'GA''SB' quantum wells (1989)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Superlatices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS' / 'AL''AS' and 'IN''AS' / 'GA''SB' quantum wells. Superlatices and Microstructures, v. 5 , n. 2 , p. 141-4, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0749-6036(89)90269-3. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Degani, M. H., & Hipólito, O. (1989). Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS' / 'AL''AS' and 'IN''AS' / 'GA''SB' quantum wells. Superlatices and Microstructures, 5 ( 2 ), 141-4. doi:10.1016/0749-6036(89)90269-3
NLM
Degani MH, Hipólito O. Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS' / 'AL''AS' and 'IN''AS' / 'GA''SB' quantum wells [Internet]. Superlatices and Microstructures. 1989 ;5 ( 2 ): 141-4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(89)90269-3
Vancouver
Degani MH, Hipólito O. Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS' / 'AL''AS' and 'IN''AS' / 'GA''SB' quantum wells [Internet]. Superlatices and Microstructures. 1989 ;5 ( 2 ): 141-4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(89)90269-3
Trabalho de evento-resumo
Eletrons quentes em fios quanticos (1989)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Eletrons quentes em fios quanticos. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1cf1ef57-51a4-4180-bc02-0f734c2d17ae/PROD001121_789226.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Degani, M. H., & Hipólito, O. (1989). Eletrons quentes em fios quanticos. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/1cf1ef57-51a4-4180-bc02-0f734c2d17ae/PROD001121_789226.pdf
NLM
Degani MH, Hipólito O. Eletrons quentes em fios quanticos [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1cf1ef57-51a4-4180-bc02-0f734c2d17ae/PROD001121_789226.pdf
Vancouver
Degani MH, Hipólito O. Eletrons quentes em fios quanticos [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1cf1ef57-51a4-4180-bc02-0f734c2d17ae/PROD001121_789226.pdf
Trabalho de evento-resumo
Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1989)
Maialle, M Z; Osorio, F A P; Hipólito, Oscar
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIALLE, M Z e OSORIO, F A P e HIPÓLITO, Oscar. Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2e15cba1-ba82-4fa6-b4c6-fb25bef3df4d/PROD001122_789238.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Maialle, M. Z., Osorio, F. A. P., & Hipólito, O. (1989). Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2e15cba1-ba82-4fa6-b4c6-fb25bef3df4d/PROD001122_789238.pdf
NLM
Maialle MZ, Osorio FAP, Hipólito O. Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2e15cba1-ba82-4fa6-b4c6-fb25bef3df4d/PROD001122_789238.pdf
Vancouver
Maialle MZ, Osorio FAP, Hipólito O. Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2e15cba1-ba82-4fa6-b4c6-fb25bef3df4d/PROD001122_789238.pdf

USP Schools

ReP

Filtros

Document Types

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Publisher

Conference titles

Countries/Territories

Non normalized affiliation