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Trabalho de evento-resumo
Modelo teorico de fio quantico (1996)
Mosman Junior, E. O.; Hipólito, Oscar
Fonte: [Resumos]. Nome do evento: Simpósio de Iniciação Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MOSMAN JUNIOR, E. O. e HIPÓLITO, Oscar. Modelo teorico de fio quantico. 1996, Anais.. São Carlos: USP, 1996. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Mosman Junior, E. O., & Hipólito, O. (1996). Modelo teorico de fio quantico. In [Resumos]. São Carlos: USP.
NLM
Mosman Junior EO, Hipólito O. Modelo teorico de fio quantico. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Mosman Junior EO, Hipólito O. Modelo teorico de fio quantico. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' (1991)
Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Schrappe, B.; Degani, Marcos Henrique; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Electronic Properties Two-Dimension Systems. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS'. 1991, Anais.. Nara: , Universidade de São Paulo, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Schrappe, B., Degani, M. H., Ioriatti Júnior, L. C., & Hipólito, O. (1991). Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS'. In Abstracts. Nara: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1991 ;[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1991 ;[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
Trabalho de evento-resumo
Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires (1990)
Campos, V. B.; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Conference on Superlattices and Microstructures. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
CAMPOS, V. B. e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. 1990, Anais.. Berlin: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Campos, V. B., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1990). Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. In Abstracts. Berlin: , Universidade de São Paulo.
NLM
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Resonant bound polaron in semiconductor quantum well (1990)
Osório, Francisco P.; Maialle, Marcelo Z.; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Centre of Condensed Matter Physics. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
OSÓRIO, Francisco P. e MAIALLE, Marcelo Z. e HIPÓLITO, Oscar. Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. 1990, Anais.. Brasília: Universidade de Brasília - UNB, 1990. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Osório, F. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1990). Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. In Abstracts. Brasília: Universidade de Brasília - UNB.
NLM
Osório FP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Osório FP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Parte de monografia/livro
Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures (1990)
Hipólito, Oscar; Degani, Marcos Henrique; Freitas, U; Studart, N; Campos, V B
Fonte: Correlations in Electronic and Atomic Fluids. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
HIPÓLITO, Oscar et al. Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures. Correlations in Electronic and Atomic Fluids. Tradução . New York: World Scientific, 1990. . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Hipólito, O., Degani, M. H., Freitas, U., Studart, N., & Campos, V. B. (1990). Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures. In Correlations in Electronic and Atomic Fluids. New York: World Scientific. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf
NLM
Hipólito O, Degani MH, Freitas U, Studart N, Campos VB. Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures [Internet]. In: Correlations in Electronic and Atomic Fluids. New York: World Scientific; 1990. [citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf
Vancouver
Hipólito O, Degani MH, Freitas U, Studart N, Campos VB. Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures [Internet]. In: Correlations in Electronic and Atomic Fluids. New York: World Scientific; 1990. [citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento
Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures (1990)
Osório, F. A. P.; Maialle, M. Z.; Hipólito, Oscar
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSÓRIO, F. A. P. e MAIALLE, M. Z. e HIPÓLITO, Oscar. Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Osório, F. A. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1990). Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A. A.; Brum, J. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. 1990, Anais.. Crete: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. In Abstracts. Crete: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento
MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence (1989)
Bernussi, A. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Anais. Nome do evento: Escola Brasileira de Física de Semicondutores. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. 1989, Anais.. Belo Horizonte: UFMG, 1989. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. In Anais. Belo Horizonte: UFMG.
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Eletrons quentes em fios quanticos (1989)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Eletrons quentes em fios quanticos. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1cf1ef57-51a4-4180-bc02-0f734c2d17ae/PROD001121_789226.pdf. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Degani, M. H., & Hipólito, O. (1989). Eletrons quentes em fios quanticos. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/1cf1ef57-51a4-4180-bc02-0f734c2d17ae/PROD001121_789226.pdf
NLM
Degani MH, Hipólito O. Eletrons quentes em fios quanticos [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1cf1ef57-51a4-4180-bc02-0f734c2d17ae/PROD001121_789226.pdf
Vancouver
Degani MH, Hipólito O. Eletrons quentes em fios quanticos [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1cf1ef57-51a4-4180-bc02-0f734c2d17ae/PROD001121_789226.pdf
Trabalho de evento-resumo
Eletron ligado a uma impureza doadora em um poco quantico de 'GA''AS' (1989)
Maialle, M Z; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIALLE, M Z e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Eletron ligado a uma impureza doadora em um poco quantico de 'GA''AS'. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be8fceb9-0753-49cc-a203-05a2619ce4d5/PROD001124_789239.pdf. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Maialle, M. Z., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1989). Eletron ligado a uma impureza doadora em um poco quantico de 'GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/be8fceb9-0753-49cc-a203-05a2619ce4d5/PROD001124_789239.pdf
NLM
Maialle MZ, Degani MH, Hipólito O. Eletron ligado a uma impureza doadora em um poco quantico de 'GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be8fceb9-0753-49cc-a203-05a2619ce4d5/PROD001124_789239.pdf
Vancouver
Maialle MZ, Degani MH, Hipólito O. Eletron ligado a uma impureza doadora em um poco quantico de 'GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be8fceb9-0753-49cc-a203-05a2619ce4d5/PROD001124_789239.pdf
Trabalho de evento-resumo
Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1989)
Maialle, M Z; Osorio, F A P; Hipólito, Oscar
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIALLE, M Z e OSORIO, F A P e HIPÓLITO, Oscar. Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2e15cba1-ba82-4fa6-b4c6-fb25bef3df4d/PROD001122_789238.pdf. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Maialle, M. Z., Osorio, F. A. P., & Hipólito, O. (1989). Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2e15cba1-ba82-4fa6-b4c6-fb25bef3df4d/PROD001122_789238.pdf
NLM
Maialle MZ, Osorio FAP, Hipólito O. Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2e15cba1-ba82-4fa6-b4c6-fb25bef3df4d/PROD001122_789238.pdf
Vancouver
Maialle MZ, Osorio FAP, Hipólito O. Magnetopolaron ligado a uma impureza hidrogenoide em um poco quantico de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2e15cba1-ba82-4fa6-b4c6-fb25bef3df4d/PROD001122_789238.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE (1989)
Bernussi, A. A.; Ilkawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional Systems - EP2DS8. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. 1989, Anais.. Grenoble: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Ilkawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. In Abstracts. Grenoble: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Ilkawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. Abstracts. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Bernussi AA, Ilkawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. Abstracts. 1989 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Eletrons ligados a uma impureza em um poco quantico de 'GA'as' (1988)
Maialle, M Z; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIALLE, M Z e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Eletrons ligados a uma impureza em um poco quantico de 'GA'as'. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Maialle, M. Z., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1988). Eletrons ligados a uma impureza em um poco quantico de 'GA'as'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Maialle MZ, Degani MH, Hipólito O. Eletrons ligados a uma impureza em um poco quantico de 'GA'as'. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Maialle MZ, Degani MH, Hipólito O. Eletrons ligados a uma impureza em um poco quantico de 'GA'as'. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Artigo de periodico
Bound impurity in 'GA''AS'-'GA IND.1-X''AL IND.X' as quantum-well wires (1988)
Osorio, F A P; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSORIO, F A P e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Bound impurity in 'GA''AS'-'GA IND.1-X''AL IND.X' as quantum-well wires. Physical Review B, v. 37, n. ja 1988, p. 1402-5, 1988Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Osorio, F. A. P., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1988). Bound impurity in 'GA''AS'-'GA IND.1-X''AL IND.X' as quantum-well wires. Physical Review B, 37( ja 1988), 1402-5.
NLM
Osorio FAP, Degani MH, Hipólito O. Bound impurity in 'GA''AS'-'GA IND.1-X''AL IND.X' as quantum-well wires. Physical Review B. 1988 ;37( ja 1988): 1402-5.[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Osorio FAP, Degani MH, Hipólito O. Bound impurity in 'GA''AS'-'GA IND.1-X''AL IND.X' as quantum-well wires. Physical Review B. 1988 ;37( ja 1988): 1402-5.[citado 2025 nov. 09 ]
Artigo de periodico
Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions (1988)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Fonte: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions. Surface Science, v. 196, n. 1-3, p. 459-65, 1988Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Degani, M. H., & Hipólito, O. (1988). Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions. Surface Science, 196( 1-3), 459-65.
NLM
Degani MH, Hipólito O. Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 459-65.[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Degani MH, Hipólito O. Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 459-65.[citado 2025 nov. 09 ]
Artigo de periodico
Ground-state energy of the polaron gas in two-dimensional semiconductor microstructures (1988)
Degani, Marcos Henrique; Freitas, U; Hipólito, Oscar; Studart, N
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DEGANI, Marcos Henrique et al. Ground-state energy of the polaron gas in two-dimensional semiconductor microstructures. Physical Review B, v. 37, n. ju 1988, p. 10137-42, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.10137. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Degani, M. H., Freitas, U., Hipólito, O., & Studart, N. (1988). Ground-state energy of the polaron gas in two-dimensional semiconductor microstructures. Physical Review B, 37( ju 1988), 10137-42. doi:10.1103/physrevb.37.10137
NLM
Degani MH, Freitas U, Hipólito O, Studart N. Ground-state energy of the polaron gas in two-dimensional semiconductor microstructures [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( ju 1988): 10137-42.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.10137
Vancouver
Degani MH, Freitas U, Hipólito O, Studart N. Ground-state energy of the polaron gas in two-dimensional semiconductor microstructures [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( ju 1988): 10137-42.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.10137
Trabalho de evento
Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS'-'AL''AS' and 'IN''AS'-'GA''AS' quantum wells (1988)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Fonte: Anais. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS'-'AL''AS' and 'IN''AS'-'GA''AS' quantum wells. 1988, Anais.. Trieste: , Universidade de São Paulo, 1988. . Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Degani, M. H., & Hipólito, O. (1988). Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS'-'AL''AS' and 'IN''AS'-'GA''AS' quantum wells. In Anais. Trieste: , Universidade de São Paulo.
NLM
Degani MH, Hipólito O. Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS'-'AL''AS' and 'IN''AS'-'GA''AS' quantum wells. Anais. 1988 ;[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Degani MH, Hipólito O. Competition between interface and bulk phonons in 'GA''AS'-'AL''AS' and 'IN''AS'-'GA''AS' quantum wells. Anais. 1988 ;[citado 2025 nov. 09 ]

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