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Trabalho de evento
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Basmaji, P.; Minondo, M.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Siu Li, M., Basmaji, P., & Minondo, M. (1990). Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Iikawa, F.; Motisuke, Paulo; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings of SPIE. Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 04 nov. 2025. , 1990
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular) (1990)
Arakaki, Haroldo; Silva, R. V.; Siu Li, Máximo ; Roda, Valentin Obac
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidades: IFQSC, IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
ARAKAKI, Haroldo et al. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Arakaki, H., Silva, R. V., Siu Li, M., & Roda, V. O. (1990). Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Arakaki H, Silva RV, Siu Li M, Roda VO. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Arakaki H, Silva RV, Siu Li M, Roda VO. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio (1990)
Baffa, Oswaldo; Abreu, M; Siu Li, Máximo ; Rubbi, E
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidades: IFSC, FFCLRP
Subjects: FÍSICA, INSTRUMENTAÇÃO (FÍSICA)
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ABNT
BAFFA, Oswaldo et al. Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/56b7ead3-ce7d-46af-9c16-b5cfc528d38f/PROD001363_799820.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Baffa, O., Abreu, M., Siu Li, M., & Rubbi, E. (1990). Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/56b7ead3-ce7d-46af-9c16-b5cfc528d38f/PROD001363_799820.pdf
NLM
Baffa O, Abreu M, Siu Li M, Rubbi E. Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/56b7ead3-ce7d-46af-9c16-b5cfc528d38f/PROD001363_799820.pdf
Vancouver
Baffa O, Abreu M, Siu Li M, Rubbi E. Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/56b7ead3-ce7d-46af-9c16-b5cfc528d38f/PROD001363_799820.pdf
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Trabalho de evento-resumo
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A. A.; Brum, J. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. 1990, Anais.. Crete: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. In Abstracts. Crete: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS' (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. 1990, Anais.. San Diego: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. In Abstracts. San Diego: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence (1989)
Bernussi, A. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Escola Brasileira de Física de Semicondutores. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. 1989, Anais.. Belo Horizonte: UFMG, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. In Anais. Belo Horizonte: UFMG.
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS' (1989)
Minami, E.; Migliato, J.; Notari, A.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MINAMI, E. et al. Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'. 1989, Anais.. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/adba3776-bc45-4f36-9642-3ee62d0707ac/PROD001031_2288444.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Minami, E., Migliato, J., Notari, A., Ceschin, A. M., Basmaji, P., & Siu Li, M. (1989). Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'. In Anais. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/adba3776-bc45-4f36-9642-3ee62d0707ac/PROD001031_2288444.pdf
NLM
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS' [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/adba3776-bc45-4f36-9642-3ee62d0707ac/PROD001031_2288444.pdf
Vancouver
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS' [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/adba3776-bc45-4f36-9642-3ee62d0707ac/PROD001031_2288444.pdf
Dissertação (Mestrado)
Estudo da presenca de pares de 'CU POT.+'-Oc'N POT.-'C'N POT.-' No cristal k'CL' (1989)
Oliveira, Lígia de; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Lígia de. Estudo da presenca de pares de 'CU POT.+'-Oc'N POT.-'C'N POT.-' No cristal k'CL'. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1989. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-06022014-101453/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Oliveira, L. de. (1989). Estudo da presenca de pares de 'CU POT.+'-Oc'N POT.-'C'N POT.-' No cristal k'CL' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-06022014-101453/
NLM
Oliveira L de. Estudo da presenca de pares de 'CU POT.+'-Oc'N POT.-'C'N POT.-' No cristal k'CL' [Internet]. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-06022014-101453/
Vancouver
Oliveira L de. Estudo da presenca de pares de 'CU POT.+'-Oc'N POT.-'C'N POT.-' No cristal k'CL' [Internet]. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-06022014-101453/
Trabalho de evento-resumo
Estudo da interação das impurezas substitucionais 'CU POT.+' E 'CN POT.-' na rede de k'CL' (1989)
Oliveira, L.; Siu Li, Máximo ; Magna, P
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, L. e SIU LI, Máximo e MAGNA, P. Estudo da interação das impurezas substitucionais 'CU POT.+' E 'CN POT.-' na rede de k'CL'. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3b946116-8275-4c10-9790-5374914433d2/PROD001056_786046.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Oliveira, L., Siu Li, M., & Magna, P. (1989). Estudo da interação das impurezas substitucionais 'CU POT.+' E 'CN POT.-' na rede de k'CL'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3b946116-8275-4c10-9790-5374914433d2/PROD001056_786046.pdf
NLM
Oliveira L, Siu Li M, Magna P. Estudo da interação das impurezas substitucionais 'CU POT.+' E 'CN POT.-' na rede de k'CL' [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3b946116-8275-4c10-9790-5374914433d2/PROD001056_786046.pdf
Vancouver
Oliveira L, Siu Li M, Magna P. Estudo da interação das impurezas substitucionais 'CU POT.+' E 'CN POT.-' na rede de k'CL' [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3b946116-8275-4c10-9790-5374914433d2/PROD001056_786046.pdf
Artigo de periodico
Espectroscopia de absorcao com campo externo em k'CL': c'N POT.-' (1989)
Guzman Martel, G; Siu Li, Máximo
Source: Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUZMAN MARTEL, G e SIU LI, Máximo. Espectroscopia de absorcao com campo externo em k'CL': c'N POT.-'. Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao, v. 4 , n. 1 , p. 1-11, 1989Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Guzman Martel, G., & Siu Li, M. (1989). Espectroscopia de absorcao com campo externo em k'CL': c'N POT.-'. Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao, 4 ( 1 ), 1-11.
NLM
Guzman Martel G, Siu Li M. Espectroscopia de absorcao com campo externo em k'CL': c'N POT.-'. Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao. 1989 ;4 ( 1 ): 1-11.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Guzman Martel G, Siu Li M. Espectroscopia de absorcao com campo externo em k'CL': c'N POT.-'. Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao. 1989 ;4 ( 1 ): 1-11.[citado 2025 nov. 04 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização do'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.+3' como meio ativo para lasers de estado sólido através dos espectros de absorção/emissão polarizada e medida dos tempos de vida de luminescência (1989)
Milori, Debora Marcondes Bastos Pereira; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MILORI, Debora Marcondes Bastos Pereira. Caracterização do'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.+3' como meio ativo para lasers de estado sólido através dos espectros de absorção/emissão polarizada e medida dos tempos de vida de luminescência. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1989. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-19052009-104534/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Milori, D. M. B. P. (1989). Caracterização do'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.+3' como meio ativo para lasers de estado sólido através dos espectros de absorção/emissão polarizada e medida dos tempos de vida de luminescência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-19052009-104534/
NLM
Milori DMBP. Caracterização do'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.+3' como meio ativo para lasers de estado sólido através dos espectros de absorção/emissão polarizada e medida dos tempos de vida de luminescência [Internet]. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-19052009-104534/
Vancouver
Milori DMBP. Caracterização do'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.+3' como meio ativo para lasers de estado sólido através dos espectros de absorção/emissão polarizada e medida dos tempos de vida de luminescência [Internet]. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-19052009-104534/
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE (1989)
Bernussi, A. A.; Ilkawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional Systems - EP2DS8. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. 1989, Anais.. Grenoble: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Ilkawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. In Abstracts. Grenoble: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Ilkawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. Abstracts. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Ilkawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. Abstracts. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular (1989)
Manzoli, J. E.; Scrappe, B. J.; Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Basmaji, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MANZOLI, J. E. et al. Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular. 1989, Anais.. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Manzoli, J. E., Scrappe, B. J., Notari, A. C., Ceschin, A. M., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1989). Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular. In Anais. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf
NLM
Manzoli JE, Scrappe BJ, Notari AC, Ceschin AM, Siu Li M, Basmaji P. Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf
Vancouver
Manzoli JE, Scrappe BJ, Notari AC, Ceschin AM, Siu Li M, Basmaji P. Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf
Artigo de periodico
Estrategias de manutencao no desenvolvimento de instrumentacao eletronica (1988)
Costa, Luciano da Fontoura ; Siu Li, Máximo ; Castro Neto, Jarbas Caiado de
Source: Informacao em Instrumentacao. Unidades: IFQSC, IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
COSTA, Luciano da Fontoura e SIU LI, Máximo e CASTRO NETO, Jarbas Caiado de. Estrategias de manutencao no desenvolvimento de instrumentacao eletronica. Informacao em Instrumentacao, v. 2 , n. 4 , p. 1-2, 1988Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Costa, L. da F., Siu Li, M., & Castro Neto, J. C. de. (1988). Estrategias de manutencao no desenvolvimento de instrumentacao eletronica. Informacao em Instrumentacao, 2 ( 4 ), 1-2.
NLM
Costa L da F, Siu Li M, Castro Neto JC de. Estrategias de manutencao no desenvolvimento de instrumentacao eletronica. Informacao em Instrumentacao. 1988 ;2 ( 4 ): 1-2.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Costa L da F, Siu Li M, Castro Neto JC de. Estrategias de manutencao no desenvolvimento de instrumentacao eletronica. Informacao em Instrumentacao. 1988 ;2 ( 4 ): 1-2.[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Caracterização de um laser de centro de cor utilizando como meio ativo um cristal de 'K''CL':'LI POT.+' contendo centros 'F IND.A'(II) (1988)
Costa, R. A. B.; Siu Li, Máximo
Source: Anais. Conference titles: Simpósio Estadual de Lasers e Aplicações. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
COSTA, R. A. B. e SIU LI, Máximo. Caracterização de um laser de centro de cor utilizando como meio ativo um cristal de 'K''CL':'LI POT.+' contendo centros 'F IND.A'(II). 1988, Anais.. Campinas: UNICAMP, 1988. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Costa, R. A. B., & Siu Li, M. (1988). Caracterização de um laser de centro de cor utilizando como meio ativo um cristal de 'K''CL':'LI POT.+' contendo centros 'F IND.A'(II). In Anais. Campinas: UNICAMP.
NLM
Costa RAB, Siu Li M. Caracterização de um laser de centro de cor utilizando como meio ativo um cristal de 'K''CL':'LI POT.+' contendo centros 'F IND.A'(II). Anais. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Costa RAB, Siu Li M. Caracterização de um laser de centro de cor utilizando como meio ativo um cristal de 'K''CL':'LI POT.+' contendo centros 'F IND.A'(II). Anais. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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