ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles (2022)
Gonzales Ormeño, Pablo Guillermo ; Mendoza, Miguel A. ; Schön, Cláudio Geraldo
Source: Materials Today Communications. Unidade: EP
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ENERGIA TÉRMICA, ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZALES ORMEÑO, Pablo Guillermo e MENDOZA, Miguel A. e SCHÖN, Cláudio Geraldo. Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles. Materials Today Communications, v. 31, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.103200. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gonzales Ormeño, P. G., Mendoza, M. A., & Schön, C. G. (2022). Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles. Materials Today Communications, 31. doi:10.1016/j.mtcomm.2022.103200
NLM
Gonzales Ormeño PG, Mendoza MA, Schön CG. Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles [Internet]. Materials Today Communications. 2022 ;31[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.103200
Vancouver
Gonzales Ormeño PG, Mendoza MA, Schön CG. Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles [Internet]. Materials Today Communications. 2022 ;31[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.103200
Relatorio tecnico
Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices (2013)
Caroena, Glaura; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Justo Filho, João Francisco
Unidades: IF, EP
Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA (DEFEITO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAROENA, Glaura et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2013
APA
Caroena, G., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf
NLM
Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf
Vancouver
Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf
Relatorio tecnico
Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter (2013)
Justo Filho, João Francisco ; Menezes, R D; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Unidades: EP, IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA (DEFEITO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, R D e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. . São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2013
APA
Justo Filho, J. F., Menezes, R. D., & Assali, L. V. C. (2013). Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf
NLM
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf
Vancouver
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf
Artigo de periodico
The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation (2012)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: The Journal of Physical Chemistry C. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTANHO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. The Journal of Physical Chemistry C, v. 2012, n. ju2012, p. 13382-13387, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/jp300793e. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2012). The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. The Journal of Physical Chemistry C, 2012( ju2012), 13382-13387. doi:10.1021/jp300793e
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2012 ;2012( ju2012): 13382-13387.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp300793e
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2012 ;2012( ju2012): 13382-13387.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp300793e
Artigo de periodico
Crystal engineering using functionalized adamantane (2010)
Garcia, Joelson Cott; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, CRISTALOGRAFIA, NANOCOMPOSITOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Crystal engineering using functionalized adamantane. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 22, n. 31, p. 315303/1-315303/6, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/31/315303. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2010). Crystal engineering using functionalized adamantane. Journal of Physics-Condensed Matter, 22( 31), 315303/1-315303/6. doi:10.1088/0953-8984/22/31/315303
NLM
Garcia JC, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Crystal engineering using functionalized adamantane [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2010 ; 22( 31): 315303/1-315303/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/31/315303
Vancouver
Garcia JC, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Crystal engineering using functionalized adamantane [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2010 ; 22( 31): 315303/1-315303/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/31/315303
Trabalho de evento-resumo
Ab-intio calculations of the BCC Mo-Fe phase diagram (2009)
Sodré, Ney; Gonzales Ormeño, Pablo Guillermo ; Schön, Cláudio Geraldo ; Petrilli, Helena Maria
Source: Resumos. Conference titles: International Conference on Advanced Materials. Unidades: EP, IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SODRÉ, Ney et al. Ab-intio calculations of the BCC Mo-Fe phase diagram. 2009, Anais.. Rio de Janeiro: ICAM, 2009. Disponível em: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Z521.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sodré, N., Gonzales Ormeño, P. G., Schön, C. G., & Petrilli, H. M. (2009). Ab-intio calculations of the BCC Mo-Fe phase diagram. In Resumos. Rio de Janeiro: ICAM. Recuperado de http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Z521.pdf
NLM
Sodré N, Gonzales Ormeño PG, Schön CG, Petrilli HM. Ab-intio calculations of the BCC Mo-Fe phase diagram [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Z521.pdf
Vancouver
Sodré N, Gonzales Ormeño PG, Schön CG, Petrilli HM. Ab-intio calculations of the BCC Mo-Fe phase diagram [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Z521.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Trends on 3d transition metal impurities in diamond (2009)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Physica B: Condensed Matter. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2009
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2009). Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/j.physb.2009.08.109
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Artigo de periodico
Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly (2009)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly. Physical Review B, v. 80, n. 12, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.80.125421. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2009). Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly. Physical Review B, 80( 12). doi:10.1103/physrevb.80.125421
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 12):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.80.125421
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 12):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.80.125421
Artigo de periodico
Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter (2007)
Justo Filho, João Francisco ; Menezes, R D; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, R D e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 045303/1-045303/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Menezes, R. D., & Assali, L. V. C. (2007). Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, 75( 4), 045303/1-045303/5. doi:10.1103/physrevb.75.045303
NLM
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303
Vancouver
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors (2007)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Diamond and Related Materials. Unidades: EP, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 1429-1432, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2007). Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 1429-1432. doi:10.1016/j.diamond.2006.10.005
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Artigo de periodico
Cobalt in diamond: an ab initio investigation (2007)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Larico, R; Justo Filho, João Francisco
Source: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 819-822, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Larico, R., & Justo Filho, J. F. (2007). Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 819-822. doi:10.1016/j.diamond.2006.09.014
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations (2007)
Lino, A T; Borges, P D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silva Junior, E F da
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2007
APA
Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes (2006)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, v. 376, p. 378-381, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2006). Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, 376, 378-381. doi:10.1016/j.physb.2005.12.097
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Artigo de periodico
Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond (2006)
Larico, R; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, v. 376, p. 292-295, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Machado, W. V. M. (2006). Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, 376, 292-295. doi:10.1016/j.physb.2005.12.075
NLM
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions (2006)
Gonzales Ormeño, Pablo Guillermo ; Petrilli, Helena Maria ; Schön, Cláudio Geraldo
Source: Scripta Materialia. Unidades: IF, EP
Subjects: TERMODINÂMICA, DIAGRAMA DE TRANSFORMAÇÃO DE FASE, INTERAÇÕES ELETROMAGNÉTICAS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZALES ORMEÑO, Pablo Guillermo e PETRILLI, Helena Maria e SCHÖN, Cláudio Geraldo. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, v. 54, n. 7, p. 1271-1276, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gonzales Ormeño, P. G., Petrilli, H. M., & Schön, C. G. (2006). Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, 54( 7), 1271-1276. doi:10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
NLM
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Vancouver
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Artigo de periodico
Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond (2006)
Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 267-269, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2006). Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 267-269. doi:10.1590/s0103-97332006000300009
NLM
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Vancouver
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Artigo de periodico
Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 (2006)
Ayres, Frederico; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Trabalho de evento-resumo
Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires (2006)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Justo Filho, João Francisco ; Menezes, Rafael Dias
Source: Sessions Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais (SBPMat). Unidades: IF, EP
Subjects: MATERIAIS (PESQUISA), ESTRUTURA DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, Rafael Dias. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2006. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Menezes, R. D. (2006). Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires. In Sessions Abstracts. Rio de Janeiro: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
NLM
Assali LVC, Justo Filho JF, Menezes RD. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires [Internet]. Sessions Abstracts. 2006 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
Vancouver
Assali LVC, Justo Filho JF, Menezes RD. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires [Internet]. Sessions Abstracts. 2006 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Trabalho de evento-resumo
Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures (2005)
Goussev, Guennadii Michailovich; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Seabra, Antonio Carlos
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOUSSEV, Guennadii Michailovich et al. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Goussev, G. M., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Seabra, A. C. (2005). Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
NLM
Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
Vancouver
Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Publisher

Conference titles

Countries/Territories

Non normalized affiliation