Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter (2007)
- Authors:
- USP affiliated authors: JUSTO FILHO, JOAO FRANCISCO - EP ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidades: EP; IF
- DOI: 10.1103/physrevb.75.045303
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physical Review B
- ISSN: 1038-0121
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 75, n. 4, p. 045303/1-045303/5, 2007
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
-
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, R D e ASSALI, L. V. C. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 045303/1-045303/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303. Acesso em: 12 nov. 2024. -
APA
Justo Filho, J. F., Menezes, R. D., & Assali, L. V. C. (2007). Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, 75( 4), 045303/1-045303/5. doi:10.1103/physrevb.75.045303 -
NLM
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303 -
Vancouver
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303 - Ab initio investigations on the dislocation core properties in zinc-blende semiconductors
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.75.045303 (Fonte: oaDOI API)
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