Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes (2001)
- Authors:
- USP affiliated authors: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF ; JUSTO FILHO, JOÃO FRANCISCO - EP
- Unidades: IF; EP
- DOI: 10.1063/1.1389763
- Subjects: RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA; ELETROSTÁTICA; ELASTICIDADE
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 90, n. 6, n. 2744-2754, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ZHAO, Song et al. Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 2744-2754, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389763. Acesso em: 03 jan. 2026. -
APA
Zhao, S., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., Gilmer, G. H., & Kimerling, L. C. (2001). Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes. Journal of Applied Physics, 90( 2744-2754). doi:10.1063/1.1389763 -
NLM
Zhao S, Assali LVC, Justo Filho JF, Gilmer GH, Kimerling LC. Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 2744-2754):[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389763 -
Vancouver
Zhao S, Assali LVC, Justo Filho JF, Gilmer GH, Kimerling LC. Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 2744-2754):[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389763 - Ab initio investigations on the dislocation core properties in zinc-blende semiconductors
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1389763 (Fonte: oaDOI API)
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