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  • Artigo de periodico

    Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)

    Monte, A F G; Cunha, J F R; Soler, M A P; Silva, S W; Quivy, A. A.; Morais, P C

    Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assuntos: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 06 nov. 2025.

    • APA

      Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003

    • NLM

      Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003

    • Vancouver

      Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003

  • Artigo de periodico

    Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys (2004)

    Teles, L K; Marques, M; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TERMODINÂMICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      TELES, L K et al. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0. Acesso em: 06 nov. 2025.

    • APA

      Teles, L. K., Marques, M., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00218-0

    • NLM

      Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0

    • Vancouver

      Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0

  • Artigo de periodico

    Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)

    Lamas, T. E.; Martini, S; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 06 nov. 2025.

    • APA

      Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x

    • NLM

      Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x

    • Vancouver

      Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x

  • Artigo de periodico

    Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots (2003)

    Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Nogueira, R A; Leite, J. R.

    Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 725-727, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 06 nov. 2025.

    • APA

      Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 725-727. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • NLM

      Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • Vancouver

      Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

  • Artigo de periodico

    Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm (2003)

    Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, M J da et al. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1. Acesso em: 06 nov. 2025.

    • APA

      Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 631-633. doi:10.1016/s0026-2692(03)00066-1

    • NLM

      Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1

    • Vancouver

      Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1

  • Artigo de periodico

    Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)

    Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C

    Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE

    PrivadoAcesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SÉRGIO, C. S. et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 763-766, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 06 nov. 2025.

    • APA

      Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 763-766. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • NLM

      Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • Vancouver

      Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

  • Artigo de periodico

    Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells (2003)

    Pereira, T A S; Freire, J A K; Freire, V N; Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E F da

    Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assuntos: LUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PEREIRA, T A S et al. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, v. 34, p. 507-509, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 06 nov. 2025.

    • APA

      Pereira, T. A. S., Freire, J. A. K., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. da. (2003). Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, 34, 507-509. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • NLM

      Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • Vancouver

      Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
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