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Artigo de periodico
Comparative theoretical study of the electronic structures and electronic spectra of 'Fe POT.2+'-,'Fe POT.+3'-porphyrin and free base porphyrin (2001)
Oliveira, Kélson Mota Teixeira de; Trsic, Milan
Source: Journal of Molecular Structure : Theochem. Unidade: IQSC
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
OLIVEIRA, Kélson Mota Teixeira de e TRSIC, Milan. Comparative theoretical study of the electronic structures and electronic spectra of 'Fe POT.2+'-,'Fe POT.+3'-porphyrin and free base porphyrin. Journal of Molecular Structure : Theochem, v. 539, p. 107-117, 2001Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Oliveira, K. M. T. de, & Trsic, M. (2001). Comparative theoretical study of the electronic structures and electronic spectra of 'Fe POT.2+'-,'Fe POT.+3'-porphyrin and free base porphyrin. Journal of Molecular Structure : Theochem, 539, 107-117.
NLM
Oliveira KMT de, Trsic M. Comparative theoretical study of the electronic structures and electronic spectra of 'Fe POT.2+'-,'Fe POT.+3'-porphyrin and free base porphyrin. Journal of Molecular Structure : Theochem. 2001 ; 539 107-117.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Oliveira KMT de, Trsic M. Comparative theoretical study of the electronic structures and electronic spectra of 'Fe POT.2+'-,'Fe POT.+3'-porphyrin and free base porphyrin. Journal of Molecular Structure : Theochem. 2001 ; 539 107-117.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs (2001)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NITROGÊNIO, ESTADO SÓLIDO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
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ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 9, p. 1231-1233, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1351524. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2001). Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, 78( 9), 1231-1233. doi:10.1063/1.1351524
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524
Artigo de periodico
Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu (2001)
Pessoa, Sonia Frota; Legoas, S B
Source: Hyperfine Interactions. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
PESSOA, Sonia Frota e LEGOAS, S B. Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu. Hyperfine Interactions, v. 133, n. 1-4, p. 207-219, 2001Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pessoa, S. F., & Legoas, S. B. (2001). Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu. Hyperfine Interactions, 133( 1-4), 207-219.
NLM
Pessoa SF, Legoas SB. Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu. Hyperfine Interactions. 2001 ; 133( 1-4): 207-219.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Pessoa SF, Legoas SB. Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu. Hyperfine Interactions. 2001 ; 133( 1-4): 207-219.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Tese (Doutorado)
Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b' (2001)
Terrazos Javier, Luis Alberto; Petrilli, Helena Maria (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
TERRAZOS JAVIER, Luis Alberto. Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b'. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Terrazos Javier, L. A. (2001). Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Terrazos Javier LA. Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b'. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Terrazos Javier LA. Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b'. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Tese (Doutorado)
O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira (2001)
Cavalheiro, Ademir; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ELETRÔNICA QUÂNTICA
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ABNT
CAVALHEIRO, Ademir. O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Cavalheiro, A. (2001). O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/
NLM
Cavalheiro A. O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/
Vancouver
Cavalheiro A. O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/
Artigo de periodico
Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds (2001)
Ramos, L. E.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Castineira, J L P; Rosa, A L; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
RAMOS, L. E. et al. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5210/1-5210/10, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Castineira, J. L. P., Rosa, A. L., & Leite, J. R. (2001). Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, 63( 16), 5210/1-5210/10. doi:10.1103/physrevb.63.165210
NLM
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Vancouver
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Trabalho de evento-resumo
The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well (2001)
Cavalheiro, Ademir; Takahashi, Eduardo Kojy; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; MENESES, Eliermes Arraes
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO
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ABNT
CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic structure and spectroscopy of the SiP molecule: an ab initio investigation (2001)
Santos, Levi Gonçalves dos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Simpósio Brasileiro de Química Teórica. Unidade: IQ
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MOLÉCULA
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ABNT
SANTOS, Levi Gonçalves dos. Electronic structure and spectroscopy of the SiP molecule: an ab initio investigation. 2001, Anais.. Caxambu: Instituto de Química, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Santos, L. G. dos. (2001). Electronic structure and spectroscopy of the SiP molecule: an ab initio investigation. In Livro de Resumos. Caxambu: Instituto de Química, Universidade de São Paulo.
NLM
Santos LG dos. Electronic structure and spectroscopy of the SiP molecule: an ab initio investigation. Livro de Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Santos LG dos. Electronic structure and spectroscopy of the SiP molecule: an ab initio investigation. Livro de Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Cálculo teórico da dissociação unimolecular do éter dietílico usando o método de Hartree-Fock (2001)
Gesteira, Luiz Augusto; Linnert, Harrald Victor
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Química da Região Sul. Unidade: IQ
Subjects: ÉTER, ESTRUTURA ELETRÔNICA, QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GESTEIRA, Luiz Augusto e LINNERT, Harrald Victor. Cálculo teórico da dissociação unimolecular do éter dietílico usando o método de Hartree-Fock. 2001, Anais.. Londrina: Universidade Estadual de Londrina, 2001. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gesteira, L. A., & Linnert, H. V. (2001). Cálculo teórico da dissociação unimolecular do éter dietílico usando o método de Hartree-Fock. In Resumos. Londrina: Universidade Estadual de Londrina.
NLM
Gesteira LA, Linnert HV. Cálculo teórico da dissociação unimolecular do éter dietílico usando o método de Hartree-Fock. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Gesteira LA, Linnert HV. Cálculo teórico da dissociação unimolecular do éter dietílico usando o método de Hartree-Fock. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
New superconducting states in the Hubbard model (2001)
Feng, Sze-Shiang; Wang, Bin; Abdalla, Elcio
Source: Physics Letters A. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERCONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FENG, Sze-Shiang e WANG, Bin e ABDALLA, Elcio. New superconducting states in the Hubbard model. Physics Letters A, v. 291, n. 4-5, p. 301-305, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0375-9601(01)00731-9. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Feng, S. -S., Wang, B., & Abdalla, E. (2001). New superconducting states in the Hubbard model. Physics Letters A, 291( 4-5), 301-305. doi:10.1016/s0375-9601(01)00731-9
NLM
Feng S-S, Wang B, Abdalla E. New superconducting states in the Hubbard model [Internet]. Physics Letters A. 2001 ; 291( 4-5): 301-305.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0375-9601(01)00731-9
Vancouver
Feng S-S, Wang B, Abdalla E. New superconducting states in the Hubbard model [Internet]. Physics Letters A. 2001 ; 291( 4-5): 301-305.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0375-9601(01)00731-9
Trabalho de evento-resumo
Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos (2001)
Venezuela, Pedro; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, Pedro et al. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Electronic scattering in doped superlattices (2001)
Henriques, André Bohomoletz ; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz e SOUZA, P. L. e YAVICH, B. Electronic scattering in doped superlattices. Physical Review B, v. 64, n. 4, p. 5319/1-5319/6, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Henriques, A. B., Souza, P. L., & Yavich, B. (2001). Electronic scattering in doped superlattices. Physical Review B, 64( 4), 5319/1-5319/6. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips
NLM
Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Electronic scattering in doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 4): 5319/1-5319/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips
Vancouver
Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Electronic scattering in doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 4): 5319/1-5319/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well (2001)
Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Olshanetskii, E B; Bykov, A A; Moshegov, N T; Bakarov, A K; Toropov, A I; Maude, D K; Estibals, O; Portal, J C
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SÉRGIO, C. S. et al. Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well. Physical Review B, v. 64, n. 11, p. 5314/1-5314/9, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.115314. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Leite, J. R., Olshanetskii, E. B., Bykov, A. A., Moshegov, N. T., et al. (2001). Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well. Physical Review B, 64( 11), 5314/1-5314/9. doi:10.1103/physrevb.64.115314
NLM
Sérgio CS, Gusev GM, Leite JR, Olshanetskii EB, Bykov AA, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Estibals O, Portal JC. Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 11): 5314/1-5314/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.115314
Vancouver
Sérgio CS, Gusev GM, Leite JR, Olshanetskii EB, Bykov AA, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Estibals O, Portal JC. Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 11): 5314/1-5314/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.115314
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N' (2001)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2001). Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos (2001)
Oliveira, C de; Nogueira, R A; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ESTRUTURA ELETRÔNICA, ÁTOMOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Oliveira, C. de, Nogueira, R. A., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (2001). Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces (2001)
Martini, S.; Quivy, A. A.; Tabata, A; Leite, J. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, SUPERFÍCIE FÍSICA, TERMODINÂMICA
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ABNT
MARTINI, S. et al. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2280-2289, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389336. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Tabata, A., & Leite, J. R. (2001). Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2280-2289. doi:10.1063/1.1389336
NLM
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336
Artigo de periodico
Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube (2001)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Baierle, Rogerio Jose; Paiva, C; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Molecular Structure-Theochem. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, v. 539, p. 101-106, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Baierle, R. J., Paiva, C., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, 539, 101-106. doi:10.1016/s0166-1280(00)00777-6
NLM
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6
Artigo de periodico
Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors (2001)
Aguiar, J Albino; Lima, C L S; Yadava, Y P; Jardim, Renato de Figueiredo ; Montarroyos, E; Ferreira, J M
Source: Physica C. Unidade: IF
Subjects: SUPERCONDUTIVIDADE, MAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
AGUIAR, J Albino et al. Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors. Physica C, v. 354, n. 1-4, p. 363-366, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4534(01)00101-0. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Aguiar, J. A., Lima, C. L. S., Yadava, Y. P., Jardim, R. de F., Montarroyos, E., & Ferreira, J. M. (2001). Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors. Physica C, 354( 1-4), 363-366. doi:10.1016/s0921-4534(01)00101-0
NLM
Aguiar JA, Lima CLS, Yadava YP, Jardim R de F, Montarroyos E, Ferreira JM. Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors [Internet]. Physica C. 2001 ; 354( 1-4): 363-366.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4534(01)00101-0
Vancouver
Aguiar JA, Lima CLS, Yadava YP, Jardim R de F, Montarroyos E, Ferreira JM. Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors [Internet]. Physica C. 2001 ; 354( 1-4): 363-366.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4534(01)00101-0
Dissertação (Mestrado)
Interação da formamida com água (2001)
Parreira, Renato Luis Tâme; Galembeck, Sérgio Emanuel (Orientador)
Unidade: FFCLRP
Subjects: QUÍMICA QUÂNTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA MOLECULAR (QUÍMICA TEÓRICA)
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ABNT
PARREIRA, Renato Luis Tâme. Interação da formamida com água. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto, 2001. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59138/tde-16012002-124815/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Parreira, R. L. T. (2001). Interação da formamida com água (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59138/tde-16012002-124815/
NLM
Parreira RLT. Interação da formamida com água [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59138/tde-16012002-124815/
Vancouver
Parreira RLT. Interação da formamida com água [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59138/tde-16012002-124815/

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