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Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio (1989)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de impurezas em germanio (1989)
Castineira, J L P; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
CASTINEIRA, J L P e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Castineira, J. L. P., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1989). Estrutura eletronica de impurezas em germanio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of complex defects in silicon (1988)
Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S
Source: Lec Notes in Phys. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, v. 301, p. 75-94, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1988). Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, 301, 75-94. doi:10.1007/bfb0034418
NLM
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Vancouver
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Artigo de periodico
Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon (1986)
Gomes, V M S; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GOMES, V M S e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 749-61, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560300764. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 749-61. doi:10.1002/qua.560300764
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764
Artigo de periodico
Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, v. 47, p. 824-6, 1985Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, 47, 824-6.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of complex defects in silicon (1985)
Leite, J. R.; Gomes, V M S; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Scolfaro, L M R
Source: Journal of Electronic Materials. Serie a. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, v. 14, p. 885-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Leite, J. R., Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Scolfaro, L. M. R. (1985). Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, 14, 885-91. doi:10.1007/bfb0034418
NLM
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Vancouver
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Tese (Doutorado)
Impurezas de oxigenio em silicio (1985)
Gomes, Vivili Maria Silva; Leite, José Roberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Vivili Maria Silva. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gomes, V. M. S. (1985). Impurezas de oxigenio em silicio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Gomes VMS. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Gomes VMS. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Dissertação (Mestrado)
Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2' (1982)
Gomes, Vivili Maria Silva; Agostinho Neto, Augusto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Vivili Maria Silva. Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2'. 1982. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1982. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gomes, V. M. S. (1982). Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Gomes VMS. Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2'. 1982 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Gomes VMS. Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2'. 1982 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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