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Artigo de periodico
Cadmium-based ferroelectrics with the Ruddlesden–Popper and double perovskite structures: a theoretical study (2020)
Marcondes, Michel ; Santos, Samuel Silva dos ; Miranda, Ivan ; Rodrigues, Pedro Rocha ; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Lopes, A. M. L. ; Araújo, João Pedro Esteves de ; Petrilli, Helena
Fonte: Journal of Materials Chemistry C. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICO-QUÍMICA, FERROELETRICIDADE, POLARIZAÇÃO INDUZIDA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, CÁDMIO
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ABNT
MARCONDES, Michel et al. Cadmium-based ferroelectrics with the Ruddlesden–Popper and double perovskite structures: a theoretical study. Journal of Materials Chemistry C, v. 8, n. 41, p. 14570-14578, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/D0TC03161E. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marcondes, M., Santos, S. S. dos, Miranda, I., Rodrigues, P. R., Assali, L. V. C., Lopes, A. M. L., et al. (2020). Cadmium-based ferroelectrics with the Ruddlesden–Popper and double perovskite structures: a theoretical study. Journal of Materials Chemistry C, 8( 41), 14570-14578. doi:10.1039/D0TC03161E
NLM
Marcondes M, Santos SS dos, Miranda I, Rodrigues PR, Assali LVC, Lopes AML, Araújo JPE de, Petrilli H. Cadmium-based ferroelectrics with the Ruddlesden–Popper and double perovskite structures: a theoretical study [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2020 ; 8( 41): 14570-14578.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D0TC03161E
Vancouver
Marcondes M, Santos SS dos, Miranda I, Rodrigues PR, Assali LVC, Lopes AML, Araújo JPE de, Petrilli H. Cadmium-based ferroelectrics with the Ruddlesden–Popper and double perovskite structures: a theoretical study [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2020 ; 8( 41): 14570-14578.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D0TC03161E
Relatorio tecnico
Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices (2013)
Caroena, Glaura; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Justo Filho, João Francisco
Unidades: IF, EP
Assuntos: CRISTALOGRAFIA FÍSICA (DEFEITO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
CAROENA, Glaura et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2013
APA
Caroena, G., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf
NLM
Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf
Vancouver
Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf
Relatorio tecnico
Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter (2013)
Justo Filho, João Francisco ; Menezes, R D; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Unidades: EP, IF
Assuntos: CRISTALOGRAFIA FÍSICA (DEFEITO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, R D e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. . São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2013
APA
Justo Filho, J. F., Menezes, R. D., & Assali, L. V. C. (2013). Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf
NLM
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf
Vancouver
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf
Artigo de periodico
The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation (2012)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: The Journal of Physical Chemistry C. Unidades: IF, EP
Assuntos: ESTANHO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. The Journal of Physical Chemistry C, v. 2012, n. ju2012, p. 13382-13387, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/jp300793e. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2012). The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. The Journal of Physical Chemistry C, 2012( ju2012), 13382-13387. doi:10.1021/jp300793e
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2012 ;2012( ju2012): 13382-13387.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp300793e
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2012 ;2012( ju2012): 13382-13387.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp300793e
Artigo de periodico
Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys (2012)
Borges, Pablo D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Alves, Horacio W L; Silva, Eronides F da; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Nanoscale Research Letters (NRL). Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)
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ABNT
BORGES, Pablo D et al. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), v. 7, n. 1, p. 540/1-540/6, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., Silva, E. F. da, & Assali, L. V. C. (2012). Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), 7( 1), 540/1-540/6. doi:10.1186/1556-276X-7-540
NLM
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540
Vancouver
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540
Trabalho de evento-anais periodico
Trends on 3d transition metal impurities in diamond (2009)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Physica B: Condensed Matter. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2009
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2009). Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/j.physb.2009.08.109
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Artigo de periodico
Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly (2009)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly. Physical Review B, v. 80, n. 12, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.80.125421. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2009). Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly. Physical Review B, 80( 12). doi:10.1103/physrevb.80.125421
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 12):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.80.125421
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 12):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.80.125421
Tese (Doutorado)
Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante (2008)
Mamani, Rolando Larico ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, DIAMANTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAMANI, Rolando Larico. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mamani, R. L. (2008). Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
NLM
Mamani RL. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
Vancouver
Mamani RL. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
Artigo de periodico
Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter (2007)
Justo Filho, João Francisco ; Menezes, R D; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, R D e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 045303/1-045303/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Menezes, R. D., & Assali, L. V. C. (2007). Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, 75( 4), 045303/1-045303/5. doi:10.1103/physrevb.75.045303
NLM
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303
Vancouver
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors (2007)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Diamond and Related Materials. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 1429-1432, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2007). Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 1429-1432. doi:10.1016/j.diamond.2006.10.005
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Artigo de periodico
Cobalt in diamond: an ab initio investigation (2007)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Larico, R; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 819-822, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Larico, R., & Justo Filho, J. F. (2007). Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 819-822. doi:10.1016/j.diamond.2006.09.014
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Artigo de periodico
Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes (2006)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, v. 376, p. 378-381, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2006). Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, 376, 378-381. doi:10.1016/j.physb.2005.12.097
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Artigo de periodico
Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond (2006)
Larico, R; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, v. 376, p. 292-295, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Machado, W. V. M. (2006). Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, 376, 292-295. doi:10.1016/j.physb.2005.12.075
NLM
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Artigo de periodico
Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond (2006)
Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 267-269, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2006). Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 267-269. doi:10.1590/s0103-97332006000300009
NLM
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Vancouver
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Artigo de periodico
Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 (2006)
Ayres, Frederico; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Trabalho de evento-resumo
Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires (2006)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Justo Filho, João Francisco ; Menezes, Rafael Dias
Fonte: Sessions Abstracts. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais (SBPMat). Unidades: IF, EP
Assuntos: MATERIAIS (PESQUISA), ESTRUTURA DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, Rafael Dias. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2006. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Menezes, R. D. (2006). Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires. In Sessions Abstracts. Rio de Janeiro: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
NLM
Assali LVC, Justo Filho JF, Menezes RD. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires [Internet]. Sessions Abstracts. 2006 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
Vancouver
Assali LVC, Justo Filho JF, Menezes RD. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires [Internet]. Sessions Abstracts. 2006 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Silva, C R S da; Pereyra, Inés ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Silva, C. R. S. da, Pereyra, I., & Assali, L. V. C. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Silva CRS da, Pereyra I, Assali LVC. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Silva CRS da, Pereyra I, Assali LVC. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation (2004)
Barbosa, K O; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, K O et al. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Barbosa, K. O., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.008
NLM
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Vancouver
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008

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