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Trabalho de evento-anais periodico
Spin current in the Möbius cyclacene belts (2009)
Santos, Maria Cristina dos; Alvarez, Fernando
Fonte: Chemical Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICO-QUÍMICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Maria Cristina dos e ALVAREZ, Fernando. Spin current in the Möbius cyclacene belts. Chemical Physics Letters. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/00092614. Acesso em: 08 nov. 2025. , 2009
APA
Santos, M. C. dos, & Alvarez, F. (2009). Spin current in the Möbius cyclacene belts. Chemical Physics Letters. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/00092614
NLM
Santos MC dos, Alvarez F. Spin current in the Möbius cyclacene belts [Internet]. Chemical Physics Letters. 2009 ; 471( 4-6):[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/00092614
Vancouver
Santos MC dos, Alvarez F. Spin current in the Möbius cyclacene belts [Internet]. Chemical Physics Letters. 2009 ; 471( 4-6):[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/00092614
Artigo de periodico
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems (2006)
Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, L M R
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
A charge-charge flux-dipole flux decomposition of the dipole moment derivatives and infrared intensities of the AB(3) (A = N, P; B = H, F) molecules (2005)
César, Paulo H.; Faria, Sérgio H. D. M.; Silva Jr., João V. da; Haiduke, Roberto Luiz Andrade ; Bruns, Roy Edward
Fonte: Chemical Physics. Unidade: IQ
Assuntos: QUÍMICA ORGÂNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
CÉSAR, Paulo H. et al. A charge-charge flux-dipole flux decomposition of the dipole moment derivatives and infrared intensities of the AB(3) (A = N, P; B = H, F) molecules. Chemical Physics, v. 317, n. 1, p. 35-42, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2005.05.029. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
César, P. H., Faria, S. H. D. M., Silva Jr., J. V. da, Haiduke, R. L. A., & Bruns, R. E. (2005). A charge-charge flux-dipole flux decomposition of the dipole moment derivatives and infrared intensities of the AB(3) (A = N, P; B = H, F) molecules. Chemical Physics, 317( 1), 35-42. doi:10.1016/j.chemphys.2005.05.029
NLM
César PH, Faria SHDM, Silva Jr. JV da, Haiduke RLA, Bruns RE. A charge-charge flux-dipole flux decomposition of the dipole moment derivatives and infrared intensities of the AB(3) (A = N, P; B = H, F) molecules [Internet]. Chemical Physics. 2005 ; 317( 1): 35-42.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2005.05.029
Vancouver
César PH, Faria SHDM, Silva Jr. JV da, Haiduke RLA, Bruns RE. A charge-charge flux-dipole flux decomposition of the dipole moment derivatives and infrared intensities of the AB(3) (A = N, P; B = H, F) molecules [Internet]. Chemical Physics. 2005 ; 317( 1): 35-42.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2005.05.029
Artigo de periodico
Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study (2005)
Marques, M; Ferreira, L G; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO, MUDANÇA DE FASE, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, M et al. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, v. 71, n. 20, p. 205204/1-205204/11, 2005Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, 71( 20), 205204/1-205204/11. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure (2005)
Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
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ABNT
MARQUES, M et al. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, v. 86, n. 16, p. 164105/1-164105/3, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1905787. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2005). Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, 86( 16), 164105/1-164105/3. doi:10.1063/1.1905787
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE (2004)
Pacheco Salazar, David G; Leite, J. R.; Fernandez, J. R. L; Cerdeira, F; Meneses, E. A
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PACHECO SALAZAR, David G et al. Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1487-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Pacheco Salazar, D. G., Leite, J. R., Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., & Meneses, E. A. (2004). Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1487-1.pdf
NLM
Pacheco Salazar DG, Leite JR, Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA. Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1487-1.pdf
Vancouver
Pacheco Salazar DG, Leite JR, Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA. Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1487-1.pdf
Artigo de periodico
Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers (2004)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
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ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys (2004)
Teles, L K; Marques, M; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TERMODINÂMICA
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ABNT
TELES, L K et al. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00218-0
NLM
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Vancouver
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2003). Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities (2003)
Haiduke, Roberto Luiz Andrade ; Oliveira, Anselmo E. de; Bruns, Roy Edward
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Simpósio Brasileiro de Química Teórica. Unidade: IQ
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, QUÍMICA TEÓRICA, QUÍMICA ORGÂNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HAIDUKE, Roberto Luiz Andrade e OLIVEIRA, Anselmo E. de e BRUNS, Roy Edward. Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. 2003, Anais.. Caxambu: Instituto de Química, Universidade de São Paulo, 2003. . Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Haiduke, R. L. A., Oliveira, A. E. de, & Bruns, R. E. (2003). Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. In Livro de Resumos. Caxambu: Instituto de Química, Universidade de São Paulo.
NLM
Haiduke RLA, Oliveira AE de, Bruns RE. Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Vancouver
Haiduke RLA, Oliveira AE de, Bruns RE. Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Tabata, A; Rodrigues, S C P; Cerdeira, F; Meneses, E A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Lischka, K
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Trabalho de evento-resumo
Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases (2003)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Trabalho de evento-resumo
The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well (2001)
Cavalheiro, Ademir; Takahashi, Eduardo Kojy; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; MENESES, Eliermes Arraes
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO
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ABNT
CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Vancouver
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 08 ]

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