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Artigo de periodico
Crystal structure, cobalt and iron speciation and oxygen non-stoichiometry of La0.6Sr0.4Co1-yFeyO3-δ nanorods for IT-SOFC cathodes (2020)
Gómez, Augusto E. Mejía; Sacanell, Joaquín; Huck-Iriart, Cristián; Ramos, Cinthia; Soldati, Analía L.; Figueroa, Santiago J. A.; Tabacniks, Manfredo ; Fantini, Marcia ; Craievich, A. F. ; Lamas, Diego G.
Fonte: Journal of Alloys and Compounds. Unidade: IF
Assuntos: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ELETRODO, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA DE ABSORÇÃO ATÔMICA, NANOTUBOS, COBALTO, FERRO
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ABNT
GÓMEZ, Augusto E. Mejía et al. Crystal structure, cobalt and iron speciation and oxygen non-stoichiometry of La0.6Sr0.4Co1-yFeyO3-δ nanorods for IT-SOFC cathodes. Journal of Alloys and Compounds, v. 817, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.153250. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gómez, A. E. M., Sacanell, J., Huck-Iriart, C., Ramos, C., Soldati, A. L., Figueroa, S. J. A., et al. (2020). Crystal structure, cobalt and iron speciation and oxygen non-stoichiometry of La0.6Sr0.4Co1-yFeyO3-δ nanorods for IT-SOFC cathodes. Journal of Alloys and Compounds, 817. doi:10.1016/j.jallcom.2019.153250
NLM
Gómez AEM, Sacanell J, Huck-Iriart C, Ramos C, Soldati AL, Figueroa SJA, Tabacniks M, Fantini M, Craievich AF, Lamas DG. Crystal structure, cobalt and iron speciation and oxygen non-stoichiometry of La0.6Sr0.4Co1-yFeyO3-δ nanorods for IT-SOFC cathodes [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2020 ; 817[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.153250
Vancouver
Gómez AEM, Sacanell J, Huck-Iriart C, Ramos C, Soldati AL, Figueroa SJA, Tabacniks M, Fantini M, Craievich AF, Lamas DG. Crystal structure, cobalt and iron speciation and oxygen non-stoichiometry of La0.6Sr0.4Co1-yFeyO3-δ nanorods for IT-SOFC cathodes [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2020 ; 817[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.153250
Trabalho de evento-resumo
Interação da radiação com a matéria: absorção de raios-x e a correlação entre estrutura e propriedades físicas de materiais desordenados (2019)
Mastelaro, Valmor Roberto
Fonte: Livro de resumos. Nome do evento: Workshop de Pesquisa e Tecnologia em Ciência dos Materiais. Unidade: IFSC
Assuntos: MATERIAIS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MASTELARO, Valmor Roberto. Interação da radiação com a matéria: absorção de raios-x e a correlação entre estrutura e propriedades físicas de materiais desordenados. 2019, Anais.. Sorocaba: Universidade Federal de São Carlos - UFSCar, 2019. Disponível em: https://ae1dc0f5-bba2-4671-82cf-c745c1cdedd3.filesusr.com/ugd/933ca1_590b224c0f924784868fc55651bbb34d.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mastelaro, V. R. (2019). Interação da radiação com a matéria: absorção de raios-x e a correlação entre estrutura e propriedades físicas de materiais desordenados. In Livro de resumos. Sorocaba: Universidade Federal de São Carlos - UFSCar. Recuperado de https://ae1dc0f5-bba2-4671-82cf-c745c1cdedd3.filesusr.com/ugd/933ca1_590b224c0f924784868fc55651bbb34d.pdf
NLM
Mastelaro VR. Interação da radiação com a matéria: absorção de raios-x e a correlação entre estrutura e propriedades físicas de materiais desordenados [Internet]. Livro de resumos. 2019 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://ae1dc0f5-bba2-4671-82cf-c745c1cdedd3.filesusr.com/ugd/933ca1_590b224c0f924784868fc55651bbb34d.pdf
Vancouver
Mastelaro VR. Interação da radiação com a matéria: absorção de raios-x e a correlação entre estrutura e propriedades físicas de materiais desordenados [Internet]. Livro de resumos. 2019 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://ae1dc0f5-bba2-4671-82cf-c745c1cdedd3.filesusr.com/ugd/933ca1_590b224c0f924784868fc55651bbb34d.pdf
Artigo de periodico
The structure of liquid alkali nitrates and nitrites (2017)
Wilding, Martin C; Wilson, Mark; Ribeiro, Mauro Carlos Costa ; Benmore, Chris J; Weber, J. K. R; Alderman, O. L. G; Tamalonis, Anthony; Parise, J. B
Fonte: Physical Chemistry Chemical Physics. Unidade: IQ
Assuntos: NITRATOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
WILDING, Martin C et al. The structure of liquid alkali nitrates and nitrites. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 19, n. 32, p. 21625-21638, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/c7cp03465b. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Wilding, M. C., Wilson, M., Ribeiro, M. C. C., Benmore, C. J., Weber, J. K. R., Alderman, O. L. G., et al. (2017). The structure of liquid alkali nitrates and nitrites. Physical Chemistry Chemical Physics, 19( 32), 21625-21638. doi:10.1039/c7cp03465b
NLM
Wilding MC, Wilson M, Ribeiro MCC, Benmore CJ, Weber JKR, Alderman OLG, Tamalonis A, Parise JB. The structure of liquid alkali nitrates and nitrites [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2017 ; 19( 32): 21625-21638.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c7cp03465b
Vancouver
Wilding MC, Wilson M, Ribeiro MCC, Benmore CJ, Weber JKR, Alderman OLG, Tamalonis A, Parise JB. The structure of liquid alkali nitrates and nitrites [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2017 ; 19( 32): 21625-21638.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c7cp03465b
Artigo de periodico
In-plane mapping of buried 'In''Ga''As' quantum rings and hybridization effects on the electronic structure (2012)
Teodoro, M. D.; Malachias, A.; Oliveira, V. Lopes; Cesar, D. F.; Richard, V. Lopez; Marques, G. E.; Marega Junior, Euclydes ; Benamara, M.; Mazur, Yu. I.; Salamo, G. J.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ELÉTRONS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
TEODORO, M. D. et al. In-plane mapping of buried 'In''Ga''As' quantum rings and hybridization effects on the electronic structure. Journal of Applied Physics, v. 112, n. 1, p. 014319-1-014319-9, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4733964. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Teodoro, M. D., Malachias, A., Oliveira, V. L., Cesar, D. F., Richard, V. L., Marques, G. E., et al. (2012). In-plane mapping of buried 'In''Ga''As' quantum rings and hybridization effects on the electronic structure. Journal of Applied Physics, 112( 1), 014319-1-014319-9. doi:10.1063/1.4733964
NLM
Teodoro MD, Malachias A, Oliveira VL, Cesar DF, Richard VL, Marques GE, Marega Junior E, Benamara M, Mazur YI, Salamo GJ. In-plane mapping of buried 'In''Ga''As' quantum rings and hybridization effects on the electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 112( 1): 014319-1-014319-9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4733964
Vancouver
Teodoro MD, Malachias A, Oliveira VL, Cesar DF, Richard VL, Marques GE, Marega Junior E, Benamara M, Mazur YI, Salamo GJ. In-plane mapping of buried 'In''Ga''As' quantum rings and hybridization effects on the electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 112( 1): 014319-1-014319-9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4733964
Artigo de periodico
Electronic structure, growth mechanism and photoluminescence of CaW'O IND. 4' crystals (2012)
Cavalcante, L. S.; Longo, V. M.; Sczancoski, J. C.; Almeida, M. A. P.; Batista, A. A.; Varela, J. A.; Orlandi, M. O.; Longo, E.; Siu Li, Máximo
Fonte: CrystEngComm. Unidade: IFSC
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, CRESCIMENTO DE CRISTAIS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CAVALCANTE, L. S. et al. Electronic structure, growth mechanism and photoluminescence of CaW'O IND. 4' crystals. CrystEngComm, v. 14, n. 3, p. 853-868, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039//c1ce05977g. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Cavalcante, L. S., Longo, V. M., Sczancoski, J. C., Almeida, M. A. P., Batista, A. A., Varela, J. A., et al. (2012). Electronic structure, growth mechanism and photoluminescence of CaW'O IND. 4' crystals. CrystEngComm, 14( 3), 853-868. doi:10.1039//c1ce05977g
NLM
Cavalcante LS, Longo VM, Sczancoski JC, Almeida MAP, Batista AA, Varela JA, Orlandi MO, Longo E, Siu Li M. Electronic structure, growth mechanism and photoluminescence of CaW'O IND. 4' crystals [Internet]. CrystEngComm. 2012 ; 14( 3): 853-868.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1039//c1ce05977g
Vancouver
Cavalcante LS, Longo VM, Sczancoski JC, Almeida MAP, Batista AA, Varela JA, Orlandi MO, Longo E, Siu Li M. Electronic structure, growth mechanism and photoluminescence of CaW'O IND. 4' crystals [Internet]. CrystEngComm. 2012 ; 14( 3): 853-868.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1039//c1ce05977g
Artigo de periodico
Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure (2010)
Berengue, O. M.; Simon, R. A.; Chiquito, A. J.; Dalmaschio, C. J.; Leite, E. R.; Guerreiro, H. A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, OXIDAÇÃO, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BERENGUE, O. M. et al. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 3, p. 033717-1-033717-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3294613. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Berengue, O. M., Simon, R. A., Chiquito, A. J., Dalmaschio, C. J., Leite, E. R., Guerreiro, H. A., & Guimarães, F. E. G. (2010). Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, 107( 3), 033717-1-033717-4. doi:10.1063/1.3294613
NLM
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Vancouver
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Trabalho de evento-resumo
SAXS study of PVP capped Pt nanoparticles: the capping effect (2009)
Giovanetti, L J; Ramallo-López, J M; Requejo, F G; Craievich, Aldo Felix; Salmeron, M; Koebel, M M
Fonte: Programme, Abstracts and Posters. Nome do evento: International Conference on Small-Angle Scattering. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
GIOVANETTI, L J et al. SAXS study of PVP capped Pt nanoparticles: the capping effect. 2009, Anais.. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.sas2009.org/SAS2009/Abstracts.html. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Giovanetti, L. J., Ramallo-López, J. M., Requejo, F. G., Craievich, A. F., Salmeron, M., & Koebel, M. M. (2009). SAXS study of PVP capped Pt nanoparticles: the capping effect. In Programme, Abstracts and Posters. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sas2009.org/SAS2009/Abstracts.html
NLM
Giovanetti LJ, Ramallo-López JM, Requejo FG, Craievich AF, Salmeron M, Koebel MM. SAXS study of PVP capped Pt nanoparticles: the capping effect [Internet]. Programme, Abstracts and Posters. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sas2009.org/SAS2009/Abstracts.html
Vancouver
Giovanetti LJ, Ramallo-López JM, Requejo FG, Craievich AF, Salmeron M, Koebel MM. SAXS study of PVP capped Pt nanoparticles: the capping effect [Internet]. Programme, Abstracts and Posters. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sas2009.org/SAS2009/Abstracts.html
Trabalho de evento-resumo
Structure and electronic properties of `Fe IND.X´`O IND.Y´ capped Au nanoparticles investigated by TEM, SAXS and XAFS. (2009)
Giovanetti, L J; Fernandez-Baldi, F; Shevchenko, E V; Salmeron, M; Craievich, Aldo Felix; Requejo, F G
Fonte: Programme, Abstracts and Posters. Nome do evento: International Conference on Small-Angle Scattering. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
GIOVANETTI, L J et al. Structure and electronic properties of `Fe IND.X´`O IND.Y´ capped Au nanoparticles investigated by TEM, SAXS and XAFS. 2009, Anais.. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.sas2009.org/SAS2009/Abstracts.html. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Giovanetti, L. J., Fernandez-Baldi, F., Shevchenko, E. V., Salmeron, M., Craievich, A. F., & Requejo, F. G. (2009). Structure and electronic properties of `Fe IND.X´`O IND.Y´ capped Au nanoparticles investigated by TEM, SAXS and XAFS. In Programme, Abstracts and Posters. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sas2009.org/SAS2009/Abstracts.html
NLM
Giovanetti LJ, Fernandez-Baldi F, Shevchenko EV, Salmeron M, Craievich AF, Requejo FG. Structure and electronic properties of `Fe IND.X´`O IND.Y´ capped Au nanoparticles investigated by TEM, SAXS and XAFS. [Internet]. Programme, Abstracts and Posters. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sas2009.org/SAS2009/Abstracts.html
Vancouver
Giovanetti LJ, Fernandez-Baldi F, Shevchenko EV, Salmeron M, Craievich AF, Requejo FG. Structure and electronic properties of `Fe IND.X´`O IND.Y´ capped Au nanoparticles investigated by TEM, SAXS and XAFS. [Internet]. Programme, Abstracts and Posters. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sas2009.org/SAS2009/Abstracts.html
Artigo de periodico
MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te (2004)
Ueta, A Y; Rappl, Paulo Henrique de Oliveira ; Closs, H; Motisuke, Paulo; Abramof, Eduardo ; Anjos, V R dos; Chitta, Valmir Antonio ; Coaquira, José Antonio Huamaní ; Oliveira Junior, Nei Fernandes de; Bauer, G
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
UETA, A Y et al. MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a39v342b.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ueta, A. Y., Rappl, P. H. de O., Closs, H., Motisuke, P., Abramof, E., Anjos, V. R. dos, et al. (2004). MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te. Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a39v342b.pdf
NLM
Ueta AY, Rappl PH de O, Closs H, Motisuke P, Abramof E, Anjos VR dos, Chitta VA, Coaquira JAH, Oliveira Junior NF de, Bauer G. MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a39v342b.pdf
Vancouver
Ueta AY, Rappl PH de O, Closs H, Motisuke P, Abramof E, Anjos VR dos, Chitta VA, Coaquira JAH, Oliveira Junior NF de, Bauer G. MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a39v342b.pdf
Artigo de periodico
Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots (2003)
Duarte, C A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Martini, S; Leite, J. R.; Meneses, E A; Lauretto, E
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
DUARTE, C A et al. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 10, p. 6279-6283, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1568538. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Duarte, C. A., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Martini, S., Leite, J. R., et al. (2003). Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 93( 10), 6279-6283. doi:10.1063/1.1568538
NLM
Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538
Vancouver
Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538
Artigo de periodico
Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction (2003)
Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Lamas, T E; Silva, E C F da; Leite, J. R.; Abramof, E
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1621738. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, Leite, J. R., & Abramof, E. (2003). Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. doi:10.1063/1.1621738
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738
Artigo de periodico
Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy (2003)
Hanamoto, L K; Farias, C. M. A.; Henriques, André Bohomoletz ; Tribuzy, C V B; Saouza, P L; Yavich, B
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HANAMOTO, L K et al. Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 9, p. 5460-5464, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1566477. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Hanamoto, L. K., Farias, C. M. A., Henriques, A. B., Tribuzy, C. V. B., Saouza, P. L., & Yavich, B. (2003). Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 93( 9), 5460-5464. doi:10.1063/1.1566477
NLM
Hanamoto LK, Farias CMA, Henriques AB, Tribuzy CVB, Saouza PL, Yavich B. Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 9): 5460-5464.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1566477
Vancouver
Hanamoto LK, Farias CMA, Henriques AB, Tribuzy CVB, Saouza PL, Yavich B. Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 9): 5460-5464.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1566477
Artigo de periodico
Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction (2002)
Morelhão, Sérgio Luiz; Kycia, Stefan
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e KYCIA, Stefan. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction. Physical Review Letters, v. 89, n. 1, p. 15501/1-15501/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Morelhão, S. L., & Kycia, S. (2002). Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction. Physical Review Letters, 89( 1), 15501/1-15501/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips
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Morelhão SL, Kycia S. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 89( 1): 15501/1-15501/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips
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Morelhão SL, Kycia S. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 89( 1): 15501/1-15501/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips

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