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  • Dissertação (Mestrado)

    Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono (2001)

    Marques, Marcelo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARQUES, Marcelo. Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Marques, M. (2001). Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Marques M. Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]

    • Vancouver

      Marques M. Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]

  • Tese (Doutorado)

    Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores (1999)

    Janotti, Anderson; Fazzio, Adalberto (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      JANOTTI, Anderson. Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/. Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Janotti, A. (1999). Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/

    • NLM

      Janotti A. Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores [Internet]. 1999 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/

    • Vancouver

      Janotti A. Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores [Internet]. 1999 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/

  • Dissertação (Mestrado)

    Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS' (1997)

    Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FÍSICA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      RODRIGUES, Sara Cristina Pinto. Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS'. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P. (1997). Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Rodrigues SCP. Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS'. 1997 ;[citado 2024 out. 31 ]

    • Vancouver

      Rodrigues SCP. Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS'. 1997 ;[citado 2024 out. 31 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Estrutura eletrônica de poços quânticos de dopagem planas tipo-p em silício (1997)

    Rosa, Andreia Luisa da; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)

    Unidade: IF

    Assunto: CIRCUITOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      ROSA, Andreia Luisa da. Estrutura eletrônica de poços quânticos de dopagem planas tipo-p em silício. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Rosa, A. L. da. (1997). Estrutura eletrônica de poços quânticos de dopagem planas tipo-p em silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Rosa AL da. Estrutura eletrônica de poços quânticos de dopagem planas tipo-p em silício. 1997 ;[citado 2024 out. 31 ]

    • Vancouver

      Rosa AL da. Estrutura eletrônica de poços quânticos de dopagem planas tipo-p em silício. 1997 ;[citado 2024 out. 31 ]

  • Tese (Doutorado)

    Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs (1997)

    Orellana Muñoz, Walter Manuel; Ferraz, Armando Corbani (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      ORELLANA MUÑOZ, Walter Manuel. Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs. 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/. Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Orellana Muñoz, W. M. (1997). Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/

    • NLM

      Orellana Muñoz WM. Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs [Internet]. 1997 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/

    • Vancouver

      Orellana Muñoz WM. Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs [Internet]. 1997 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/

  • Tese (Doutorado)

    Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' (1996)

    França, Ecio Jose; Assali, L. V. C. (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      FRANÇA, Ecio Jose. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS'. 1996. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/. Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      França, E. J. (1996). Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/

    • NLM

      França EJ. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/

    • Vancouver

      França EJ. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/

  • Tese (Doutorado)

    Propriedades eletrônicas e estruturais de elementos do grupo v em semicondutores amorfos (1996)

    Venezuela, Pedro Paulo de Mello; Fazzio, Adalberto (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      VENEZUELA, Pedro Paulo de Mello. Propriedades eletrônicas e estruturais de elementos do grupo v em semicondutores amorfos. 1996. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. . Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Venezuela, P. P. de M. (1996). Propriedades eletrônicas e estruturais de elementos do grupo v em semicondutores amorfos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Venezuela PP de M. Propriedades eletrônicas e estruturais de elementos do grupo v em semicondutores amorfos. 1996 ;[citado 2024 out. 31 ]

    • Vancouver

      Venezuela PP de M. Propriedades eletrônicas e estruturais de elementos do grupo v em semicondutores amorfos. 1996 ;[citado 2024 out. 31 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI' (1994)

    Goncalves, Luiz Carlos Donizetti; Henriques, André Bohomoletz (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      GONCALVES, Luiz Carlos Donizetti. Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI'. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. . Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Goncalves, L. C. D. (1994). Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Goncalves LCD. Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI'. 1994 ;[citado 2024 out. 31 ]

    • Vancouver

      Goncalves LCD. Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI'. 1994 ;[citado 2024 out. 31 ]

  • Tese (Doutorado)

    Estudo teórico de 'GA''AS' dopado com atomos tipo iv (1994)

    Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      SCHMIDT, Tome Mauro. Estudo teórico de 'GA''AS' dopado com atomos tipo iv. 1994. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04092012-112354/. Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M. (1994). Estudo teórico de 'GA''AS' dopado com atomos tipo iv (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04092012-112354/

    • NLM

      Schmidt TM. Estudo teórico de 'GA''AS' dopado com atomos tipo iv [Internet]. 1994 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04092012-112354/

    • Vancouver

      Schmidt TM. Estudo teórico de 'GA''AS' dopado com atomos tipo iv [Internet]. 1994 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04092012-112354/

  • Dissertação (Mestrado)

    Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em gap (1993)

    Venezuela, Pedro Paulo de Mello; Fazzio, Adalberto (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      VENEZUELA, Pedro Paulo de Mello. Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em gap. 1993. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993. . Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Venezuela, P. P. de M. (1993). Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em gap (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Venezuela PP de M. Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em gap. 1993 ;[citado 2024 out. 31 ]

    • Vancouver

      Venezuela PP de M. Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em gap. 1993 ;[citado 2024 out. 31 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Propriedades estruturais e eletronicas de n e 'N IND.2' em semicondutores tipo iv (1992)

    Cunha, Carlos Roberto Martins da; Fazzio, Adalberto (Orientador)

    Unidade: IF

    Assunto: CIRCUITOS ELETRÔNICOS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CUNHA, Carlos Roberto Martins da. Propriedades estruturais e eletronicas de n e 'N IND.2' em semicondutores tipo iv. 1992. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1992. . Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Cunha, C. R. M. da. (1992). Propriedades estruturais e eletronicas de n e 'N IND.2' em semicondutores tipo iv (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Cunha CRM da. Propriedades estruturais e eletronicas de n e 'N IND.2' em semicondutores tipo iv. 1992 ;[citado 2024 out. 31 ]

    • Vancouver

      Cunha CRM da. Propriedades estruturais e eletronicas de n e 'N IND.2' em semicondutores tipo iv. 1992 ;[citado 2024 out. 31 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Metodo hartree-fock lcao para sistemas periodicos (1991)

    Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BAIERLE, Rogerio Jose. Metodo hartree-fock lcao para sistemas periodicos. 1991. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1991. . Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Baierle, R. J. (1991). Metodo hartree-fock lcao para sistemas periodicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Baierle RJ. Metodo hartree-fock lcao para sistemas periodicos. 1991 ;[citado 2024 out. 31 ]

    • Vancouver

      Baierle RJ. Metodo hartree-fock lcao para sistemas periodicos. 1991 ;[citado 2024 out. 31 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores (1990)

    Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, Tome Mauro. Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores. 1990. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1990. . Acesso em: 31 out. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M. (1990). Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Schmidt TM. Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores. 1990 ;[citado 2024 out. 31 ]

    • Vancouver

      Schmidt TM. Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores. 1990 ;[citado 2024 out. 31 ]
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